【数据表MOS集成电路PD431636L1M - BIT的CMOS同步快速SRAM32K - WORD】,IC型号UPD431636LGF-A7,UPD431636LGF-A7 PDF资料,UPD431636LGF-A7经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS集成电路

PD431636L

1M - BIT的CMOS同步快速SRAM

32K - WORD 36位

流水线操作

描述

该

PD431636L是制造与先进的CMOS技术32,768字由36位同步静态RAM

使用N型沟道四晶体管存储器单元。

该

PD431636L集成了独特的同步外围电路， 2比特的数据串计数器和输出缓冲器以及

SRAM的核心。所有输入寄存器由单个时钟输入（CLK）的上升沿来控制。

该

PD431636L是合适的应用程序需要同步操作，高速，低电压，高

密度和宽的位配置，如高速缓存和缓冲存储器。

ZZ必须低设定的正常运转。当ZZ被设置为高， SRAM进入掉电状态（ “睡眠”）。

在“休眠”状态时， SRAM的内部状态被保留。当ZZ置为低电平一遍， SRAM恢复正常

操作。

该

PD431636LGF被打包在100引脚塑料LQFP封装与高密度和低1.4 mm封装厚度

容性负载。

特点

3.3 V （片） / 3.3 V或2.5 V （ I / O）供电

同步操作

内部自定时写控制

突发读/写：交错突发和线性突发序列

完全注册的输入和输出的流水线操作

所有寄存器触发时钟上升沿

单周期取消时序

3.3 V或2.5 V LVTTL兼容：所有输入和输出

快速时钟存取时间： 4.6纳秒（ 150兆赫）， 5纳秒（ 133兆赫）

异步输出使能： / G

突发序列可选：MODE

睡眠模式： ZZ （ ZZ =开或低：正常运行）

单独的字节写使能： / BW1 - / BW4 ， / BWE

全局写使能： / GW

三芯片使易于扩展的深度

通用I / O采用三态输出

订购信息

产品型号

存取时间

4.6纳秒

5.0纳秒

时钟频率

150兆赫

133兆赫

包

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

PD431636LGF-A6

PD431636LGF-A7

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供应及其他信息。

一号文件M12179EJ6V0DS00 （第6版）

发布日期1999年12月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1996

PD431636L

引脚配置（标记侧）

/ xxx表示低电平有效的信号。

100 - pin塑料LQFP （ 14 ×20 ）

[

PD431636LGF ]

/ BWE

/BW4

/BW3

/BW2

/BW1

/ ADV

/CE2

/ GW

CE2

CLK

V

DD

V

SS

/ AC

/ CE

/ AP

A6

A7

A8

100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81

I/OP3

I/O17

I/O18

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O19

I/O20

I/O21

I/O22

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O23

I/O24

NC

V

DD

NC

V

SS

I/O25

I/O26

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O27

I/O28

I/O29

I/O30

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O31

I/O32

I/OP4

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

I/OP2

I/O16

I/O15

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O14

I/O13

I/O12

I/O11

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O10

I/O9

V

SS

NC

V

DD

ZZ

I/O8

I/O7

V

DD

Q

V

SS

Q

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

V

SS

Q

V

DD

Q

I/O2

I/O1

I/OP1

NC

A10

A11

A12

A13

模式

备注

请参阅

封装图

为1针索引标记。

2

数据表M12179EJ6V0DS00

A14

V

SS

V

DD

NC

A5

A4

A3

A2

A1

A0

A9

/G

PD431636L

PIN码识别

符号

A0 - A14

I / O1 - I / O32

PIN号

37, 36, 35, 34, 33, 32, 100, 99, 82, 81,

44, 45, 46, 47, 48

描述

同步地址输入

52 ， 53 ， 56 ， 57 ， 58 ， 59 ， 62 ， 63 ， 68 ， 69 ， 72 ，同步数据中，

73 ，74， 75 ，78， 79 ， 2，3， 6，7， 8，9， 12，13，同步/异步数据输出

18, 19, 22, 23, 24, 25, 28, 29

51, 80, 1, 30

同步数据在（奇偶校验），

同步/异步数据输出（奇偶校验）

I / OP1 - I / OP4

/ ADV

/ AP

/ AC

/ CE ， CE2 ， / CE2

83

84

85

98, 97, 92

同步突发地址提前输入

同步地址状态处理器输入

同步地址状态控制器输入

同步芯片使能输入

同步字节写使能输入

全球同步写输入

异步输出使能输入

时钟输入

异步突发序列选择输入

在正常操作期间不改变状态

/ BW1 - / BW4 ， / BWE 93 ， 94 ， 95 ， 96 ， 87

/ GW

/G

CLK

模式

88

86

89

31

ZZ

V

DD

V

SS

V

DD

Q

V

SS

Q

NC

64

15, 41, 65, 91

17, 40, 67, 90

4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77

5, 10, 21, 26, 55, 60, 71, 76

14, 16, 38, 39, 42, 43, 49, 50, 66

异步掉电状态输入

电源

地

输出缓冲器电源

输出缓冲地

无连接

数据表M12179EJ6V0DS00

3

PD431636L

框图

A0 - A14

模式

/ ADV

CLK

/ AC

/ AP

/BW1

/BW2

/BW3

/BW4

/ BWE

/ GW

/ CE

CE2

/CE2

/G

4

I / O1 - I / O32

I / OP1 - I / OP4

ZZ

36

掉电控制

启用

注册

使能延迟

注册

输入

注册

15

地址

注册

15

A0, A1

13

15

二季度

A1’

计数器

逻辑

CLR

Q0

A0’

1个字节

写注册

2字节

写注册

BYTE 3

写注册

4个字节

写注册

9

1个字节

写入驱动器

2字节

写入驱动器

BYTE 3

写入驱动器

4个字节

写入驱动器

36

ROW & COLUMN

解码器

存储矩阵

512行

64

×

36列

（ 1,179,648位）

36

产量

注册

产量

卜FF器

突发序列

交错突发序列表（ MODE =打开或V

DD

)

外部地址

第一个突发地址

第二届突发地址

第三突发地址

A14 - A2, A1, A0

A14 - A2, A1, /A0

A14 - A2, /A1, A0

A14 - A2, /A1, /A0

线性突发序列表（ MODE = V

SS

)

外部地址

第一个突发地址

第二届突发地址

第三突发地址

A14 - A2, 0, 0

A14 - A2, 0, 1

A14 - A2, 1, 0

A14 - A2, 1, 1

A14 - A2, 0, 1

A14 - A2, 1, 0

A14 - A2, 1, 1

A14 - A2, 0, 0

A14 - A2, 1, 0

A14 - A2, 1, 1

A14 - A2, 0, 0

A14 - A2, 0, 1

A14 - A2, 1, 1

A14 - A2, 0, 0

A14 - A2, 0, 1

A14 - A2, 1, 0

4

数据表M12179EJ6V0DS00

PD431636L

异步真值表

手术

读周期

写周期

取消

/G

L

H

X

I / O

DOUT

高阻

高阻，DIN

高阻

备注

X表示“不关心”。

同步真值表

手术

取消

记

/ CE

H

L

X

H

X

H

L

X

H

X

H

CE2

X

L

X

L

X

H

X

H

X

/CE2

X

H

X

H

L

X

L

X

/ AP

X

L

H

L

H

X

H

X

H

X

H

X

/ AC

L

X

L

X

L

H

L

H

/ ADV

X

L

H

X

L

H

/ WRITE

X

H

L

CLK

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

L

→

H

地址

不适用

外

当前

外

当前

读周期/突发开始

读周期/继续爆发

读周期/暂停突发

写周期/贝京突发

写周期/继续突发

写周期/暂停突发

记

取消选中状态一直保持到新的“开始连拍”条目。

备注1 。

X表示“不关心”。

2.

/ WRITE = L是指任何一个或多个字节写使能（ / BW1 ， / BW 2 ， / BW3或/ BW4 ）和/ BWE是低

或/ GW低。

/ WRITE = H表示以下两种情况。

（ 1 ） / BWE和/ GW是HIGH 。

（ 2 ） / BW1 ， / BW2 ， / BW3 ， / BW4和/ GW高，和/ BWE低。

数据表M12179EJ6V0DS00

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