数据表
PD30700,30700L,30710
V
R
10000
TM
, V
R
12000
TM
64位微处理器
MOS集成电路
描述
该
PD30700和30700L （V
R
10000 ）及
PD30710 （V
R
12000 ）是NEC的V新成员
R
系列
TM
RISC
（精简指令集计算机）微处理器。这些新的高性能64位微处理器应用
由MIPS开发出一种新的RISC架构
TM
，安第斯山脉
TM
体系结构。
在V
R
10000和V
R
12000顷设计的高性能计算机来使用，并实现相当
通过一个超标量流水线的工作更高的处理速度。
备注
恩利：建筑与非连续的动态执行调度
这些微处理器的功能进行了详细的在下面的手册中描述。请务必阅读这些
在设计系统时使用手册。
V
R
10000, V
R
12000用户手册
： U10278E
V
R
5000
TM
, V
R
10000用户手册 - 指令： U12754E
特点
MIPS 64位RISC架构
高速运算处理
超标量流水线并行执行五个指令
＆ LT ; V
R
10000>
14SPECint95 ， 23SPECfp95
＆ LT ; V
R
12000>
17SPECint95 ， 27SPECfp95
工作频率
＆ LT ; V
R
10000>
内部： 250 MHz的最大。
外部： 250 MHz的最大。
外部/内部的倍频系数选择
1至4
＆ LT ; V
R
12000>
内部： 300 MHz的最大。
外部： 150 MHz的最大。
外部/内部的倍频系数选择
2至10个
指令
项）
用v向上兼容
R
4000
TM
,
V
R
4200
TM
和V
R
4400
TM
（符合MIPS -I / II / III / IV ）
高速转换后备缓冲器（TLB ） （ 64双
地址空间
物理： 40位
虚拟： 44位
多处理器功能
最多四个巴士集群的连接都可以连接。
浮点单元（ FPU ）
电源电压
一级高速缓冲存储器（ 32K字节，每个指令<V的
R
10000>
和数据，2路组相联）
V
DD
= 3.3 V
±0.165
V (
PD30700)
二级高速缓冲存储器接口
128位二级缓存接口
SSRAM接口（V
R
10000 ： 250兆赫MAX ，V 。
R
12000:
200 MHz的MAX 。 ）
支持高达16M字节
V
DD
= 2.6 V
±0.1
V (
PD30700L)
＆ LT ; V
R
12000>
V
DD
= 2.6 V
±0.1
V (
PD30710)
除非另外指明，在V
R
10000被视为在本文档中的代表模型。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
日期编号U12703EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年6月 CP （ K）
日本印刷
1998
MIPS科技公司1998年
PD30700,30700L,30710
引脚配置
599引脚的陶瓷LGA
PD30700RS-180
PD30700RS-200
PD30700LRS-225
PD30700LRS-250
PD30710RS-300
顶视图
AR
AP
AN
AM
AL
AK
AJ
AH
AG
AF
AE
AD
AC
AB
AA
Y
W
V
U
T
R
P
N
M
L
K
J
H
G
F
E
D
C
B
A
35 33 31 29 27 25 23 21 19 17 15 13 11 9 7 5 3 1
34 32 30 28 26 24 22 20 18 16 14 12 10 8 6 4 2
底部视图
1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34
指数
3
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