数据表
MOS集成电路
PD4616112-X
16M - BIT的CMOS移动指明RAM
1M - WORD 16位
扩展温度操作
描述
该
PD4616112 -X是一款高速，低功耗， 16777216位（ 1,048,576字×16位）的CMOS移动
指定的RAM ，具有低功耗静态RAM兼容的功能和引脚配置。
该
PD4616112 - X被制成与先进的CMOS技术使用一个晶体管存储单元。
该
PD4616112 -X是装在48引脚FBGA封装胶带。
特点
1,048,576字×16位的组织
快速存取时间： 85 ， 95纳秒（MAX 。 ）
字节的数据控制： / LB （ I / O0 - I / O7 ） ， / UB （ I / O8 - I / O15 ）
低电压工作： V
CC
= 2.6 3.1 V
工作环境温度：T已
A
= -25至+85°C
输出使能输入，方便应用
芯片使能输入： / CS引脚
待机模式下输入： MODE引脚
待机模式1 ：正常待机状态（存储单元数据保持有效）
待机模式2 ：存储单元数据无效举行
产品名称
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源
电压
工作环境
温度
°C
电源电流
在工作
MA（ MAX 。 ）
35
在待机状态
A（ MAX 。 ）
70 / 10
PD4616112-BxxLX
85, 95
2.6 3.1
-25至+85
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一号文件M15794EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年1月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2001
PD4616112-X
真值表
/ CS
模式
/ OE
×
×
H
L
/ WE
×
×
H
H
/磅
×
×
×
L
L
H
H
×
L
L
L
H
H
/ UB
×
×
×
L
H
L
H
L
H
L
H
模式
I / O0 - I / O7
H
H
L
H
L
H
没有选择（待机模式1 ）
没有选择（待机模式2 ）
输出禁用
字读
低字节读
高字节读
输出禁用
字写
低字节写入
高字节写
写入中止
高阻抗
高阻抗
高阻抗
D
OUT
D
OUT
高阻抗
高阻抗
D
IN
D
IN
高阻抗
高阻抗
I / O
I / O8 - I / O15
高阻抗
高阻抗
高阻抗
D
OUT
高阻抗
D
OUT
高阻抗
D
IN
高阻抗
D
IN
高阻抗
I
SB1
I
SB2
I
CCA
电源电流
注意MODE引脚必须固定为高，除了待机模式2 。
备注
×:
V
IH
或V
IL
初始化
该
PD4616112 -X是在上电序列根据以下初始化。
（ 1 ）为了稳定内部电路，接通电源之前， 200
秒或更长的等待时间必须先于任何信号
切换。
（2）之后的等待时间，读操作必须至少进行3次。在这之后，它可以是正常操作。
初始化时序图
V
CC
（分）
V
CC
地址（输入）
模式（输入）
V
IH
（分）
t
RC
/ CS （输入）
V
IH
（分）
t
CP
开机等待时间
200
s
读操作3次
正常
手术
注意事项1.下列电源应用中，等待时间间隔内进行模式和/ CS高的水平。
2.按照电源的应用，在等待时间和三个读作模式高水平
操作。
3.读操作必须满足第10页（读周期（B版） ）描述的规格。
4.地址是不关心（V
IH
或V
IL
）在读操作期间。
5.读操作必须切换的/ CS引脚被执行。
6.为了防止总线冲突，建议设置/ OE为高电平。
7.不要输入数据到I / O引脚，如果/ OE是在读取操作期间的低电平。
数据表M15794EJ2V0DS
5
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