数据表
MOS集成电路
PD434001AL
4M位CMOS快速SRAM
4M - WORD BY 1位
描述
该
PD434001AL是一种高速，低功耗， 4,194,304位（ 4,194,304字1位） CMOS静态RAM 。
工作电源电压为3.3 V
±
0.3 V.
该
PD434001AL封装在32引脚塑料SOJ和32引脚塑料TSOP （ II ） 。
特点
4194304字1位组织
快速访问时间： （ MAX） 15 ， 17 ， 20纳秒
输出使能输入，方便应用
+ 3.3V单电源供电
订购信息
产品型号
包
存取时间
NS （ MAX 。 ）
供应电流mA （最大值）
在工作
130
120
110
130
120
110
在待机状态
5
PD434001ALLE-A15
PD434001ALLE-A17
PD434001ALLE-A20
PD434001ALG5-A15-7JD
PD434001ALG5-A17-7JD
PD434001ALG5-A20-7JD
32引脚塑料SOJ
(10.16 mm (400))
15
17
20
32引脚塑料TSOP （ II ）
(10.16 mm (400))
（通常弯曲）
15
17
20
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件M12223EJ5V0DS00 （第5版）
发布日期2000年5月NS CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1996
PD434001AL
引脚配置（标记侧）
/ xxx表示低电平有效的信号。
32引脚塑料SOJ （10.16毫米（ 400 ） ）
[
PD434001ALLE ]
32引脚塑料TSOP （II） （10.16毫米（ 400） ） （普通弯曲）
[
PD434001ALG5-7JD ]
A0
A1
A2
A3
A4
A5
/ CS
V
CC
GND
D
IN
/ WE
A6
A7
A8
A9
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A21
A20
A19
A18
A17
A16
/ OE
GND
V
CC
D
OUT
A15
A14
A13
A12
A11
NC
A0 - A21 ：地址输入
D
IN
D
OUT
/ CS
/ WE
/ OE
V
CC
GND
NC
：数据输入
：数据输出
：片选
：写使能
：输出使能
：电源
：地面
：无连接
备注
请参阅
封装图纸
为1针索引标记。
2
数据表M12223EJ5V0DS00
PD434001AL
电气规格
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入/输出电压
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
T
T
A
T
英镑
条件
等级
–0.5
记
到4.6
–0.5
记
到4.6
0到70
-55到+125
单位
V
V
°C
°C
记
-2.0 V （ MIN ） （脉冲宽度： 2纳秒）
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值上市可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压
高电平输入电压
低电平输入电压
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
条件
分钟。
3.0
2.2
–0.3
记
0
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+0.3
+0.8
70
单位
V
V
V
°C
记
-2.0 V （ MIN ） （脉冲宽度： 2纳秒）
4
数据表M12223EJ5V0DS00
QQ：2881677436 复制
