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初步
数据表
μ
PD5904T7K
CMOS集成电路大功率SP4T开关
描述
R09DS0045EJ0200
Rev.2.00
2012年12月11日
该
μ
PD5904T7K是CMOS MMIC SP4T （单刀四掷）开关，用于GSM和UMTS / LTE主天线
开关和其他大功率射频开关应用到
+35
dBm的。
此装置可从0.05至6.0 GHz的操作频率，具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用12引脚塑料QFN （方形扁平无引脚） （ T7K ）封装。
特点
低控制电压
低插入损耗
: V
CONT
= 1.3 V MIN 。 ，V
DD
= 2.3 V MIN 。
: L
插件
= 0.4 dB典型值。 @ F = 1 GHz的
: L
插件
= 0.5 dB典型值。 @ F = 2 GHz的
高隔离度
： ISL = 35 dB典型值。 @ F = 1 GHz的
： ISL = 30 dB典型值。 @ F = 2 GHz的
高承受功率
: P
在（ 0.1分贝）
= +38 dBm的典型。 @f = 0.9 / 2 GHz的
高密度表面安装： 12引脚塑料QFN （ T7K ）封装（ 2.0
×
2.0
×
0.6 mm)
无需隔直流电容器。
应用
GSM和UMTS / LTE的主天线开关
分集天线开关
天线调谐应用
订购信息
产品型号
μ
PD5904T7K-E2
订单号
μ
PD5904T7K-E2-A
包
12引脚塑料
QFN
（ T7K ） （无铅）
记号
5904
供给方式
压纹带8mm宽
销10 ， 11和12面的穿孔侧
带的
数量3千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
μ
PD5904T7K-A
小心
虽然本设备被设计为尽可能坚固，静电放电（ESD ）会损坏这
装置。此设备必须在任何时候都不受ESD保护。静电荷可以很容易地产生的电势
几千伏，对人体或设备，其可排出而不被发现。行业标准
ESD防范措施必须在任何时候都可以使用。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0045EJ0200 Rev.2.00
2012年12月11日
第14页1
μ
PD5904T7K
<R>
引脚连接和内部框图
（ TOP VIEW ）
GND
12
1
2
3
11
10
9
8
7
RF4
1
RF3
2
GND
3
（ TOP VIEW ）
GND
RFC
12
11
10
RF1
9
RF2
8
GND
7
（底视图）
10
11
12
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
引脚名称
RF4
RF3
GND
V
DD
V
CONT
1
V
CONT
2
GND
RF2
RF1
GND
RFC
GND
GND
V
CONT
1
框图
RFC
RF1
RF2
RF3
RF4
V
DD
V
CONT
1
V
CONT
2
SW真值表
V
CONT
1
高
高
低
低
V
CONT
2
高
低
高
低
RFCRF1
ON
关闭
关闭
关闭
RFCRF2
关闭
ON
关闭
关闭
RFCRF3
关闭
关闭
ON
关闭
RFCRF4
关闭
关闭
关闭
ON
绝对最大额定值（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
电源电压
控制电压
输入功率
工作环境温度
储存温度
符号
V
DD
V
CONT
P
in
T
A
T
英镑
评级
3.6
3.6
+38
40
+85
55
+125
单位
V
V
DBM
°C
°C
推荐工作范围（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
工作频率
电源电压
控制电压（高）
控制电压（低）
注意：
V
CONT
≤
V
DD
符号
f
V
DD
V
续（H ）
V
CONT （ L）
记
V
DD
4
5
6
V
CONT
2
R09DS0045EJ0200 Rev.2.00
2012年12月11日
5904
9
8
7
13
1
2
3
4
5
6
6
5
4
分钟。
0.05
2.3
1.3
0
典型值。
马克斯。
6.0
3.3
V
DD
0.4
单位
GHz的
V
V
V
第14页2
μ
PD5904T7K
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.5 V, V
续（H ）
= 1.8 V, V
CONT （ L）
= 0 V ，Z
O
= 50
Ω,
除非另有
特定网络版）
参数
插入损耗
符号
L
插件
1
L
插件
2
L
插件
3
L
插件
4
L
插件
5
L
插件
6
ISL1
ISL2
ISL3
ISL4
ISL5
ISL6
RL
(C)
1
RL
(C)
2
RL
（射频）
1
RL
（射频）
2
P
在（0.1 dB为单位）
1
P
在（0.1 dB为单位）
2
2f0 （L）的
3f0 （L）的
2f0 （H）的
3f0 （H）的
IMD2(L)
IMD2(H)
IMD3(L)
IMD3(H)
RFC
RF1， 2，3， 4
RFC
RF1， 2，3， 4
RFC
RF1， 2，3， 4
路径
RFC
RF1， 2，3， 4
测试条件
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0 2.7 GHz的
F = 2.7 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.050.5千兆赫
F = 0.5 1.0千兆赫
F = 1.02.0千兆赫
F = 2.0 2.7 GHz的
F = 2.7 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.05 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.05 3.8 GHz的
F = 3.8 6.0 GHz的
F = 0.9 GHz的
F = 2.0 GHz的
F = 0.9千兆赫，
P
in
= +35 dBm的CW
F = 2.0千兆赫，
P
in
= +33 dBm的CW
F = 835兆赫，P
in
= +20 dBm的
F = 45 MHz时， P
in
= -15 dBm的
F = 1 950 MHz时， P
in
= +20 dBm的
F = 190MHz ，P
in
= -15 dBm的
F = 835兆赫，P
in
= +20 dBm的
F = 790兆赫，P
in
= -15 dBm的
F = 1 950 MHz时， P
in
= +20 dBm的
F = 1 760 MHz时， P
in
= -15 dBm的
F = 836 ± 0.5 MHz时，
P
in
= 21.5 dBm的
F = 881.5兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1 880.5 ±0.5兆赫
P
in
= 21.5 dBm的
F = 1 960兆赫，磷
in
= -30 dBm的
F = 836.6兆赫，P
in
= +24 dBm的
F = 1718兆赫，P
in
= -20 dBm的
F = 1 885 MHz时， P
in
= +24 dBm的
F = 3 850兆赫，P
in
= -20 dBm的
分钟。
30
25
20
15
15
10
15
10
15
10
+36.0
+36.0
75
70
75
70
典型值。
0.35
0.40
0.50
0.55
0.60
0.75
40
35
30
25
25
20
25
17
25
17
+38.0
记
马克斯。
0.50
0.55
0.65
0.75
0.80
0.95
93
100
105
105
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dBc的
dBc的
dBc的
隔离
RFC
RF1， 2，3， 4
回波损耗
（ RFC ）
回波损耗
(RF1,2,3,4)
0.1分贝损失
压缩
输入功率
RFC
RF1， 2，3， 4
RFC
RF1， 2，3， 4
+38.0
记
80
75
85
80
98
105
110
110
谐波
二阶国米
调制
失真
三阶互
调制
失真
dBc的
RFC
RF1， 2，3， 4
dBc的
75
80
TBR （ L）
三次差拍比
TBR （H ）
RFC
RF1， 2，3， 4
75
80
DBM
输入2阶
截取点
注意：
国际投资头寸
2(Cel)
国际投资头寸
2(PCS)
RFC
RF1， 2，3， 4
105
105
110
110
绝对最大额定值
R09DS0045EJ0200 Rev.2.00
2012年12月11日
第14页3
μ
PD5904T7K
电气特性
(T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 2.5 V, V
续（H ）
= 1.8 V, V
CONT （ L）
= 0 V ，Z
O
= 50
Ω,
除非另有
特定网络版）
参数
开关控制速度
电源电流
控制电流1
I
CONT
1(L)
I
CONT
2(H)
控制电流2
I
CONT
2(L)
符号
t
sw
I
DD
I
CONT
1(H)
路径
测试条件
分钟。
典型值。
1.5
130
马克斯。
3
250
1
1
1
1
RFC
50％的CTL 90 /10％
RF1， 2，3， 4
没有RF
V
CONT
1 ：高无射频
V
CONT
1 ：低无射频
V
CONT
2 ：高无射频
V
CONT
2 ：低无射频
单位
μ
s
μ
A
R09DS0045EJ0200 Rev.2.00
2012年12月11日
第14页4
μ
PD5904T7K
<R>
评估电路
RFC
GND
GND
12
11
10
RF1
9
RF4
1
RF3
2
13
GND
RF2
8
3
GND
4
5
6
7
GND
V
DD
1 000 pF的
V
CONT
1
1 000 pF的
V
CONT
2
1 000 pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
应用信息
开关
L
ESD
L
ESD
提供，以增加附着到一个特定的RF端口的ESD保护，典型的端口的装置
天线。
R09DS0045EJ0200 Rev.2.00
2012年12月11日
第14页5
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地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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21+22+
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