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初步
数据表
PD166019T1F
单P沟道高侧智能功率器件
描述
R07DS0730EJ0100
Rev.1.00
2012年4月25日
PD166019
设备与诊断反馈和嵌入式保护功能的P沟道高侧开关。
由于采用P沟道输出开关的这个装置剂量不包含电荷泵电路和切换时间
通过可控的至IN引脚上的外部性。
特点
低噪声无内置电荷泵
低通态电阻: 13.5 m
短路保护
关闭由短路检测
过温保护
关闭与冷却自动重启
接地保护缺失
小的多芯片封装: JEDEC 5引脚TO- 252
内置诊断功能
如果通过IN引脚热关断和/或短路停机的定义故障信号。
订购信息
产品型号
PD166019T1F-E1-AY
*
1
注意:
铅电镀
Sn
填料
带2500 P /卷
5引脚TO -252 ( MP- 3ZK )
*1
无铅(此产品不包含铅,在外部电极)。
应用
灯泡( 65瓦)开关
所有类型的14伏直流接地负载,如电感,电阻和电容的开关
更换保险丝和继电器
注:本文中包含的信息发布文档时获得的一个,
可能会有所变动。
R07DS0730EJ0100 Rev.1.00
2012年4月25日
第16页1
PD166019T1F
初步
框图
V
CC
国内
动力
供应
关SW
电流检测
V
IN
控制
逻辑
温度
传感器
低电压(开放)探测器
当前
探测器
输出电压
探测器
V
on
V
CC
OUT
I
L
R
L
V
OUT
ESD
IN
R
IN
GND
负载GND
管脚配置
TAB
1 2 3 4 5
V
CC
OUT V
CC
在GND
( TOP VIEW )
引脚功能
PIN号
1
2
3/Tab
4
5
注意:
引脚名称
V
CC
IN
OUT
GND
V
CC
功能
电源电压: 1脚和5必须在外部连接
输入:通过激活输出MOSFET的直接驱动功率开关
输出负载: Tab键和3脚内部连接
接地引脚
电源电压: 1脚和5必须在外部连接
在必要的情况下通过钎焊桥到V消除销毁
CC
:引脚# 5 ,插入一个电阻R
GND
(推荐1 k最大值) GND引脚和系统地之间。在这种条件下,电流的缺陷进行到IN引脚。
IN
建议2 k分钟。
GND至IN电流= (R
GND
1毫安 - 0.6 V) / R
IN
R07DS0730EJ0100 Rev.1.00
2012年4月25日
第16页2
PD166019T1F
初步
绝对最大额定值
( TA = 25℃ ,除非另有规定)
V
CC
电压
V
CC
电压为充分短路
电路保护
V
CC
电压(抛负载)
负载电流
(短路电流)
功耗
雪崩电流
通道温度
储存温度
放电能力
(人体模型)
输入电压
输入电流
符号
V
CC1
V
CC2
V
CC3
I
L( SC )
P
D
I
AS
T
ch
T
英镑
V
ESD
V
IN
I
IN
等级
28
18
40
自我限制
59
34
-40到+150
-55到+150
2.0
0到28
–1.0
单位
V
V
V
A
W
A
°C
°C
kV
V
mA
TC = 25°C
L = 100
H
测试条件
R
1
= 1
,
R
L
= 1.5
,
t
d
= 400毫秒,
IN =低或高
AEC- Q100-022性病
R = 1.5 kΩ的,C = 100 pF的
IN引脚,V
IN
V
CC
, V
CC
参考:1分钟
IN引脚
推荐工作条件
电源电压
符号
V
CC
分钟。
7
典型值。
马克斯。
16
单位
V
测试条件
T
ch
= -40 150℃
热特性
热阻
符号
R
第(章-a)的
分钟。
典型值。
45
马克斯。
55
单位
° C / W
测试条件
设备上50毫米
50 mm
1.5 mm
环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
70
m
铜区
R07DS0730EJ0100 Rev.1.00
2012年4月25日
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PD166019T1F
初步
电气特性
(V
CC
= 12 V ,T
ch
= 25 ° C,除非另有规定编)
低电平输入电流
输入电压导通
输入电压关断
待机电流
输出漏电流
短路电流
导通状态电阻
导通状态电阻
打开延迟时间
关闭延迟时间
上升时间
下降时间
符号
I
IL
V
INON
V
INOFF
I
GNDoff
I
OUTOFF
I
GNDon
R
ON
R
ON2
t
DON
t
DOFF
t
r
t
f
分钟。
4.5
典型值。
10.5
17.5
13.5
23.0
2.2
11.3
4
5
马克斯。
20
1.5
1.0
1.0
1.0
15
1.0
1.5
13.5
23.0
21.0
35.0
10
50
20
20
单位
A
V
V
A
A
A
A
mA
mA
m
m
m
m
s
s
s
s
测试条件
V
IN
= 12 V ,T
ch
= -40 150℃
V
ON
= 0.16 V,I
L
= 7.5 A,V
CC
参考
I
L
1毫安,V
CC
参考
T
ch
= 25°C
V
IN
= 0 V
T
ch
= -40 150℃
T
ch
= 25°C
V
IN
= 0 V
T
ch
= -40 150℃
T
ch
= 25°C
V
IN
= 12 V
T
ch
= -40 150℃
T
ch
= 25°C
V
IN
= 12 V,I
L
= 7.5 A
T
ch
= 150°C
T
ch
= 25°C
V
IN
= 4.5 V,I
L
= 7.5 A
T
ch
= 150°C
R
L
= 2.2
,
R
IN
= 0
,
T
ch
= -40 150℃
保护功能
(V
CC
= 12 V ,T
ch
= 25 ° C,除非另有规定编)
短路检测
当前
符号
I
L7,3(SC)
*
1
I
L9,3(SC)
*
1
I
L12,3(SC)
*
1
I
L16,3(SC)
热关断
温度
热滞
欠压关断
欠电压启动
输出电流故障
条件
注意:
T
th
T
th
V
CIN (紫外)
V
CIN (ST)的
I
OL
分钟。
33
19
42
30
56
42
75
60
150
3.7
180
典型值。
96
67
50
105
96
73
143
130
105
144
131
107
175
14
4.8
5.0
300
马克斯。
135
145
190
190
200
5.7
6.0
单位
A
测试条件
T
ch
= –40°C
V
CC
= 7 V, V
on
3 V
T
ch
= –25C
T
ch
= 150°C
T
ch
= –40°C
V
CC
= 9 V, V
on
3 V
T
ch
= –25C
T
ch
= 150°C
T
ch
= –40°C
V
CC
= 12 V, V
on
3 V
T
ch
= –25C
T
ch
= 150°C
T
ch
= –40°C
V
CC
= 16 V, V
on
3 V
T
ch
= –25C
T
ch
= 150°C
°C
°C
V
V
V
IN
= 7 V, V
CC
= 7 V ,T
ch
= -40 150℃
简历温度: 130 ℃,
*1
不受生产测试,设计规定。
R07DS0730EJ0100 Rev.1.00
2012年4月25日
第16页4
PD166019T1F
初步
功能说明
驱动电路(开关控制)
高侧输出, P沟道MOSFET的导通时,如果在输入电压为比V更高
INON
。高侧输出, P沟道
MOSFET关断时,如果IN输入电压低于V
INOFF
。开关特性是通过调节外部电阻
至IN引脚。
V
CC
V
INOFF
V
INON
V
CC
V
IN
V
OUT
V
CC
逻辑
R
INOFF
IN
100
Ω
门开关:
通常在
关闭
0
ON
关闭
ON
R
INON
t
GND
OUT
开关电阻负载
0
开关灯
0
V
IN
I
L
V
IN
I
L
0
0
V
OUT
V
CC
V
OUT
V
CC
0
t
0
t
开关感性负载
0
V
IN
I
L
0
V
OUT
V
CC
0
t
R07DS0730EJ0100 Rev.1.00
2012年4月25日
第16页5
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