数据表
双极模拟集成电路
PC3215TB
5 V ， SUPER MINIMOLD硅MMIC宽带放大器
描述
该
PC3215TB是硅单片集成电路设计为宽频带放大器。
系统要求宽带运营从HF到L波段。
该IC采用NEC公司的30 GHz的F制造
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
该软件包是6芯超minimold适合表面贴装。
该
PC3215TB适合
特点
宽带响应
噪声系数
功率增益
电源电压
: f
u
= 2.9 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
： NF = 2.3分贝TYP 。 @f = 1.5 GHz的
: G
P
= 20.5分贝TYP 。 @f = 1.5 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
高密度表面安装： 6针超级minimold包
应用
系统要求宽带运营从HF到L波段
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3H
供给方式
压纹带8mm宽。
1 ，2，3管脚面对带的穿孔侧。
数量3千件/卷。
PC3215TB-E3
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品部件号
顺序：
PC3215TB)
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14765EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2000年8月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
2000
PC3215TB
引脚连接
（ TOP VIEW ）
3
（底视图）
4
4
3
PIN号
1
2
引脚名称
输入
GND
GND
产量
GND
V
CC
C3H
2
5
5
2
3
4
1
6
6
1
5
6
产品线的5V偏置硅MMIC宽带放大器
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
f
u
（千兆赫）
2.9
P
O（坐）
（ dBm的）
+1.0
G
P
（ dB）的
13
NF
（ dB）的
5.0
@f = 1 GHz的
4.5
@f = 1 GHz的
3.4
@f = 1.5 GHz的
2.3
@f = 1.5 GHz的
I
CC
（MA ）
12
产品型号
包
6引脚Minimold
6针超级Minimold
记号
C1G
PC2711T
PC2711TB
PC2712T
PC2712TB
PC3210TB
PC3215TB
2.6
+3.0
20
12
6引脚Minimold
6针超级Minimold
C1H
2.3
+3.5
20
15
6针超级Minimold
C2X
2.9
+3.5
20.5
14
6针超级Minimold
C3H
备注
小心
典型表现。请参阅电气特性的细节。
minimold和超minimold之间的封装尺寸区分。
2
数据表P14765EJ2V0DS00
PC3215TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
短路电流
输入功率
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
I
CC
P
in
P
D
T
A
T
英镑
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +25°C
T
A
= +85°C
记
条件
评级
6.0
30
+10
270
-40至+85
-55到+150
单位
V
mA
DBM
mW
°C
°C
记
安装在50
×
50
×
1.6毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板，与两侧的铜图案。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作环境温度
输入功率
输入频率
符号
V
CC
T
A
P
in
f
in
分钟。
4.5
–40
–
0.1
典型值。
5.0
+25
–
–
马克斯。
5.5
+85
0
2.9
单位
V
°C
DBM
GHz的
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
噪声系数
上限工作
频率
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB压缩点
符号
I
CC
G
P
NF
f
u
测试条件
无输入信号
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5 GHz的
3分贝向下跌破3241处
F = 0.1 GHz的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
分钟。
10.5
18.5
–
2.5
典型值。
14.0
20.5
2.3
2.9
马克斯。
17.5
–
3.0
–
单位
mA
dB
dB
GHz的
ISL
RL
in
RL
OUT
P-1
39
10
6.5
–4
44
15
9.5
–1.5
–
–
–
–
dB
dB
dB
DBM
标准特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
饱和输出功率
输出截获点
增益平坦度
符号
P
O（坐）
OIP
3
G
P
P
in
= 0 dBm的
f
1
= 1.5 GHz的，女
2
= 1.501 GHz的
F = 0.1 2.15 GHz的
测试条件
参考值
+3.5
+10
1.0
单位
DBM
DBM
dB
4
数据表P14765EJ2V0DS00
初步数据表
双极模拟集成电路
PC3215TB
5 V ， SUPER MINIMOLD硅MMIC宽带放大器
描述
该
PC3215TB是硅单片集成电路设计为宽频带放大器。
系统要求宽带运营从HF到L波段。
该IC采用NEC公司的30 GHz的F制造
最大
UHS0 （超高速加工）的硅双极工艺。
该软件包是6芯超minimold适合表面贴装。
该
PC3215TB适合
特点
宽带响应
噪声系数
功率增益
电源电压
: f
u
= 2.9 GHz的典型。 @ 3 dB带宽
： NF = 2.3分贝TYP 。 @f = 1.5 GHz的
: G
P
= 20.5分贝TYP 。 @f = 1.5 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
高密度表面安装： 6针超级minimold包
应用
系统要求宽带运营从HF到L波段
订购信息
产品型号
包
6针超级Minimold
记号
C3H
供给方式
压纹带8mm宽。
1 ，2，3管脚面对带的穿孔侧。
数量3千件/卷。
PC3215TB-E3
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品部件号
顺序：
PC3215TB)
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14765EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年4月 CP （ K）
日本印刷
2000
PC3215TB
引脚连接
（ TOP VIEW ）
（底视图）
4
4
3
PIN号
1
2
引脚名称
输入
GND
GND
产量
GND
V
CC
3
2
C3H
5
5
2
3
4
1
6
6
1
5
6
产品线的5V偏置硅MMIC宽带放大器
(T
A
= +25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
f
u
（千兆赫）
2.9
P
O（坐）
（ dBm的）
+1.0
G
P
（ dB）的
13
NF
（ dB）的
5.0
@f = 1 GHz的
4.5
@f = 1 GHz的
3.4
@f = 1.5 GHz的
2.3
@f = 1.5 GHz的
I
CC
（MA ）
12
产品型号
包
6引脚Minimold
6针超级Minimold
记号
C1G
PC2711T
PC2711TB
PC2712T
PC2712TB
PC3210TB
PC3215TB
2.6
+3.0
20
12
6引脚Minimold
6针超级Minimold
C1H
2.3
+3.5
20
15
6针超级Minimold
C2X
2.9
+3.5
20.5
14
6针超级Minimold
C3H
备注
小心
典型表现。请参阅电气特性的细节。
minimold和超minimold之间的封装尺寸区分。
2
初步数据表P14765EJ1V0DS00
PC3215TB
绝对最大额定值
参数
电源电压
短路电流
输入功率
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
I
CC
P
in
P
D
T
A
T
英镑
T
A
= +25 °C
T
A
= +25 °C
T
A
= +25 °C
T
A
= +85 °C
记
条件
评级
6.0
30
+10
200
-40至+85
-55到+150
单位
V
mA
DBM
mW
°C
°C
记
安装在50
×
50
×
1.6毫米的玻璃环氧树脂印刷电路板，与两侧的铜图案。
推荐工作条件
参数
电源电压
工作环境温度
输入功率
输入频率
符号
V
CC
T
A
P
in
F
in
分钟。
4.5
–40
–
0.1
典型值。
5.0
+25
–
–
马克斯。
5.5
+85
0
2.9
单位
V
°C
DBM
GHz的
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
短路电流
功率增益
噪声系数
上限工作
频率
隔离
输入回波损耗
输出回波损耗
1 dB压缩点
符号
I
CC
G
P
NF
f
u
测试条件
无输入信号
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5 GHz的
3分贝向下跌破3241处
F = 0.1 GHz的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
F = 1.5千兆赫，P
in
= -30 dBm的
分钟。
10.5
18.5
–
2.5
典型值。
14.0
20.5
2.3
2.9
马克斯。
17.5
–
3.0
–
单位
mA
dB
dB
GHz的
ISL
RL
in
RL
OUT
P-1
39
10
6.5
–4
44
15
9.5
–1.5
–
–
–
–
dB
dB
dB
DBM
标准特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
)
参数
饱和输出功率
输出截获点
增益平坦度
符号
P
O（坐）
OIP
3
G
P
P
in
= 0 dBm的
f
1
= 1.5 GHz的，女
2
= 1.501 GHz的
F = 0.1 2.15 GHz的
测试条件
参考值
+3.5
+10
1.0
单位
DBM
DBM
dB
4
初步数据表P14765EJ1V0DS00
PC3215TB
测试电路
V
CC
1 000 pF的
C
3
6
50
IN
1 000 pF的
C
1
1
4
C
2
1 000 pF的
50
OUT
2, 3, 5
应用电路示例
V
CC
1 000 pF的
1 000 pF的
6
50
IN
1 000 pF的
1
4
1 000 pF的
1 000 pF的
50至200
2, 3, 5
请连接这些
成分稳定
操作。
1
6
4
1 000 pF的
50
OUT
2, 3, 5
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
电容器V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容V
CC
销和耦合电容器用于输入/输出
销。
旁路电容V
CC
销的目的是最小化V
CC
脚的对地阻抗。因此，稳定的偏置可
对V提供
CC
波动。
耦合电容为输入/输出引脚的目的是最小化射频串联阻抗和切断直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫时， 1 000 pF电容的组装测试电路上。 [事实上， 1 000 pF的
电容给平坦的增益至少10兆赫。在10 MHz下工作的情况下，增加耦合的值
电容比如2 200 pF的。由于耦合电容器是由C = 1 /（2的等式确定
π
FZS ）]。
初步数据表P14765EJ1V0DS00
5
QQ：2881677436 复制
