数据表
MOS集成电路
PD442002-X
2M- BIT的CMOS静态RAM
128K -字×16位
扩展温度操作
描述
该
PD442002 -X是一款高速，低功耗， 2,097,152位（ 131,072字由16位） CMOS静态RAM 。
该
PD442002 -X是装在48引脚FBGA封装胶带。
特点
131,072字由16位组织
5
快速访问时间： （ MAX ） 50 ， 55 ， 70 ， 85 ， 100 ， 120纳秒
字节的数据控制： / LB （ I / O1 - I / O8 ） ， / UB （ I / O9 - I / O16 ）
低电压操作
（ BB版本： V
CC
= 2.7 3.6 V ，BC版本： V
CC
= 2.2 3.6 V ， DD版本： V
CC
= 1.8 2.2 V ）
低V
CC
数据保存： 1.0 V（ MIN 。 ）
工作环境温度：T已
A
= -25至+85°C
输出使能输入，方便应用
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
25
+85
在工作
MA（ MAX 。 ）
30
35
40
注2
注3
注4
电源电流
在待机状态
在数据保留
A（ MAX 。 ）
4
A（ MAX 。 ）
2
5
PD442002-BBxxX
50
注1
, 55, 70, 85
2.7 3.6
PD442002-BCxxX
70, 85, 100
85, 100, 120
2.2 3.6
1.8至2.2
30
15
3
5
5
5
5
5
PD442002-DDxxX
注意事项1 。
V
CC
≥
3.0 V
2.
周期
≥
70纳秒
3.
周期时间= 55 ns的
4.
周期时间= 50ns的
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一号文件M14670EJ6V0DS00 （第6版）
发布日期2001年7月NS CP （ K）
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
2000
PD442002-X
引脚配置
/ xxx表示低电平有效的信号。
48引脚FBGA TAPE （ 6 × 8 ）
×
[
PD442002F9 - BBxxX -BC1 ]
[
PD442002F9 - BCxxX -BC1 ]
[
PD442002F9 - DDxxX -BC1 ]
顶视图
底部视图
A
B
C
D
E
F
G
H
1
2
3
4
5
6
6
5
4
3
2
1
1
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
I/O9
I/O10
GND
V
CC
I/O15
I/O16
NC
2
/ OE
/ UB
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
/ CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
/ WE
A11
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
GND
I/O7
I/O8
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
6
NC
I/O1
I/O3
V
CC
GND
I/O7
I/O8
NC
5
A2
/ CS
I/O2
I/O4
I/O5
I/O6
/ WE
A11
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
2
/ OE
/ UB
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
NC
A8
1
/磅
I/O9
I/O10
GND
V
CC
I/O15
I/O16
NC
A0 - A16
/ CS
/ WE
/ OE
/ LB ， / UB
V
CC
GND
NC
：地址输入
：片选
：写使能
：输出使能
：字节数据的选择
：电源
：地面
：无连接
I / O1 - I / O16 ：数据输入/输出
备注
请参阅
封装图
为索引标记。
数据表M14670EJ6V0DS
3
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