数据表
双极模拟集成电路
P
PC2715T
1.2 GHz的低功耗宽带放大器
硅双极单片集成电路
特点
低功耗
高功率增益
输入和输出匹配
超小型封装
： 15毫瓦（V
CC
= 3.4 V，I
CC
= 4.5 mA）的典型。
：19 dB典型值。 @ F = 0.5 GHz的
: 50
:
： 6针小型模具
优异的频率响应： 1.2 GHz的典型。 @下降3dB低于0.1 GHz的增益
订购信息
产品型号
包
6针小型模具
供给方式
压纹带12mm宽。
销1 ，2，3面到磁带的穿孔侧。
P
PC2715T-E3
等效电路
V
CC
OUT
（ TOP VIEW ）
引脚连接
（底视图）
3
2
1
C1L
IN
4
5
6
1.输入
2. GND
3. GND
4.输出
5. GND
6. V
CC
4
5
6
3
2
1
GND
注意：静电敏感器件
一号文件P12432EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页编号IC - 2952 ）
发布日期1997年三月
日本印刷
1993
P
PC2715T
测试电路
V
CC
1 000 pF的
C
3
6
50
IN
1 000 pF的
C
1
1
4
C
2
1 000 pF的
50
OUT
2, 3, 5
应用电路示例
V
CC
1 000 pF的
C
3
6
50
IN
1 000 pF的
C
1
1
4
C
4
1 000 pF的
C
5
1 000 pF的
R
1
50至200
2, 3, 5
为了稳定运行，
请连接
1
, C
5
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
1
6
4
C
2
1 000 pF的
50
OUT
1 000 pF的
C
6
2, 3, 5
电容器V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容V
CC
销和耦合电容器用于输入/输出
销。
旁路电容V
CC
销的目的是最小化V
CC
脚的对地阻抗。因此，稳定的偏置可
对V提供
CC
波动。
耦合电容为输入/输出引脚的目的是最小化射频串联阻抗和切断直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫时， 1 000 pF电容的组装测试电路上。 [事实上， 1 000 pF的
电容给平坦的增益至少10兆赫。在10 MHz下工作的情况下，增加耦合的值
电容比如2 200 pF的。由于耦合电容器是由C = 1 /（2的等式确定
S
FZS ）]。
3
P
PC2715T
输出功率与输入功率
15
F = 0.5 GHz的
10
10
V
CC
= 3.4 V
15
输出功率与输入功率
V
CC
= 3.4 V
F = 0.5 GHz的
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
P
O
- 输出功率 - dBm的
P
O
- 输出功率 - dBm的
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
3.74 V
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
T
A
= –40
°C
3.06 V
T
A
= –40
°C
T
A
= 85
°C
–30
–50 –45 –40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5
P
in
- 输入功率 - dBm的
0
–30
–50 –45 –40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5
P
in
- 输入功率 - dBm的
0
5
P
O（坐）
- 饱和输出功率 - dBm的
P
in
= -10 dBm的
0
V
CC
= 3.4 V
3.74 V
IM
3
- 三阶互调失真 - dBc的
饱和输出功率与
频率
三阶互调失真
与每个音调输出功率
–60
f
1
= 0.500 GHz的
f
2
= 0.502 GHz的
–50
–40
–30
–20
3.4 V
–10
0
–40
3.06 V
V
CC
= 3.74 V
–5
3.6 V
–10
–15
0.1
0.2
0.5
的F - 频率 - GHz的
1
2
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
P
O（每个）
- dBm的 - 输出的每个音的力量
5
数据表
双极模拟集成电路
P
PC2715T
1.2 GHz的低功耗宽带放大器
硅双极单片集成电路
特点
低功耗
高功率增益
输入和输出匹配
超小型封装
： 15毫瓦（V
CC
= 3.4 V，I
CC
= 4.5 mA）的典型。
：19 dB典型值。 @ F = 0.5 GHz的
: 50
:
： 6针小型模具
优异的频率响应： 1.2 GHz的典型。 @下降3dB低于0.1 GHz的增益
订购信息
产品型号
包
6针小型模具
供给方式
压纹带12mm宽。
销1 ，2，3面到磁带的穿孔侧。
P
PC2715T-E3
等效电路
V
CC
OUT
（ TOP VIEW ）
引脚连接
（底视图）
3
2
1
C1L
IN
4
5
6
1.输入
2. GND
3. GND
4.输出
5. GND
6. V
CC
4
5
6
3
2
1
GND
注意：静电敏感器件
一号文件P12432EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页编号IC - 2952 ）
发布日期1997年三月
日本印刷
1993
P
PC2715T
测试电路
V
CC
1 000 pF的
C
3
6
50
IN
1 000 pF的
C
1
1
4
C
2
1 000 pF的
50
OUT
2, 3, 5
应用电路示例
V
CC
1 000 pF的
C
3
6
50
IN
1 000 pF的
C
1
1
4
C
4
1 000 pF的
C
5
1 000 pF的
R
1
50至200
2, 3, 5
为了稳定运行，
请连接
1
, C
5
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
1
6
4
C
2
1 000 pF的
50
OUT
1 000 pF的
C
6
2, 3, 5
电容器V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容V
CC
销和耦合电容器用于输入/输出
销。
旁路电容V
CC
销的目的是最小化V
CC
脚的对地阻抗。因此，稳定的偏置可
对V提供
CC
波动。
耦合电容为输入/输出引脚的目的是最小化射频串联阻抗和切断直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫时， 1 000 pF电容的组装测试电路上。 [事实上， 1 000 pF的
电容给平坦的增益至少10兆赫。在10 MHz下工作的情况下，增加耦合的值
电容比如2 200 pF的。由于耦合电容器是由C = 1 /（2的等式确定
S
FZS ）]。
3
P
PC2715T
输出功率与输入功率
15
F = 0.5 GHz的
10
10
V
CC
= 3.4 V
15
输出功率与输入功率
V
CC
= 3.4 V
F = 0.5 GHz的
T
A
= 85
°C
T
A
= 25
°C
P
O
- 输出功率 - dBm的
P
O
- 输出功率 - dBm的
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
3.74 V
5
0
–5
–10
–15
–20
–25
T
A
= –40
°C
3.06 V
T
A
= –40
°C
T
A
= 85
°C
–30
–50 –45 –40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5
P
in
- 输入功率 - dBm的
0
–30
–50 –45 –40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5
P
in
- 输入功率 - dBm的
0
5
P
O（坐）
- 饱和输出功率 - dBm的
P
in
= -10 dBm的
0
V
CC
= 3.4 V
3.74 V
IM
3
- 三阶互调失真 - dBc的
饱和输出功率与
频率
三阶互调失真
与每个音调输出功率
–60
f
1
= 0.500 GHz的
f
2
= 0.502 GHz的
–50
–40
–30
–20
3.4 V
–10
0
–40
3.06 V
V
CC
= 3.74 V
–5
3.6 V
–10
–15
0.1
0.2
0.5
的F - 频率 - GHz的
1
2
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
P
O（每个）
- dBm的 - 输出的每个音的力量
5
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