数据表
双极模拟集成电路
PC3224TB
5 V ，硅MMIC
宽带放大器器
描述
该
PC3224TB是硅单片集成电路设计为IF放大器的DBS调谐器。该IC采用制造
我们的30 GHz的F
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
特点
宽带响应：F
u
= 3.2 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
低电流
功率增益
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 9.0毫安TYP 。
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
如果DBS转换器放大器等。
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PC3224TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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一号文件PU10490EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年5月CP （ K）
日本印刷
NEC化合物半导体器件2004年
PC3224TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
电路的总电流
功耗
工作环境温度
储存温度
输入功率
符号
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
英镑
P
in
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
6.0
25
270
40
+85
55
+150
+10
单位
V
mA
mW
°C
°C
DBM
记
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB
推荐工作范围
参数
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
T
A
条件
分钟。
4.5
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
+85
单位
V
°C
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
符号
I
CC
G
P
测试条件
无输入信号
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
饱和输出功率
P
O（坐）
F = 1.0千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
增益1 dB压缩输出
动力
噪声系数
NF
P
O（1 dB为单位）
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
上限工作频率
隔离
f
u
ISL
下降3dB以下的平坦增益在f = 0.1 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输入回波损耗
RL
in
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输出回波损耗
RL
OUT
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
增益平坦度
分钟。
7.0
19.0
18.5
+1.5
1.5
6.5
8.5
2.8
35.0
37.0
9.0
10.0
11.0
8.0
典型值。
9.0
21.5
21.5
+4.0
+1.5
3.5
5.5
4.3
4.3
3.2
40.0
42.0
12.0
14.0
17.0
12.0
±0.8
马克斯。
12.0
24.0
24.5
5.8
5.8
dB
dB
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
G
P
F = 0.1至2.2千兆赫
4
数据表PU10490EJ01V0DS
双极模拟集成电路
UPC3224TB
5 V ，硅MMIC
宽带放大器器
描述
该
PC3224TB是硅单片集成电路设计为IF放大器的DBS调谐器。该IC采用制造
我们的30 GHz的F
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
特点
宽带响应：F
u
= 3.2 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
低电流
功率增益
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 9.0毫安TYP 。
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 21.5分贝TYP 。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
应用
如果DBS转换器放大器等。
订购信息（焊锡含铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3
订购信息（无铅）
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3K
供给方式
压纹带8mm宽
1 ，2，3管脚面对磁带的穿孔侧
数量3千件/卷
PC3224TB-E3-A
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号：
PC3224TB
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PU10490EJ01V0DS （第1版）
发布日期2004年5月CP （ K）
NEC化合物半导体器件2004年
UPC3224TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
电路的总电流
功耗
工作环境温度
储存温度
输入功率
符号
V
CC
I
CC
P
D
T
A
T
英镑
P
in
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
6.0
25
270
40
+85
55
+150
+10
单位
V
mA
mW
°C
°C
DBM
记
安装在双面覆铜50
×
50
×
1.6毫米环氧玻璃PWB
推荐工作范围
参数
电源电压
工作环境温度
符号
V
CC
T
A
条件
分钟。
4.5
40
典型值。
5.0
+25
马克斯。
5.5
+85
单位
V
°C
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
符号
I
CC
G
P
测试条件
无输入信号
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
饱和输出功率
P
O（坐）
F = 1.0千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
增益1 dB压缩输出
动力
噪声系数
NF
P
O（1 dB为单位）
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
上限工作频率
隔离
f
u
ISL
下降3dB以下的平坦增益在f = 0.1 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输入回波损耗
RL
in
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
输出回波损耗
RL
OUT
F = 1.0千兆赫，P
in
=
30
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
30
DBM
增益平坦度
分钟。
7.0
19.0
18.5
+1.5
1.5
6.5
8.5
2.8
35.0
37.0
9.0
10.0
11.0
8.0
典型值。
9.0
21.5
21.5
+4.0
+1.5
3.5
5.5
4.3
4.3
3.2
40.0
42.0
12.0
14.0
17.0
12.0
±0.8
马克斯。
12.0
24.0
24.5
5.8
5.8
dB
dB
dB
GHz的
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
G
P
F = 0.1至2.2千兆赫
4
数据表PU10490EJ01V0DS
QQ：2880707522 复制
