【数据表MOS集成电路PD44433624M- BIT的CMOS同步快速静态RAM128K - WOR】,IC型号UPD4443362,UPD4443362 PDF资料,UPD4443362经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS集成电路

PD4443362

4M- BIT的CMOS同步快速静态RAM

128K - WORD 36位

HSTL接口/寄存器 - 寄存器/后写

描述

该

PD4443362是131,072字36位的同步静态RAM制造与先进的CMOS

技术使用全CMOS六晶体管存储器单元。

该

PD4443362是合适的应用程序需要同步操作中，高速，低电压，高

密度存储器和宽位配置，如高速缓存和缓冲存储器。

该

PD4443362被打包在100引脚塑料LQFP封装与高密度和低1.4 mm封装厚度

容性负载。

特点

完全同步操作

HSTL输入/输出电平

快速时钟存取时间： 3.8 ns的（ 133兆赫）

异步输出使能控制： / G

字节写操作控制： / SBA （ DQa1-9 ） / SBB （ DQb1-9 ） / SBC （ DQc1-9 ） / SBD （ DQd1-9 ）

采用三态输出通用I / O

内部自定时写周期

晚写与读写间1死循环

3.3 V （片） / 1.5 V（ I / O）供电

100引脚塑料LQFP封装，有14毫米× 20毫米

睡眠模式： ZZ （启用休眠模式，高电平有效）

订购信息

产品型号

存取时间

3.8纳秒

时钟频率

133兆赫

包

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

PD4443362GF-A75

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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件M14439EJ2V0DS00 （第2版）

发布日期2001年2月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

2000

PD4443362

引脚配置（标记侧）

/ xxx表示低电平有效的信号。

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

[

PD4443362GF ]

/ SBD

/ SBB

/ SBA

REF

/ SBC

SA6

SA7

SA8

SA9

/ SW

/SS

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

DQc9

DQc8

DQc7

DQc6

DQc5

DQc4

DQc3

DQc2

DQc1

DQd1

DQd2

DQd3

DQd4

DQd5

DQd6

DQd7

DQd8

DQd9

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

DQb9

DQb8

DQb7

DQb6

DQb5

DQb4

DQb3

DQb2

DQb1

DQa1

DQa2

DQa3

DQa4

DQa5

DQa6

DQa7

DQa8

DQa9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

备注

请参阅

封装图

1针索引标记。

数据表M14439EJ2V0DS

SA16

REF

SA5

SA4

SA3

SA2

SA1

SA0

PD4443362

引脚名称和功能

引脚名称

SA0到SA16

PIN号

描述

37 ， 36 ， 35 ， 34 ， 33 ， 32 ， 100 ， 99 ， 82 ， 81 ， 44 ，同步地址输入

45, 46, 47, 48, 49, 50

DQA1到DQa9

DQB1到DQb9

DQc1到DQc9

DQd1到DQd9

/SS

/ SW

/ SBA

Note1

/ SBB

Note1

/ SBC

Note1

/ SBD

Note1

Note2

K, /K

REF

63, 62, 59, 58, 57, 56, 53, 52, 51

68, 69, 72, 73, 74, 75, 78, 79, 80

13, 12, 9, 8, 7, 6, 3, 2, 1

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29, 30

89, 88

15, 41, 65, 91

17, 40, 67, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

5, 10, 21, 26, 55, 60, 71, 76

38, 43, 87

14, 16, 31, 39, 42, 66, 83, 84, 92, 94

同步数据输入/输出

同步芯片选择

同步字节写使能

同步字节"a"写使能

同步字节"b"写使能

同步字节"c"写使能

同步字节"d"写使能

异步输出使能

异步睡眠模式

主时钟输入

核心供电

地

输出缓冲器电源

输出缓冲地

输入参考

无连接

注意事项1 。

如果不使用字节写操作字节写引脚（ / SBA ， / SBB ， / SBC ， / SBD ）将被连接到V

如果不使用睡眠模式时， ZZ引脚要被连接到V

备注

该设备只支持单差分时钟，R / R模式。

（R / R代表注册的输入/输出注册。）

数据表M14439EJ2V0DS

PD4443362

晚写框图

SA0到SA16

/SS

写

时钟

发电机

地址

写地址

MUX

/ SW

/ SBA

写

控制

逻辑

内存

电池阵列

4718592位

读

比较。

数据数据

OUT

/ SBB

/ SBC

/ SBD

MUX

DQA1到DQa9

DQB1到DQb9

DQc1到DQc9

DQd1到DQd9

数据

产量

数据表M14439EJ2V0DS

PD4443362

同步真值表

/SS

/ SW

/ SBA

/ SBB

/ SBC

/ SBD

模式

未选择

读

写

中止写

睡眠模式

DQa1

–

9 DQB1

–

9 DQc1

–

9 DQd1

–

高阻

DOUT

DIN

高阻

DOUT

DIN

高阻

DIN

高阻

DOUT

DIN

高阻

DIN

高阻

DOUT

DIN

高阻

DIN

高阻

动力

活跃

待机

备注

：无所谓

输出使能真值表

模式

读

睡眠（ ZZ = H ）

写（ / SW = L ）

取消选择（ / SS = H ）

DOUT

高阻

高阻，DIN

高阻

备注

：无所谓

数据表M14439EJ2V0DS