【数据表砷化镓集成电路PG2008TBL， S波段SPDT开关描述该PG2008TB是L ， S波段的】,IC型号UPG2008TB-E3,UPG2008TB-E3 PDF资料,UPG2008TB-E3经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

砷化镓集成电路

PG2008TB

L， S波段SPDT开关

描述

该

PG2008TB是L ， S波段的SPDT （单刀双掷）的GaAs FET的开关，它被用于研制

数字移动电话，无绳电话和其它L， S波段无线应用。该设备可以从500兆赫

至2.5千兆赫，具有低的插入损耗。它坐落在一个原始的6引脚超minimold包小于

通常的6针minimold易于安装，并有助于小型化的系统。

特点

低插入损耗

高隔离

: L

插件

= 0.3 dB典型值。 @ V

CONT

= 3.0 V / 0 V ， F = 1 GHz的

插件

= 0.4 dB典型值。 @ V

CONT

= 3.0 V / 0 V ， F = 2 GHz的

： ISL = 27 dB典型值。 @ V

CONT

= 3.0 V / 0 V ， F = 0.5 2.0 GHz的

6引脚超minimold封装（ 2.0

1.25

0.9 mm)

应用

L ， S波段数字蜂窝或者无绳电话

Buletooth

， W- LAN和WLL应用

订购信息

产品型号

包

6针超级Minimold

记号

G3D

供给方式

压纹带8mm宽

销1 ，2，3面带的穿孔侧

数量3千件/卷

PG2008TB-E3

备注

如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。

样品订购部件号：

PG2008TB

当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认

这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查

代表性的产品供应及其他信息。

一号文件PG10193EJ01V0DS （第1版）

发布日期2002年11月CP （ K）

日本印刷

NEC化合物半导体器件2002年

PG2008TB

引脚连接

PIN号

引脚名称

OUT1

GND

OUT2

cont2

cont1

（ TOP VIEW ）

（底视图）

G3D

绝对最大额定值（T

= + 25 ℃，除非另有规定）

参数

控制电压1,2

输入功率

总功耗

工作环境温度

储存温度

符号

CONT1 ， 2

合计

英镑

评级

6.0

为+6.0

记

+28

0.15

+85

+150

单位

DBM

°C

记

cont1

-V

cont2

≤

6.0 V

推荐工作RENGE （T

= +25°C)

参数

控制电压（高）

控制电压（低）

符号

续（H ）

续（ L）

分钟。

+2.5

0.2

典型值。

+3.0

马克斯。

+5.3

+0.2

单位

数据表PG10193EJ01V0DS

PG2008TB

电气特性

= + 25 ° C，V

cont1

= +3 V, V

cont2

= 0 V或V

cont1

= 0 V, V

cont2

= 3 V，Z

= 50

，关闭芯片的隔直流

电容值; 51 pF的，除非另有规定）

参数

插入损耗

符号

插件

测试条件

F = 0.5 1.0千兆赫

F = 2.0 GHz的

F = 2.5 GHz的

隔离

ISL

F = 0.52.0千兆赫

F = 2.5 GHz的

输入回波损耗

F = 0.52.0千兆赫

F = 2.5 GHz的

输出回波损耗

OUT

F = 0.52.0千兆赫

F = 2.5 GHz的

0.1 dB输入功率

压缩点

记

分钟。

典型值。

0.30

0.40

23.0

马克斯。

0.55

0.65

0.90

单位

DBM

IN （0.1 dB为单位）

F = 1.0千兆赫，V

CONT

= +3 V/0 V

1 dB输入功率

压缩点

开关速度

控制电流

记

在（1 dB）的

F = 1.0千兆赫，V

CONT

= +3 V/0 V

22.0

26.5

DBM

CONT

= 3 V / 0 V ， RF非

0.5

200

记

IN （0.1 dB为单位）

或P

在（1 dB）的

被测量的输入功率电平的时候，插入损耗增加更多0.1分贝或1分贝

比的线性范围。所有其它特征的测量中的线性范围。

注意事项1.当

PG2008TB使用，有必要用隔直流电容器1号（ OUT1），

3号（ OUT2 ）和5号（ IN）。直流阻断电容器的值的选择应

容纳操作，带宽，开关速度的频率，并与条件

你的系统的实际板。

推荐的隔直电容值范围为小于100 pF的。

2. IC的GND端子和基板的接地图案之间的距离应尽可能短为

能够避免寄生参数。

数据表PG10193EJ01V0DS

PG2008TB

评估电路

cont1

= 3.0 V, V

cont2

= 0 V或V

cont2

= 0 V, V

cont1

= 3.0 V，片外隔直电容值C1 = 51 pF的， C2

= 1 000 pF的（旁路），采用NEC标准的评估板。

G3D

cont1

OUT1

cont2

OUT2

评估板

cont1

6PIN SMM SPDT SW

Vc1

OUT1

出1

G3D

输出2

OUT2

Vc2

cont2

真值表

cont1

低

高

cont2

高

低

INOUT1

关闭

INOUT2

关闭

数据表PG10193EJ01V0DS

PG2008TB

典型特征

测试方式：T

= + 25 ° C，V

cont1/2

= 0 V / 3.0 V，P

= 0 dBm时， OUT2方50

终止

输入回波损耗与频率的关系

CH1 S

日志MAG

10分贝/ REF 0分贝

-22.234分贝

1.0 GHz的

-27.13分贝

1.5 GHz的

-30.052分贝

2.0 GHz的

-24.396分贝

2.5 GHz的

-16.767分贝

3.0 GHz的

CH1 S

隔离与频率的关系

日志MAG

10分贝/ REF 0分贝

-25.638分贝

1.0 GHz的

-25.607分贝

1.5 GHz的

-24.781分贝

2.0 GHz的

-22.34分贝

2.5 GHz的

-19.074分贝

3.0 GHz的

输入回波损耗RL

（ dB）的

隔离ISL （ dB）的

–40

–20

STOP 3.500 000 000 GHz的

–20

–40

START 0.500 000 000 GHz的

STOP 3.500 000 000 GHz的

频率f（ GHz）的

插入损耗与频率

CH1 S

日志MAG

为1dB / REF 0分贝

-0.660分贝

1.0 GHz的

-0.771分贝

1.5 GHz的

-0.892分贝

2.0 GHz的

-1.047分贝

2.5 GHz的

-1.340分贝

3.0 GHz的

输出回波损耗与频率

CH1 S

日志MAG

10分贝/ REF 0分贝

-21.598分贝

1.0 GHz的

-24.054分贝

1.5 GHz的

-25.127分贝

2.0 GHz的

-23.43分贝

2.5 GHz的

-17.219分贝

3.0 GHz的

输出回波损耗RL

OUT

（ dB）的

插入损耗L

插件

（ dB）的

–20

–40

START 0.500 000 000 GHz的

–2.0

–4.0

START 0.500 000 000 GHz的

STOP 3.500 000 000 GHz的

频率f（ GHz）的

数据表PG10193EJ01V0DS

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