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数据表
PD42S18165L , 4218165L
3.3 V工作电压16 M位动态RAM
1 m字×16位, EDO ,字节读/写模式
MOS集成电路
描述
PD42S18165L , 4218165L有1,048,576字×16位CMOS动态RAM可选EDO 。
EDO是一种在网页的模式,对于读操作是有用的。
此外,该
PD42S18165L可以RAS自刷新之前执行CAS 。
PD42S18165L , 4218165L封装在50引脚塑料TSOP ( II)和42引脚塑料SOJ 。
特点
EDO (超页模式)
1,048,576字×16位的组织
单+ 3.3V
±0.3
V电源
快速访问和周期时间
耗电量
主动( MAX 。 )
612毫瓦
540毫瓦
504毫瓦
存取时间
( MAX 。 )
50纳秒
60纳秒
70纳秒
R / W周期时间
(分)
84纳秒
104纳秒
124纳秒
EDO (超页模式)
周期时间(min 。 )
20纳秒
25纳秒
30纳秒
产品型号
PD42S18165L - A50 , 4218165L -A50
PD42S18165L - A60 , 4218165L - A60
PD42S18165L - A70 , 4218165L - A70
PD42S18165L可以RAS自刷新之前执行CAS
功耗待机
( MAX 。 )
0.54毫瓦
( CMOS电平输入)
产品型号
刷新周期
1024次/ 128毫秒
刷新
CAS RAS自刷新之前,
CAS RAS刷新之前,
RAS只刷新,刷新隐藏
PD42S18165L
PD4218165L
1024次/ 16毫秒
CAS RAS刷新之前,
RAS只刷新,
隐藏刷新
1.8毫瓦
( CMOS电平输入)
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件M10562EJ8V0DS00 (第8版)
发布日期1997年一月
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1995
PD42S18165L , 4218165L
订购信息
存取时间
( MAX 。 )
50纳秒
60纳秒
70纳秒
50纳秒
60纳秒
70纳秒
50纳秒
60纳秒
70纳秒
50纳秒
60纳秒
70纳秒
42引脚塑料SOJ
( 400 MIL )
50引脚塑料TSOP ( II )
( 400 MIL )
CAS前RAS刷新
RAS只刷新
隐藏刷新
42引脚塑料SOJ
( 400 MIL )
产品型号
50引脚塑料TSOP ( II )
( 400 MIL )
刷新
CAS前RAS自刷新
CAS前RAS刷新
RAS只刷新
隐藏刷新
PD42S18165LG5-A50-7JF
PD42S18165LG5-A60-7JF
PD42S18165LG5-A70-7JF
PD42S18165LLE-A50
PD42S18165LLE-A60
PD42S18165LLE-A70
PD4218165LG5-A50-7JF
PD4218165LG5-A60-7JF
PD4218165LG5-A70-7JF
PD4218165LLE-A50
PD4218165LLE-A60
PD4218165LLE-A70
2
PD42S18165L , 4218165L
销刀豆网络gurations
(标记侧)
50引脚塑料TSOP ( II ) ( 400万)
42引脚塑料SOJ ( 400万)
V
CC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
GND
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
V
CC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
V
CC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
NC
NC
WE
RAS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
GND
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
GND
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
PD42S18165LLE
PD4218165LLE
PD42S18165LG5-7JF
PD4218165LG5-7JF
11
40
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
GND
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A0到A9
I / O1到I / O16
RAS
UCAS
LCAS
WE
OE
V
CC
GND
NC
:地址输入
:数据输入/输出
:行地址选通
:列地址选通(上部)
:列地址选通(低级)
:写使能
:输出使能
:电源
:地面
:无连接
3
PD42S18165L , 4218165L
框图
RAS
LCAS
UCAS
WE
字节
控制
数据
产量
卜FF器
I/O1
to
I/O8
(低字节)
OE
时钟发生器
字节
控制
V
CC
GND
CAS前
RAS计数器
行解码器
数据
输入
卜FF器
内存
CELL
ARRAY
1,024
A0
to
A9
ROW
地址
卜FF器
COLUMN
地址
卜FF器
X0为X9
1,024
×
1,024
×
16
1,024
×
16
数据
产量
卜FF器
×
16
I/O9
to
I/O16
(高字节)
数据
输入
卜FF器
Y0到Y9
检测放大器
1,024
列解码器
4
PD42S18165L , 4218165L
输入/输出引脚功能
PD42S18165L , 4218165L有输入引脚RAS , CAS
, WE ,OE A0到A9和输入/输出引脚的I / O1到
I/O16.
引脚名称
RAS
(行地址选通)
输入/输出
输入
功能
RAS由锁存行地址,并选择一个激活的读出放大器
相应的字线。
它刷新由行地址选择的一个行的存储单元阵列。
它还选择以下功能。
RAS刷新之前CAS
CAS
(列地址选通)
A0到A9
(地址输入)
CAS号由锁存列地址激活数据输入/输出电路和
选择一个位线与读出放大器相连。
地址总线。
地址信号的输入总的20位,上10位和低序10位
(地址复用方法) 。
因此,一个字由1048576字选择16位的存储单元
数组。
在实际操作中,通过指定行地址锁存器的行地址和
激活RAS 。
然后,切换地址总线为列地址并激活CAS 。
每个地址被取入装置,当RAS和CAS被激活。
因此,在地址输入建立时间(t
ASR
, t
ASC
)和保持时间(T
RAH
, t
CAH
)
被指定为RAS和CAS的激活。
WE
(写使能)
OE
( OUTPUT ENABLE )
写控制信号。
写操作是通过激活RAS , CAS和WE执行。
读控制信号。
读操作可以通过激活RAS , CAS和OE执行。
如果我们正在读操作期间被激活, OE为是无效的装置。
因此,读操作不能被执行。
I / O1到I / O16
(数据输入/输出)
输入/输出
16位数据总线。
I / O1到I / O16是用于输入/输出数据。
CAS是指UCAS和LCAS 。
5
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