硅RFIC
低电流放大器
移动通信
特点
低电流消耗
I
CC
= 1.9毫安TYP @ V
CC
= 3.0 V
电源电压:
V
CC
= 2.4 3.3 V
卓越的隔离:
ISOL = 39 dB典型值@ F = 1.0 GHz的
ISOL = 40 dB典型值@ F = 1.9 GHz的
ISOL = 38 dB典型值@ F = 2.4 GHz的
功率增益:
G
P
= 11.0分贝TYP @ F = 1.0 GHz的
G
P
= 11.5分贝TYP @ F = 1.9 GHz的
G
P
= 11.5分贝TYP @ F = 2.4 GHz的
工作频率:
0.1 2.4千兆赫(输出端口LC匹配)
1个1dB增益压缩输出功率:
P
O(1 dB为单位)
= -4.0 dBm的典型值@频率为1.0 GHz的
P
O(1 dB为单位)
= -7.0 dBm的典型值@ F = 1.9 GHz的
P
O(1 dB为单位)
= -7.5 dBm的典型值@ F = 2.4 GHz的
高密度表面安装:
6针超级minimold包(2.0× 1.25× 0.9毫米)
低体重:
7毫克(标准值)
+20
UPC8178TB
功率增益与频率
V
CC
= 3.0 V
1.0 GHz的
+10
T
A
= -40°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
0
2.4 GHz的
-10
-20
1.9 GHz的
-30
-40
0.1
0.3
1.0
3.0
描述
该UPC8178TB是硅单片集成电路
设计为一个放大器,用于移动通信。该IC
可以实现低电流消耗与外部芯片
这无法实现对内部50电感
宽带
匹配的IC 。这种低电流放大器工作在3.0 V.这
设备在使用NEC的30千兆赫的fmax UHS0 (制造超
高速加工)硅双极工艺,采用直接
氮化硅钝化膜和金电极。这些
材料可以保护芯片表面不受污染和
防止腐蚀/迁移。因此,该集成电路具有优异perfor-
曼斯,均匀性和可靠性。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
UPC8178TB
S06
单位
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
民
1.4
9.0
9.0
9.0
34
35
33
-8.0
-11.0
-11.5
–
–
–
4
5
6.5
典型值
1.9
11.0
11.5
11.5
39
40
38
-4.0
-7.0
-7.5
5.5
5.5
5.5
7
8
9.5
最大
2.4
13.0
13.5
13.5
–
–
–
–
–
–
7.0
7.0
7.0
–
–
–
应用
缓冲放大器在0.1 2.4 GHz的移动
通信系统
电气特性
产品型号
包装外形
符号
I
CC
G
P
功率增益
ISOL
隔离
P
O(1dB)
1分贝增益压缩输出功率
NF
噪声系数
RLIN
输入回波损耗
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
参数和条件
1
短路电流(无信号)
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
(T
A
= 25 ° C,V
CC
= V
OUT
= 3.0 V,Z
S
= Z
L
= 50
,
在LC匹配的频率,除非另有说明) )
F = 1.0 GHz的
F = 1.9 GHz的
F = 2.4 GHz的
美国加州东部实验室
UPC8178TB
测试电路3
中(f = 2.4 GHz)的
V
CC
C
3
C
4
C
5
输出端口匹配电路
6
50
IN
C
1
1
4
L
1
50
OUT
L
2
C
2
2, 3, 5
示例测试电路3的组装评估板
F = 2.4 GHz的
顶视图
C3B
IN
连接器
C
1
安装方向
C
3
C
4
组件列表
2.4 GHz的输出端口匹配
C
1
, C
3
, C
4
, C
5
C
3
L
1
L
2
1000 pF的
10 pF的
1.8 nH的
2.7 nH的
注意事项:
1. 42× 35 ×0.4毫米双双面覆铜箔聚酰亚胺板。
2.焊接镀上的图案。
3.背面: GND模式。
4.
通孔。
安培。 4
L
2
C
2
OUT
连接器
L
1
C
5