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数据表
MOS集成电路
PD16823
单片H桥驱动器
描述
这种集成电路是单片H桥驱动器采用一个水平的N沟道功率MOS场效应管其驱动级。
它设置有正向/反向和制动功能,是一种理想的驱动电路的电机卷绕或
回卷胶卷的照相机,或一个马达,用于移动透镜。
特点
高驱动电流
I
DR1
= 0.5 A ( DC)
I
DR2
= 1 :在PW
200毫秒,占空比
50%
I
DR3
= 3答:在PW
200毫秒,单脉冲
1.5ch H桥电路
低导通电阻(顶部和底部的FET的导通电阻之和)
R
ON
= 0.6
TYP 。在我
DR
= 0.5 A
待机功能熄灭电荷泵电路
低电压驱动( 2.5 V MIN 。 )
表面贴装微型模具封装: 20引脚塑料SOP ( 300万)
订购信息
产品型号
20引脚塑料SOP ( 300万)
PD16823GS
框图
C
1
V
DD
C
2
C
3
外部用电容器C
1
到C
3
: 10 nF的
外部电容C
4
:
1至10个
F
V
M
OSC
电路
STBY
IN
1
IN
2
IN
3
下拉
电阻:
50 k
控制
电路
收费
电路
OUT
1
水平
电路
LDMOS
H桥
电路
OUT
2
OUT
3
电机1
电机2
LGND
保护地
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件S12721EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期1997年八月
日本印刷
1997
PD16823
引脚配置
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
C
2L
C
1H
C
1L
V
M
OUT
2
V
M
V
DD
IN
2
IN
3
IN
1
C
2H
V
G
STBY
OUT
3
保护地
OUT
1
保护地
NC
DGND
NC
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
内部连接
V
M
SW
1
负载
1
前锋
OUT
1
SW
2
负载
1
SW
3
负载
2
前锋
OUT
2
SW
4
负载
2
SW
5
OUT
3
SW
6
OUT
1
通过OUT
3
是输出管脚。
GND
功能表
输入信号
IN
1
L
L
L
H
H
H
×
×
IN
2
H
L
H
H
L
H
L
×
IN
3
L
H
H
L
H
H
L
×
STBY
H
H
H
H
H
H
H
L
电路工作原理
1路正向模式
1路反向模式
1 CH制动模式
2 CH转发模式
2 CH反向模式
2 CH制动模式
STOP模式
待机模式
开启/关闭电荷泵
SW
1
SW
3
SW
2
(二
2
)
SW
3
SW
5
SW
4
(二
4
)
CURRENT PATH
●负载
1
●负载
1
●负载
1
●负载
2
●负载
2
●负载
2
SW
4
SW
2
SW
4
SW
6
SW
4
SW
6
2
PD16823
绝对最大额定值(T
A
= 25
°
C)
参数
(正)电源电压
符号
V
DD
条件
当电荷泵
当电荷泵不工作
V
M
栅极驱动电压
输入电压
H桥驱动电流
正面: MOS输出级正向电流
负:输出级二极管电流
功耗
工作温度
结温
储存温度
P
D
T
A
T
J(下PEAK )
T
英镑
V
G
V
IN
I
DR
DC
PW
200毫秒,占空比
50%
PW
200毫秒,单脉冲
评级
-0.5到+6.5
-0.5到+8.0
-0.5到+8.0
15
-0.5到V
DD
+ 0.5
±0.5
±1.0
±3.0
1.0
-30至+60
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
推荐工作条件(T
A
= 25
°
C)
参数
(正)电源电压
符号
V
DD
条件
当电荷泵
当电荷泵不工作
V
M
栅极驱动电压
结温
V
G
T
J(下PEAK )
评级
2.5 6.0
2.5到7.5
-0.5到+7.5
11 14
125
单位
V
V
V
V
°C
电气特性(T
A
= –30
°
C至+60
°
C)
参数
V
DD
引脚电流
符号
I
DD1
I
DD2
V
M
引脚电流
I
M
条件
V
DD
= 5 V ,所有的控制引脚为高电平
V
DD
= 5 V ,所有的控制引脚为低电平
T
A
= 25
°C,
所有的控制引脚为低电平
所有的控制引脚为低电平
导通电阻的H桥
控制引脚高电平输入电压
控制引脚低电平输入电压
电荷泵电路关断时间
H桥电路的导通时间
H形桥式电路关断时间
再生二极管压降
控制引脚的输入下拉电阻
R
ON
V
IH
V
IL
t
ONC
t
ONH
t
OFFH
V
F
R
IN
I
F
= 0.5 A
25
1.0
50
75
V
DD
= V
M
= 5 V
C
1
= C
2
= C
2
- 10 nF的
I
DR
= 0.5 A
5.0
I
DR
= 0.5 A ,V
DD
= V
M
= 5 V ,T
A
= 25
°C
V
DD
×
0.6
V
DD
×
0.2
1.0
10
0.6
分钟。
典型值。
马克斯。
2.0
10
1.0
10
0.8
单位
mA
A
A
A
V
V
ms
s
s
V
k
3
PD16823
典型特征(T
A
= 25
°
C)
P
T
与T
A
特征
1.2
1.0
V
DD
引脚电流I
DD
(MA )
总功耗P
T
(W)
I
DD
与V
DD
特征
1.6
所有控制引脚:H级
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.8
0.4
25
50
75
100
125
150
0
2
4
电源电压V
DD
(V)
6
8
环境温度T
A
(C)
I
G
与V
G
特征
40
35
门电流I
G
(
A)
导通电阻R H桥
ON
()
R
ON
与V
G
特征
1.2
V
DD
= 5 V
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
DD
= 5 V
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
10
11 12
13 14
15
5
10
15
门应用评价电压V
G
(V)
栅极施加电压V
G
(V)
R
ON
与T
A
特征
0.8
导通电阻R H桥
ON
()
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
–40
–20
0
20
I
DR
= 0.5 A
V
DD
= V
M
= 5 V
40
60
80
环境温度T
A
(C)
4
V
M
= 0.5 7.5 V
应用电路图
C
1
= C
2
= C
3
- 10 nF的
直流 - 直流
变流器
电池
V
DD
= 3.0 6.0 V
C
1
C
2
C
3
V
DD
7
2
3
20
1
V
G
19
V
M
6
STBY 18
OSC
电路
电荷泵电路
19
V
M
C
4
1至10个
F
中央处理器
IN
1
10
IN
2
IN
3
8
9
控制
电路
电平转换
电路
MOS FET
H桥
电路
( 1.5电路)
15
5
17
OUT
1
OUT
2
OUT
3
M
M
下拉
电阻: 50 kΩ的TYP 。
12
14, 16
保护地
PD16823GS
DGND
IN
1
L
H
IN
2
H
L
H
L
H
建议在连接外部
IN
3
L
H
L
H
110中的电容
F V之间
M
接地保护为D MOS FET的栅极
从电压浪涌。
PD16823
1CH
1CH
正向模式反向模式
1CH
制动方式
2CH
转发模式
2CH
反向模式
2CH
制动方式
该应用电路及其参数仅供参考,并不用于实际设计的插件使用。
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPD16823
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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