数据表
MOS集成电路
μ
PD43257B
256K - BIT的CMOS静态RAM
32K -字×8位
描述
该
μ
PD43257B是一种高速，低功耗，以及262,144位（ 32,768字由8位）的CMOS静态RAM 。
备用电池可用。和
μ
PD43257B有两个芯片使能引脚（ / CE1 ， CE2 ），以扩大产能。
该
μ
PD43257B是装在28引脚塑料DIP和28引脚塑料SOP 。
特点
32,768字由8位机构
快速存取时间： 70 ， 85纳秒（MAX 。 ）
低V
CC
数据保存： 2.0 V（ MIN 。 ）
两个芯片使能输入： / CE1 ， CE2
产品型号
存取时间
NS （ MAX 。 ）
工作电源工作环境
电压
V
温度
°C
0到70
在工作
MA（ MAX 。 ）
45
45
电源电流
在待机状态
在数据保留
μ
A（ MAX 。 ）
50
15
μ
A（ MAX 。 ）
记
3
2
μ
PD43257B-xxL
μ
PD43257B-xxLL
70, 85
4.5 5.5
记
T
A
≤
40
°C,
V
CC
= 3.0 V
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一号文件M10693EJ9V0DS00 （第9版）
发布日期2006年6月NS CP （ K）
日本印刷
1992
μ
PD43257B
引脚配置（标记侧）
/ xxx表示低电平有效的信号。
28引脚塑料DIP （15.24毫米（ 600 ） ）
[
μ
PD43257BCZ - XXL ]
[
μ
PD43257BCZ - xxLL ]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：芯片使能1
：片选2
：写使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
数据表M10693EJ9V0DS
3
μ
PD43257B
28引脚塑料SOP （ 11.43毫米（ 450 ） ）
[
μ
PD43257BGU - XXL ]
[
μ
PD43257BGU - xxLL ]
[
μ
PD43257BGU - XXL -A]
[
μ
PD43257BGU - xxLL -A]
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
/ WE
A13
A8
A9
A11
CE2
A10
/CE1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A0 - A14
I / O1 - I / O8
/CE1
CE2
/ WE
V
CC
GND
：地址输入
：数据输入/输出
：芯片使能1
：片选2
：写使能
：电源
：地面
备注
请参阅
封装图纸
为1针标志。
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数据表M10693EJ9V0DS
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