数据表
MOS集成电路
PD434016AL
4M位CMOS快速SRAM
256K -字×16位
描述
该
PD434016AL是一种高速，低功耗， 4,194,304位（ 262,144字由16位） CMOS静态RAM 。
工作电源电压为3.3 V
±
0.3 V.
该
PD434016AL封装在44引脚塑料SOJ和44引脚塑料TSOP （ II ） 。
特点
262,144字由16位组织
快速访问时间： （ MAX） 15 ， 17 ， 20纳秒
字节的数据控制： / LB （ I / O1 - I / O8 ） ， / UB （ I / O9 - I / O16 ）
输出使能输入，方便应用
+ 3.3V单电源供电
订购信息
产品型号
包
存取时间
NS （ MAX 。 ）
供应电流mA （最大值）
在工作
190
180
170
190
180
170
在待机状态
5
PD434016ALLE-A15
PD434016ALLE-A17
PD434016ALLE-A20
PD434016ALG5-A15-7JF
PD434016ALG5-A17-7JF
PD434016ALG5-A20-7JF
44引脚塑料SOJ
(10.16 mm (400))
15
17
20
44引脚塑料TSOP （ II ）
(10.16 mm (400))
（通常弯曲）
15
17
20
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供应及其他信息。
一号文件M12229EJ6V0DS00 （第6版）
发布日期2000年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1996
PD434016AL
引脚配置（标记侧）
/ xxx表示低电平有效的信号。
44引脚塑料SOJ （10.16毫米（ 400 ） ）
[
PD434016ALLE ]
44引脚塑料TSOP （ II ） （10.16毫米（ 400 ） ）（普通弯曲）
[
PD434016ALG5-7JF ]
A0
A1
A2
A3
A4
/ CS
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
GND
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
/ WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
/ OE
/ UB
/磅
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
V
CC
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A0 - A17
：地址输入
I / O1 - I / O16 ：数据输入/输出
/ CS
/ WE
/ OE
/ LB ， / UB
V
CC
GND
NC
：片选
：写使能
：输出使能
：字节数据的选择
：电源
：地面
：无连接
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
2
数据表M12229EJ6V0DS00
PD434016AL
电气规格
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入/输出电压
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
T
A
T
英镑
条件
等级
–0.5
记
到4.6
–0.5
记
到4.6
0到70
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
记
-2.0 V （ MIN ） （脉冲宽度： 2纳秒）
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值上市可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.2
–0.3
记
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
记
-2.0 V （ MIN ） （脉冲宽度： 2纳秒）
4
数据表M12229EJ6V0DS00
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