数据表
MOS集成电路
PD16837
单芯片4通道H桥驱动器
描述
该
PD16837是单片四H桥驱动器使用的功率MOS FET的输出级。在MOS场效应管
在输出级降低饱和电压和功率消耗，与使用双极性的传统驱动器相比
晶体管。
此外，低电压误动作防止电路还设置了防止IC的误时
在电源电压下降。 30引脚塑料收缩SOP封装被用来帮助创建紧凑和超薄应用程序集。
在输出级中的H桥电路，两个低导通电阻的H桥，用于驱动致动器的电路，和另外两个
设置信道，用于驱动滑架马达和加载电机，从而使得该产品特别适用于CD- ROM中的应用程序
和DVD 。
特点
四个H桥电路采用功率MOS场效应管
高速PWM驱动器：工作频率： 120 kHz的最大。
低电压误动作防止电路：工作电压： 2.5 V （ TYP 。 ）
30针收缩SOP （ 300万）
订购信息
产品型号
包
30引脚塑封SSOP （ 300万）
PD16837GS
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
参数
控制模块的电源电压
输出模块电源电压
输入电压
H桥驱动电流
注1
功耗
注2
工作温度范围
峰值结温
存储温度范围
符号
V
DD
V
M
V
IN
I
DR （脉冲）
P
T
T
A
T
CH（ MAX）的
T
英镑
PW
≤
5毫秒，占空比
≤
30 %
条件
等级
-0.5到+7.0
-0.5至+15
-0.5到V
DD
+ 0.5
±1.0
1.25
0-75
150
-55到+150
单位
V
V
V
A /期
W
°C
°C
°C
注意事项1 。
当只有一个通道进行操作。
2.
当安装在玻璃环氧基板（100厘米
×
100 mm
×
1 mm)
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件S12764EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年1月 CP （ K）
日本印刷
1998
PD16837
电气特性（T
A
= 25
°
C)
T
A
= 25
°
C和其它参数是其推荐的工作范围内时，如上所述
除非另有规定ED 。
比变化的延迟时间等的参数是当电流接通。
ch1的， ch4的图1A ，图4A ，1B， 4B输出
参数
上升时间
瑞星延迟时间
变化中的上升延迟时间
下降时间
下降延时
改变下降的延迟时间
符号
t
TLHb
t
PLHB
V
DD
= 5 V
V
M
= 12 V
10
在100千赫
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
200
350
110
200
350
130
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
PLHB
t
THLB
t
PHLB
t
PHLB
ch1的， ch4的图1A -1B ，图4A -4B
参数
上升延迟时间差
下降延迟时间差
符号
t
艾滋病感染者（A -B ）
t
PHLA （A -B ）
条件
V
DD
= 5 V, V
M
= 12 V
10
在100千赫
分钟。
典型值。
马克斯。
50
50
单位
ns
ns
引脚配置
IN
1
1
IN
2
2
SEL
1
3
DGND 4
输出块CH 1
1A 5
PGND1 6
1B 7
V
M1
8
2A 9
PGND2 10
输出块CH 2
2B 11
V
M2
12
IN
3
13
IN
4
14
SEL
2
15
30 SEL4
29
8
28
7
27 V
M4
26 4B
25 PGND4
24 4A
23 V
M3
22 3B
21 PGND3
20 3A
19 V
DD
18 SEL
3
17年
6
16
5
输出块CH 3
输出块CH 4
3
QQ：2880707522 复制
