【数据表MOS集成电路PD432232L2M- BIT的CMOS同步快速SRAM64K - WORD 】,IC型号UPD432232LGF-A8,UPD432232LGF-A8 PDF资料,UPD432232LGF-A8经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS集成电路

PD432232L

2M- BIT的CMOS同步快速SRAM

64K - WORD 32位

流水线操作

描述

该

PD432232L是制造与先进的CMOS技术65536字由32位同步静态RAM

使用N型沟道四晶体管存储器单元。

该

PD432232L集成了独特的同步外围电路， 2比特的数据串计数器和输出缓冲器以及

SRAM的核心。所有输入寄存器由单个时钟输入（CLK）的上升沿来控制。

该

PD432232L是合适的应用程序需要同步操作，高速，低电压，高

密度和宽的位配置，如高速缓存和缓冲存储器。

ZZ必须低设定的正常运转。当ZZ被设置为高， SRAM进入掉电状态

（ “睡眠” ）。在“休眠”状态时， SRAM的内部状态被保留。当ZZ置为低电平一遍， SRAM简历

正常操作。

该

PD432232LGF被打包在100引脚塑料LQFP封装与高密度和低1.4 mm封装厚度

容性负载。

特点

3.3 V （片） / 3.3V或2.5V （ I / O）供电

同步操作

内部自定时写控制

突发读/写：交错突发和线性突发

顺序

完全注册的输入和输出流水线

手术

所有寄存器触发时钟上升沿

单周期取消时序

3.3 V或2.5 V LVTTL兼容：所有输入和

输出

快速时钟存取时间： 5纳秒/ 100 MHz的7 NS / 83

兆赫，为8 ns / 66 MHz的

异步输出使能： / G

突发序列可选：MODE

睡眠模式： ZZ （ ZZ =开或低：正常运行）

单独的字节写使能： / BW1 - / BW4 ， / BWE

全局写使能： / GW

三芯片使易于扩展的深度

通用I / O采用三态输出

订购信息

产品型号

存取时间

5纳秒

7纳秒

8纳秒

时钟频率

100兆赫

83兆赫

66兆赫

包

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

PD432232LGF-A5

PD432232LGF-A7

PD432232LGF-A8

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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件M12180EJ6V0DSJ1 （第6版）

发布日期2000年11月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1996

PD432232L

引脚配置（标记侧）

/ xxx表示低电平有效的信号。

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

[

PD432232LGF ]

/ BWE

/BW4

/BW3

/BW2

/BW1

/ ADV

/CE2

/ GW

CLK

CE2

V

DD

V

SS

/ AC

/ CE

/ AP

A6

A7

A8

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

NC

I/O17

I/O18

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O19

I/O20

I/O21

I/O22

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O23

I/O24

NC

V

DD

NC

V

SS

I/O25

I/O26

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O27

I/O28

I/O29

I/O30

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O31

I/O32

NC

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

NC

I/O16

I/O15

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O10

I/O9

V

SS

NC

V

DD

ZZ

I/O8

I/O7

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O2

I/O1

NC

模式

NC

A5

A4

A3

A2

A1

A0

V

DD

V

SS

NC

A10

A11

A12

A13

A14

备注

请参阅

封装图

为1针索引标记。

2

数据表M12180EJ6V0DS

A15

NC

A9

/G

PD432232L

PIN码识别

符号

A0 - A15

I / O1 - I / O32

PIN号

37, 36, 35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81, 44, 45,

46, 47, 48, 49

52, 53, 56, 57, 58, 59, 62, 63, 68, 69, 72, 73,

74, 75, 78, 79, 2, 3, 6, 7, 8, 9, 12, 13, 18, 19,

22, 23, 24, 25, 28, 29

83

84

85

98, 97, 92

93, 94, 95, 96, 87

88

86

89

31

描述

同步地址输入

同步数据中，

同步/异步数据输出

同步突发地址提前输入

同步地址状态处理器输入

同步地址状态控制器输入

同步芯片使能输入

同步字节写使能输入

全球同步写输入

异步输出使能输入

时钟输入

异步突发序列选择输入

在正常操作期间不改变状态

/ ADV

/ AP

AC

/ CE ， CE2 ， / CE2

/ BW1 - / BW4 ， / BWE

/ GW

/G

CLK

模式

ZZ

V

DD

V

SS

V

DD

Q

V

SS

Q

NC

64

15, 41, 65, 91

17, 40, 67, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

5, 10, 21, 26, 55, 60, 71, 76

1, 14, 16, 30, 38, 39, 42, 43, 50, 51, 66, 80

异步掉电状态输入

电源

地

输出缓冲器电源

输出缓冲地

无连接

数据表M12180EJ6V0DS

3

PD432232L

框图

16

A0 - A15

模式

/ ADV

CLK

/ AC

/ AP

/BW1

/BW2

/BW3

/BW4

/ BWE

/ GW

/ CE

CE2

/CE2

/G

4

32

I / O1 - I / O32

ZZ

掉电控制

启用

注册

使能延迟

注册

输入

注册

16

A0, A1

14

16

地址

注册

A1’

二季度

计数器

逻辑

A0’

CLR

Q0

1个字节

写注册

2字节

写注册

BYTE 3

写注册

4个字节

写注册

8

1个字节

写入驱动器

2字节

写入驱动器

BYTE 3

写入驱动器

4个字节

写入驱动器

32

ROW & COLUMN

解码器

存储矩阵

1024行

64

×

32列

（ 2,097,152位）

32

产量

注册

产量

卜FF器

突发序列

交错突发序列表（ MODE =打开或V

DD

)

外部地址

第一个突发地址

第二届突发地址

第三突发地址

A15 - A2, A1, A0

A15 - A2, A1, /A0

A15 - A2, /A1, A0

A15 - A2, /A1, /A0

线性突发序列表（ MODE = V

SS

)

外部地址

第一个突发地址

第二届突发地址

第三突发地址

A15 - A2, 0, 0

A15 - A2, 0, 1

A15 - A2, 1, 0

A15 - A2, 1, 1

A15 - A2, 0, 1

A15 - A2, 1, 0

A15 - A2, 1, 1

A15 - A2, 0, 0

A15 - A2, 1, 0

A15 - A2, 1, 1

A15 - A2, 0, 0

A15 - A2, 0, 1

A15 - A2, 1, 1

A15 - A2, 0, 0

A15 - A2, 0, 1

A15 - A2, 1, 0

4

数据表M12180EJ6V0DS

PD432232L

异步真值表

手术

读周期

写周期

取消

/G

L

H

X

I / O

DOUT

高阻

高阻，DIN

高阻

备注

X表示“不关心”。

同步真值表

手术

取消

记

/ CE

H

L

X

H

X

H

L

X

H

X

H

CE2

X

L

X

L

X

H

X

H

X

/CE2

X

H

X

H

L

X

L

X

/ AP

X

L

H

L

H

X

H

X

H

X

H

X

/ AC

L

X

L

X

L

H

L

H

/ ADV

X

L

H

X

L

H

/ WRITE

X

H

L

CLK

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

地址

不适用

外

当前

外

当前

读周期/突发开始

读周期/继续爆发

读周期/暂停突发

写周期/贝京突发

写周期/继续突发

写周期/暂停突发

记

取消选中状态一直保持到新的“开始连拍”条目。

备注1 。

X表示“不关心”。

2.

/ WRITE = L是指任何一个或多个字节写使能（ / BW1 ， / BW 2 ， / BW3或/ BW4 ）和/ BWE是

LOW或/ GW低。

/ WRITE = H表示以下两种情况。

（ 1 ） / BWE和/ GW是HIGH 。

（ 2 ） / BW1 ， / BW2 ， / BW3 ， / BW4和/ GW高，和/ BWE低。

数据表M12180EJ6V0DS

5