数据表
双极模拟集成电路
PC3232TB
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
PC3232TB是硅锗（SiGe）设计成中频单片集成电路放大器的DBS调谐器。
该IC采用了50 GHz的F制造
最大
UHS2 （超高速加工）的SiGe双极性工艺。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
增益平坦度
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 26.0毫安TYP 。
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 12.0 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
= 11.0 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
= 8.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
= 32.8分贝MIN 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 33.5分贝MIN 。 @ F = 2.2 GHz的
:
G
P
= 1.0 dB典型值。 @ F = 1.0 2.2 GHz的
： NF = 4 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
： NF = 4.1 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
IF放大器LNB的DBS转换器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
C3S
供给方式
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3232TB-E3
PC3232TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
PC3232TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10597EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年5月NS CP （ K）
日本印刷
2005, 2006
PC3232TB
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益1
功率增益2
功率增益3
功率增益4
功率增益5
功率增益6
增益平坦度
K系数1
K系数2
饱和输出功率1
饱和输出功率2
增益1 dB压缩输出功率1
增益1 dB压缩输出功率2
噪声系数1
噪声系数2
隔离1
隔离2
输入回波损耗1
输入回波损耗2
输出回波损耗1
输出回波损耗2
输入三阶失真截取点1
输入三阶失真截取点2
输出3阶失真截取点1
输出3阶失真截取点2
二阶互调失真
符号
I
CC
G
P
1
G
P
2
G
P
3
G
P
4
G
P
5
G
P
6
测试条件
无输入信号
F = 0.25千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.8千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.6千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 3.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0 2.2千兆赫，磷
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
= 0 dBm的
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz的
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz的
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz的
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz的
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
OUT
=
5
dBm的/音
二阶谐波
2f0
F0 = 1.0千兆赫，P
OUT
=
15
DBM
70
dBc的
分钟。
20
29
30
31
30.5
29
27
+13
+9.5
+8
+6
36
38
9.5
10
12
12
典型值。
26
31.5
32.8
33.8
33.5
32.2
30.7
1.0
1.3
1.9
+15.5
+12
+11
+8.5
4
4.1
41
45
13
14.5
15.5
15
9
15.5
+23.5
+18
50
马克斯。
32
34
35.5
37
36.5
35.5
34
4.8
4.9
dBc的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
DBM
单位
mA
dB
G
P
K1
K2
P
O（坐）
1
P
O（坐）
2
P
O（1 dB为单位）
1
P
O（1 dB为单位）
2
NF1
NF2
ISL1
ISL2
RL
in
1
RL
in
2
RL
OUT
1
RL
OUT
2
国际投资头寸
3
1
国际投资头寸
3
2
OIP
3
1
OIP
3
2
IM
2
4
数据表PU10597EJ01V0DS
PC3232TB
测试电路
C6
穿心电容器
1 000 pF的
V
CC
C3
L1
C1
100 pF的
IN
3
4
1
l1
l2
C2
33 pF的
47 nH的
R1
560
C5
39 pF的
OUT
1 000 pF的
L2
68 nH的
C4
1 000 pF的
2, 5, 6
GND
微带线的长度：
l1
= 2.25 mm
l2
= 2.75 mm
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
测试电路的测量附件
电气特性
TYPE
R1
L1
L2
C1
C2
C3, C4
C5
C6
芯片电阻
片式电感
片式电感
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
穿心电容器
价值
560
47 nH的
68 nH的
100 pF的
33 pF的
1 000 pF的
39 pF的
1 000 pF的
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管，输出中等功率。提供电流输出晶体管，连接
在V之间的电感器
CC
引脚（引脚3）和输出引脚（引脚1） 。选择电感，作为值以上列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面，电感，使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的（参见下页） 。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
的输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此，他们的电容被选定为针对50低阻抗
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫以上， 1 000 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表PU10597EJ01V0DS
5
双极模拟集成电路
PC3232TB
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
PC3232TB是硅锗（SiGe）设计成中频单片集成电路放大器的DBS调谐器。
该IC采用了50 GHz的F制造
最大
UHS2 （超高速加工）的SiGe双极性工艺。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
增益平坦度
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 26.0毫安TYP 。
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 12.0 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
= 11.0 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
= 8.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
= 32.8分贝MIN 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 33.5分贝MIN 。 @ F = 2.2 GHz的
:
G
P
= 1.0 dB典型值。 @ F = 1.0 2.2 GHz的
： NF = 4 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
： NF = 4.1 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
IF放大器LNB的DBS转换器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
C3S
供给方式
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3232TB-E3
PC3232TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
PC3232TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10597EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年5月NS CP （ K）
PC3232TB
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益1
功率增益2
功率增益3
功率增益4
功率增益5
功率增益6
增益平坦度
K系数1
K系数2
饱和输出功率1
饱和输出功率2
增益1 dB压缩输出功率1
增益1 dB压缩输出功率2
噪声系数1
噪声系数2
隔离1
隔离2
输入回波损耗1
输入回波损耗2
输出回波损耗1
输出回波损耗2
输入三阶失真截取点1
输入三阶失真截取点2
输出3阶失真截取点1
输出3阶失真截取点2
二阶互调失真
符号
I
CC
G
P
1
G
P
2
G
P
3
G
P
4
G
P
5
G
P
6
测试条件
无输入信号
F = 0.25千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.8千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.6千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 3.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0 2.2千兆赫，磷
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
= 0 dBm的
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
35
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
35
DBM
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz的
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz的
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz的
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz的
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
OUT
=
5
dBm的/音
二阶谐波
2f0
F0 = 1.0千兆赫，P
OUT
=
15
DBM
70
dBc的
分钟。
20
29
30
31
30.5
29
27
+13
+9.5
+8
+6
36
38
9.5
10
12
12
典型值。
26
31.5
32.8
33.8
33.5
32.2
30.7
1.0
1.3
1.9
+15.5
+12
+11
+8.5
4
4.1
41
45
13
14.5
15.5
15
9
15.5
+23.5
+18
50
马克斯。
32
34
35.5
37
36.5
35.5
34
4.8
4.9
dBc的
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
DBM
单位
mA
dB
G
P
K1
K2
P
O（坐）
1
P
O（坐）
2
P
O（1 dB为单位）
1
P
O（1 dB为单位）
2
NF1
NF2
ISL1
ISL2
RL
in
1
RL
in
2
RL
OUT
1
RL
OUT
2
国际投资头寸
3
1
国际投资头寸
3
2
OIP
3
1
OIP
3
2
IM
2
4
数据表PU10597EJ01V0DS
PC3232TB
测试电路
C6
穿心电容器
1 000 pF的
V
CC
C3
L1
C1
100 pF的
IN
3
4
1
l1
l2
C2
33 pF的
47 nH的
R1
560
C5
39 pF的
OUT
1 000 pF的
L2
68 nH的
C4
1 000 pF的
2, 5, 6
GND
微带线的长度：
l1
= 2.25 mm
l2
= 2.75 mm
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
测试电路的测量附件
电气特性
TYPE
R1
L1
L2
C1
C2
C3, C4
C5
C6
芯片电阻
片式电感
片式电感
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
穿心电容器
价值
560
47 nH的
68 nH的
100 pF的
33 pF的
1 000 pF的
39 pF的
1 000 pF的
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管，输出中等功率。提供电流输出晶体管，连接
在V之间的电感器
CC
引脚（引脚3）和输出引脚（引脚1） 。选择电感，作为值以上列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面，电感，使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的（参见下页） 。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
的输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此，他们的电容被选定为针对50低阻抗
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫以上， 1 000 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表PU10597EJ01V0DS
5
QQ：2881677436 复制
