双极模拟集成电路
UPC3226TB
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
PC3226TB是硅锗（SiGe）设计成中频单片集成电路放大器的DBS调谐器。
该IC采用了50 GHz的F制造
最大
UHS2 （超高速加工）的SiGe双极性工艺。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 15.5毫安TYP 。 @ V
CC
= 5.0 V
: P
O（坐）
= 13.0 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 9.0 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 7.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 5.7 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
为25.0 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 26.0分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
： NF = 5.3分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
： NF = 4.9分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
IF放大器LNB的DBS转换器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
C3N
供给方式
压纹带8mm宽。
1 ，2，3管脚面对带的穿孔侧。
数量3千件/卷。
PC3226TB-E3
PC3226TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
记
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
PC3226TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10558EJ01V0DS （第1版）
发布日期2005年5月CP （ K）
UPC3226TB
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益1
功率增益2
功率增益3
功率增益4
功率增益5
功率增益6
饱和输出功率1
饱和输出功率2
增益1 dB压缩输出功率1
增益1 dB压缩输出功率2
噪声系数1
噪声系数2
隔离1
隔离2
输入回波损耗1
输入回波损耗2
输出回波损耗1
输出回波损耗2
输入三阶失真截取点1
符号
I
CC
G
P
1
G
P
2
G
P
3
G
P
4
G
P
5
G
P
6
P
O（坐）
1
P
O（坐）
2
P
O（1 dB为单位）
1
P
O（1 dB为单位）
2
NF1
NF2
ISL1
ISL2
RL
in
1
RL
in
2
RL
OUT
1
RL
OUT
2
国际投资头寸
3
1
测试条件
无输入信号
F = 0.1千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.8千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.6千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 3.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
2
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
8
DBM
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输入三阶失真截取点2
国际投资头寸
3
2
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输出3阶失真截取点1
OIP
3
1
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输出3阶失真截取点2
OIP
3
2
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz时，
P
in
=
30
DBM
二阶互调失真
IM
2
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
K系数1
K系数2
K1
K2
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
1.4
1.6
43.0
dBc的
+15.0
+20.0
DBM
11.0
分钟。
12.5
22.0
23.0
23.0
23.0
22.5
22.0
+10.0
+6.0
+5.0
+3.0
31
33
10.0
9.0
10.0
10.0
典型值。
15.5
24.0
25.0
26.0
26.0
25.5
25.0
+13.0
+9.0
+7.5
+5.7
5.3
4.9
34
36
14.0
13.0
13.0
13.0
5.0
马克斯。
19.5
26.0
27.5
29.0
29.0
29.0
28.5
6.0
6.0
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
4
数据表PU10558EJ01V0DS
UPC3226TB
测试电路
V
CC
C
4
1 000 pF的
1 000 pF的
C
3
L
6
50
IN
C
1
100 pF的
1
4
C
2
100 pF的
50
OUT
100 nH的
2, 3, 5
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
测试电路的测量附件
电气特性
TYPE
C1, C2
C3
C4
L
贴片电容
贴片电容
穿心电容器
片式电感
价值
100 pF的
1 000 pF的
1 000 pF的
100 nH的
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管，输出中等功率。提供电流输出晶体管，连接
在V之间的电感器
CC
引脚（引脚6）和输出引脚（引脚4）。选择电感，作为值以上列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面，电感，使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
的输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此，他们的电容被选定为针对50低阻抗
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫以上， 1 000 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表PU10558EJ01V0DS
5
数据表
双极模拟集成电路
PC3226TB
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
PC3226TB是硅锗（SiGe）设计成中频单片集成电路放大器的DBS调谐器。
该IC采用了50 GHz的F制造
最大
UHS2 （超高速加工）的SiGe双极性工艺。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 15.5毫安TYP 。 @ V
CC
= 5.0 V
: P
O（坐）
= 13.0 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 9.0 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 7.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 5.7 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
为25.0 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 26.0分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
： NF = 5.3分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
： NF = 4.9分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
IF放大器LNB的DBS转换器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
C3N
供给方式
压纹带8mm宽。
1 ，2，3管脚面对带的穿孔侧。
数量3千件/卷。
PC3226TB-E3
PC3226TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
记
记
随着关于终端焊料（焊料中含有铅）电镀制品（常规电镀） ，接触
您最近的销售部门。
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
PC3226TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10558EJ01V0DS （第1版）
发布日期2005年5月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件， 2005有限公司
PC3226TB
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益1
功率增益2
功率增益3
功率增益4
功率增益5
功率增益6
饱和输出功率1
饱和输出功率2
增益1 dB压缩输出功率1
增益1 dB压缩输出功率2
噪声系数1
噪声系数2
隔离1
隔离2
输入回波损耗1
输入回波损耗2
输出回波损耗1
输出回波损耗2
输入三阶失真截取点1
符号
I
CC
G
P
1
G
P
2
G
P
3
G
P
4
G
P
5
G
P
6
P
O（坐）
1
P
O（坐）
2
P
O（1 dB为单位）
1
P
O（1 dB为单位）
2
NF1
NF2
ISL1
ISL2
RL
in
1
RL
in
2
RL
OUT
1
RL
OUT
2
国际投资头寸
3
1
测试条件
无输入信号
F = 0.1千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.8千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.6千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 3.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
2
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
8
DBM
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输入三阶失真截取点2
国际投资头寸
3
2
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输出3阶失真截取点1
OIP
3
1
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
输出3阶失真截取点2
OIP
3
2
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz时，
P
in
=
30
DBM
二阶互调失真
IM
2
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
in
=
30
DBM
K系数1
K系数2
K1
K2
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
1.4
1.6
43.0
dBc的
+15.0
+20.0
DBM
11.0
分钟。
12.5
22.0
23.0
23.0
23.0
22.5
22.0
+10.0
+6.0
+5.0
+3.0
31
33
10.0
9.0
10.0
10.0
典型值。
15.5
24.0
25.0
26.0
26.0
25.5
25.0
+13.0
+9.0
+7.5
+5.7
5.3
4.9
34
36
14.0
13.0
13.0
13.0
5.0
马克斯。
19.5
26.0
27.5
29.0
29.0
29.0
28.5
6.0
6.0
DBM
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
4
数据表PU10558EJ01V0DS
PC3226TB
测试电路
V
CC
C
4
1 000 pF的
1 000 pF的
C
3
L
6
50
IN
C
1
100 pF的
1
4
C
2
100 pF的
50
OUT
100 nH的
2, 3, 5
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
测试电路的测量附件
电气特性
TYPE
C1, C2
C3
C4
L
贴片电容
贴片电容
穿心电容器
片式电感
价值
100 pF的
1 000 pF的
1 000 pF的
100 nH的
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管，输出中等功率。提供电流输出晶体管，连接
在V之间的电感器
CC
引脚（引脚6）和输出引脚（引脚4）。选择电感，作为值以上列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面，电感，使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
的输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此，他们的电容被选定为针对50低阻抗
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫以上， 1 000 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表PU10558EJ01V0DS
5
QQ：2881677436 复制
