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数据表
MOS集成电路
PD434008A
4M位CMOS快速SRAM
512K -字×8位
描述
PD434008A是一种高速,低功耗, 4,194,304位( 524,288字由8位)的CMOS静态RAM 。
工作电源电压为5.0 V
±
0.5 V.
PD434008A封装采用36引脚塑料SOJ 。
特点
524,288字由8位机构
快速访问时间: ( MAX ) 12 , 15 , 17 , 20纳秒
输出使能输入,方便应用
单+5.0 V电源
订购信息
产品型号
存取时间
NS ( MAX 。 )
供应电流mA (最大值)
在工作
200
170
160
150
在待机状态
10
PD434008ALE-12
PD434008ALE-15
PD434008ALE-17
PD434008ALE-20
36引脚塑料SOJ
(10.16 mm (400))
12
15
17
20
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M12226EJ4V0DS00 (第4版)
发布日期2000年5月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1996
PD434008A
引脚配置(标记侧)
/ xxx表示低电平有效的信号。
36引脚塑料SOJ (10.16毫米( 400 ) )
[
PD434008ALE ]
A0
A1
A2
A3
A4
/ CS
I/O1
I/O2
V
CC
GND
I/O3
I/O4
/ WE
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A18
A17
A16
A15
/ OE
I/O8
I/O7
GND
V
CC
I/O6
I/O5
A14
A13
A12
A11
A10
NC
A0 - A18
:地址输入
I / O1 - I / O8 :数据输入/输出
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
NC
:片选
:写使能
:输出使能
:电源
:地面
:无连接
备注
请参阅
封装图
为1针索引标记。
2
数据表M12226EJ4V0DS00
PD434008A
框图
地址缓冲器
A0
|
A18
行解码器
存储单元阵列
4,194,304位
I/O1
|
I/O8
输入数据
调节器
读出放大器/
开关电路
列解码器
输出数据
调节器
地址缓冲器
/ CS
/ OE
/ WE
V
CC
GND
真值表
/ CS
H
L
L
L
/ OE
/ WE
模式
未选择
输出禁用
I / O
高阻抗
D
OUT
D
IN
高阻抗
电源电流
I
SB
I
CC
×
L
×
H
L
H
×
H
备注
×
:无所谓
数据表M12226EJ4V0DS00
3
PD434008A
电气规格
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入/输出电压
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
T
A
T
英镑
条件
–0.5
–0.5
等级
单位
V
V
到+7.0
到V
CC
+0.5
0到70
-55到+125
°C
°C
-2.0 V ( MIN ) (脉冲宽度: 2纳秒)
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值上市可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
4.5
2.2
–0.5
0
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
-2.0 V ( MIN ) (脉冲宽度: 2纳秒)
4
数据表M12226EJ4V0DS00
PD434008A
直流特性(推荐工作条件,除非另有说明)
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
测试条件
V
IN
= 0 V到V
CC
V
I / O
= 0 V到V
CC
,
/ CS = V
IH
或/ OE = V
IH
或/ WE = V
IL
工作电源电流
I
CC
/ CS = V
IL
,
I
I / O
= 0 mA时,
最小周期时间
周期时间: 12纳秒
周期时间: 15纳秒
周期时间: 17纳秒
周期时间: 20纳秒
待机电源电流
I
SB
I
SB1
/ CS = V
IH
, V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS
V
CC
– 0.2 V,
V
IN
0.2 V或V
IN
V
CC
– 0.2 V
高电平输出电压
低电平输出电压
V
OH
V
OL
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
2.4
0.4
V
V
200
170
160
150
50
10
mA
mA
分钟。
–2
–2
典型值。
马克斯。
+2
+2
单位
A
A
备注
V
IN
:输入电压
V
I / O
:输入/输出电压
电容(T
A
=
25
°
C,F = 1兆赫)
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
6
10
单位
pF
pF
备注1 。
V
IN
:输入电压
V
I / O
:输入/输出电压
2.
这些参数是周期性采样,而不是100 %测试。
数据表M12226EJ4V0DS00
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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