初步
数据表
μ
PD5902T7K
CMOS集成电路高功率SPDT开关
描述
R09DS0046EJ0200
Rev.2.00
2012年11月19日
该
μ
PD5902T7K是CMOS MMIC SPDT （单刀双掷）开关，用于GSM和UMTS / LTE主
天线切换和其他大功率射频开关应用到
+35
dBm的。
此装置可从0.05至6.0 GHz的操作频率，具有低插入损耗和高的隔离度。
该器件采用12引脚塑料QFN （方形扁平无引脚） （ T7K ）封装。
特点
低控制电压
: V
CONT
= 1.3 V MIN 。 ，V
DD
= 2.3 V MIN 。
低插入损耗
: L
插件
= 0.35 / 0.40分贝TYP 。 @ F = 1.0 / 2.0 GHz的
高隔离度
： ISL =三十七分之四十五dB典型值。 @ F = 1.0 / 2.0 GHz的
高承受功率
: P
在（ 0.1分贝）
= +38 dBm的典型。 @f = 0.9 / 2.0 GHz的
高密度表面安装： 12引脚塑料QFN （ T7K ）封装（ 2.0
×
2.0
×
0.6 mm)
无需隔直流电容器。
应用
GSM和UMTS / LTE的主天线切换等。
其他射频开关应用。
天线调谐应用。
订购信息
产品型号
μ
PD5902T7K-E2
订单号
μ
PD5902T7K-E2-A
包
12引脚塑料
QFN （ T7K ）
（无铅）
记号
5902
供给方式
压纹带8mm宽
销10 ， 11和12面的穿孔侧
带的
数量3千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
μ
PD5902T7K-A
小心
虽然本设备被设计为尽可能坚固，静电放电（ESD ）会损坏这
装置。此设备必须在任何时候都不受ESD保护。静电荷可以很容易地产生的电势
几千伏，对人体或设备，其可排出而不被发现。行业标准
ESD防范措施必须在任何时候都可以使用。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0046EJ0200 Rev.2.00
2012年11月19日
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μ
PD5902T7K
<R>
评估电路
RFC
GND
GND
12
11
10
9
GND
RF2
1
GND
RF1
2
13
GND
8
3
GND
4
5
6
7
GND
GND
V
DD
1 000 pF的
V
CONT
1 000 pF的
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
应用信息
开关
L
ESD
L
ESD
提供，以增加附着到一个特定的RF端口的ESD保护，典型的端口的装置
天线。
R09DS0046EJ0200 Rev.2.00
2012年11月19日
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