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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第46页 > UPC3224TB
双极模拟集成电路
UPC3224TB
5 V ，硅MMIC
宽带放大器器
描述
该
PC3224TB是硅单片集成电路设计为IF放大器的DBS调谐器。该IC采用制造
我们的30 GHz的F
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
特点
宽带响应：F
u
= 3.2 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
低电流
功率增益
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 9.0毫安TYP 。
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
如果DBS转换器放大器等。
订购信息（焊锡含铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3
订购信息（无铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3-A
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PC3224TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10490EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年5月CP （ K）
NEC化合物半导体器件2004年
UPC3224TB
引脚连接
PIN号
引脚名称
输入
GND
GND
产量
GND
V
CC
（ TOP VIEW ）
（底视图）
1
C3K
3
2
1
4
5
6
4
5
6
3
2
1
2
3
4
5
6
产品线的5 V偏压硅MMIC介质宽带放大器
(T
A
= + 25 ° C，F = 1千兆赫，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
f
u
（千兆赫）
2.9
2.6
记
产品型号
P
O（坐）
（ dBm的）
+1.0
+3.0
+3.5
+4.0
G
P
（ dB）的
13
20
20.5
21.5
NF
（ dB）的
5.0
4.5
2.3
4.3
I
CC
（MA ）
12
12
14
9.0
包
6针超级Minimold
记号
C1G
C1H
C3H
C3K
PC2711TB
PC2712TB
PC3215TB
PC3224TB
2.9
3.2
记
PC3215TB为f = 1.5 GHz的
备注
典型表现。请参阅
电气特性
的细节。
2
数据表PU10490EJ01V0DS
UPC3224TB
PIN解释
针
号
1
引脚名称
输入
应用的
电压（V）的
–
引脚电压
记
(V)
0.91
信号输入引脚。
一个内部的匹配电路，配置有电阻，使50
连接在很宽的频带。
一种多反馈电路设计为抵消h的偏差
FE
和
性。
该引脚必须连接到信号源，电容隔直。
4
产量
–
4.42
信号输出引脚。
一个内部的匹配电路，配置有电阻，使50
连接在很宽的频带。
该引脚必须连接到下一个阶段，电容隔直。
6
V
CC
4.5 5.5
–
电源suplly引脚。
该引脚应外部配备旁路电容
尽量减少其阻抗。
2
3
5
GND
0
–
接地引脚。
该引脚应连接到系统地以最小的
电感。应尽可能广泛的形成在板接地图案
可能。
所有的地引脚都必须具有广泛的地面图案连在一起
减小阻抗的差异。
功能及应用
记
端子的电压测量V
CC
= 5.0 V
数据表PU10490EJ01V0DS
3
UPC3224TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
电路的总电流
功耗
工作环境温度
储存温度
输入功率
符号
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
英镑
P
in
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
6.0
25
270
40
+85
55
+150
+10
单位
V
mA
mW
°C
°C
DBM
记
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB
推荐工作范围
参数
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
T
A
条件
分钟。
4.5
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
+85
单位
V
°C
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
符号
I
CC
G
P
测试条件
无输入信号
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
饱和输出功率
P
O（坐）
F = 1.0千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
增益1 dB压缩输出
动力
噪声系数
NF
P
O（1 dB为单位）
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
上限工作频率
隔离
f
u
ISL
下降3dB以下的平坦增益在f = 0.1 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输入回波损耗
RL
in
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输出回波损耗
RL
OUT
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
增益平坦度
分钟。
7.0
19.0
18.5
+1.5
1.5
6.5
8.5
2.8
35.0
37.0
9.0
10.0
11.0
8.0
典型值。
9.0
21.5
21.5
+4.0
+1.5
3.5
5.5
4.3
4.3
3.2
40.0
42.0
12.0
14.0
17.0
12.0
±0.8
马克斯。
12.0
24.0
24.5
5.8
5.8
dB
dB
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
G
P
F = 0.1至2.2千兆赫
4
数据表PU10490EJ01V0DS
UPC3224TB
等特点，仅供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
输出截获点
符号
OIP
3
测试条件
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
参考值
+7.0
+5.5
单位
DBM
数据表PU10490EJ01V0DS
5
数据表
双极模拟集成电路
PC3224TB
5 V ，硅MMIC
宽带放大器器
描述
该
PC3224TB是硅单片集成电路设计为IF放大器的DBS调谐器。该IC采用制造
我们的30 GHz的F
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
特点
宽带响应：F
u
= 3.2 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
低电流
功率增益
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 9.0毫安TYP 。
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
如果DBS转换器放大器等。
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PC3224TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC化合物半导体器件检查
代表性的产品供应及其他信息。
一号文件PU10490EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年5月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件2004年
PC3224TB
引脚连接
PIN号
引脚名称
输入
GND
GND
产量
GND
V
CC
（ TOP VIEW ）
（底视图）
4
5
6
4
5
6
3
2
1
1
2
3
4
5
6
3
2
1
产品线的5 V偏压硅MMIC介质宽带放大器
(T
A
= + 25 ° C，F = 1千兆赫，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
f
u
（千兆赫）
2.9
2.6
记
C3K
产品型号
P
O（坐）
（ dBm的）
+1.0
+3.0
+3.5
+4.0
G
P
（ dB）的
13
20
20.5
21.5
NF
（ dB）的
5.0
4.5
2.3
4.3
I
CC
（MA ）
12
12
14
9.0
包
6针超级Minimold
记号
C1G
C1H
C3H
C3K
PC2711TB
PC2712TB
PC3215TB
PC3224TB
2.9
3.2
记
PC3215TB为f = 1.5 GHz的
备注
典型表现。请参阅
电气特性
的细节。
2
数据表PU10490EJ01V0DS
PC3224TB
PIN解释
针
号
1
引脚名称
输入
应用的
电压（V）的
–
引脚电压
记
(V)
0.91
信号输入引脚。
一个内部的匹配电路，配置有电阻，使50
连接在很宽的频带。
一种多反馈电路设计为抵消h的偏差
FE
和
性。
该引脚必须连接到信号源，电容隔直。
4
产量
–
4.42
信号输出引脚。
一个内部的匹配电路，配置有电阻，使50
连接在很宽的频带。
该引脚必须连接到下一个阶段，电容隔直。
6
V
CC
4.5 5.5
–
电源suplly引脚。
该引脚应外部配备旁路电容，以减少
它的阻抗。
2
3
5
GND
0
–
接地引脚。
该引脚应连接到系统地以最小的
电感。应尽可能广泛的形成在板接地图案
可能。
所有的地引脚都必须具有广泛的地面图案连在一起
减小阻抗的差异。
功能及应用
记
端子的电压测量V
CC
= 5.0 V
数据表PU10490EJ01V0DS
3
PC3224TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
电路的总电流
功耗
工作环境温度
储存温度
输入功率
符号
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
英镑
P
in
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
6.0
25
270
40
+85
55
+150
+10
单位
V
mA
mW
°C
°C
DBM
记
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB
推荐工作范围
参数
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
T
A
条件
分钟。
4.5
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
+85
单位
V
°C
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
符号
I
CC
G
P
测试条件
无输入信号
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
饱和输出功率
P
O（坐）
F = 1.0千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
增益1 dB压缩输出
动力
噪声系数
NF
P
O（1 dB为单位）
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
上限工作频率
隔离
f
u
ISL
下降3dB以下的平坦增益在f = 0.1 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输入回波损耗
RL
in
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输出回波损耗
RL
OUT
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
增益平坦度
分钟。
7.0
19.0
18.5
+1.5
1.5
6.5
8.5
2.8
35.0
37.0
9.0
10.0
11.0
8.0
典型值。
9.0
21.5
21.5
+4.0
+1.5
3.5
5.5
4.3
4.3
3.2
40.0
42.0
12.0
14.0
17.0
12.0
±0.8
马克斯。
12.0
24.0
24.5
5.8
5.8
dB
dB
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
G
P
F = 0.1至2.2千兆赫
4
数据表PU10490EJ01V0DS
PC3224TB
等特点，仅供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
输出截获点
符号
OIP
3
测试条件
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
参考值
+7.0
+5.5
单位
DBM
数据表PU10490EJ01V0DS
5
为了我们的客户，
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站： http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出：
瑞萨电子公司
（ http://www.renesas.com ）
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
通告
1.
本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是
如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前
确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意
另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。
瑞萨电子不承担侵权的专利，版权或其他知识产权的任何法律责任
第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。
没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹
瑞萨电子或其他人。
你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。
仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作
半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，
而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任
你还是从使用这些电路，软件以及相关信息而产生的第三方。
当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制
法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨
电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术
军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品
技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售
根据任何适用的国内或外国的法律或法规。
瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子
不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任
招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。
瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而
“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，
如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级
应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序
瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序
它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式
从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任
应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面
瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有
在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定
电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” ：
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统（如人工生命支持设备或系统） ，外科手术植入，或保健
介入治疗（如切除等） ，并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，
特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射
特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。
本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有
具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏
瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火
控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规
指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任
适用法律和法规。
本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意
电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。
“标准” ：
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
双极模拟集成电路
μ
PC3242TB
3.3 V ，硅锗MMIC宽带放大器
描述
该
μ
PC3242TB是专为IF放大器DBS LNB硅锗单片集成电路。
此设备具有低噪声指数和高功率增益特性。
该IC采用了UHSK3 （超高速加工）的硅锗双极工艺制造。
特点
低电流
功率增益
增益平坦度
噪声系数
- 高线性度
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 4.3毫安TYP 。
: G
P
= 22 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 22 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
:
Δ
G
P
= 0.4 dB典型值。 @ F = 1.0 2.2 GHz的
： NF = 4.0 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
： NF = 4.0 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
=
7.5
dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（1 dB为单位）
=
9.5
dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= +3.0至+3.6 V
：输入/输出50
Ω
应用
如果DBS LNB放大器，其他的L波段放大器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
C3Z
供给方式
压纹带8mm宽
销1 ，2，3面带的穿孔侧
数量3千件/卷
μ
PC3242TB-E3
μ
PC3242TB - E3 -A 6引脚超minimold
（无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
μ
PC3242TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10803EJ01V0DS （第1版）
发布日期2010 NS三月
日本印刷
2010
μ
PC3242TB
引脚连接和内部框图
（ TOP VIEW ）
3
4 3
（ TOP VIEW ）
4 4
（底视图）
3
PIN号
1
引脚名称
输入
GND
GND
产量
GND
V
CC
C3Z
2
3
4
2
5 2
5 5
2
1
6 1
6 6
1
5
6
产品线的5 V或3.3 V偏置硅MMIC宽带放大器
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V或3.3 V，Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
产品型号
V
CC
(V)
I
CC
（MA ）
12.0
12.0
14.0
9.0
G
P
（ dB）的
13.0 （ 1.0千兆赫）
20.0 （ 1.0千兆赫）
20.5 （ 1.5千兆赫）
21.5 （ 1.0千兆赫）
21.5 （ 2.2千兆赫）
NF
（ dB）的
5.0 （ 1.0千兆赫）
4.5 （ 1.0千兆赫）
2.3 （ 1.5千兆赫）
4.3 （ 1.0千兆赫）
4.3 （ 2.2千兆赫）
4.7 （ 1.0千兆赫）
4.6 （ 2.2千兆赫）
4.3 （ 1.0千兆赫）
4.5 （ 2.2千兆赫）
4.0 （ 1.0千兆赫）
4.0 （ 2.2千兆赫）
P
O（坐）
（ dBm的）
＋1.0
（ 1.0千兆赫）
＋3.0
（ 1.0千兆赫）
＋3.5
（ 1.5千兆赫）
＋4.0
（ 1.0千兆赫）
＋1.5
（ 2.2千兆赫）
-1.0 （ 1.0千兆赫）
-3.5 （ 2.2千兆赫）
–
–
-0.5 （ 1.0千兆赫）
-4.0 （ 2.2千兆赫）
P
O（1 dB为单位）
（ dBm的）
–
–
＋1.5
（ 1.5千兆赫）
-3.5 （ 1.0千兆赫）
-5.5 （ 2.2千兆赫）
-6.5 （ 1.0千兆赫）
-8.0 （ 2.2千兆赫）
＋1.0
（ 1.0千兆赫）
-4.0 （ 2.2千兆赫）
-7.5 （ 1.0千兆赫）
-9.5 （ 2.2千兆赫）
C3Z
C3W
C3P
6-pin
超级
Minimold
C1G
C1H
C3H
C3K
包
记号
μ
PC2711TB
μ
PC2712TB
μ
PC3215TB
μ
PC3224TB
+5.0
μ
PC3227TB
4.8
22.0 （ 1.0千兆赫）
22.0 （ 2.2千兆赫）
μ
PC3240TB
+3.3
13.0
25.0 （ 1.0千兆赫）
24.5 （ 2.2千兆赫）
μ
PC3242TB
4.3
22.0 （ 1.0千兆赫）
22.0 （ 2.2千兆赫）
备注
典型表现。请参阅
电气特性
的细节。
2
数据表PU10803EJ01V0DS
μ
PC3242TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
电路的总电流
功耗
工作环境温度
储存温度
输入功率
符号
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
英镑
P
in
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
4.0
10
270
40
+85
55
+150
10
单位
V
mA
mW
°C
°C
DBM
记
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB
推荐工作范围
参数
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
T
A
条件
分钟。
+3.0
40
典型值。
+3.3
+25
马克斯。
+3.6
+85
单位
V
°C
数据表PU10803EJ01V0DS
3
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推荐型号
UPD70216HGK-16-9EU
UWP1E220MCL
URZ1C470MRD
UFG1A472MDM
UPSD3334D-40T6
UPJ0J272MDD
UVR1J222MRD
UFR8780
UCC5628
UEP2A221MHD
UWG1E102MNL
UFW1C471MPD
UPG131G
UA55110ADM
UN2210
UT2340
UVR1H472MHD
UCC28740DR
UST0J100MDD
UPD70108D-8
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型号
厂家
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封装
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