【数据表NPN硅射频晶体管晶体管PA893TDNPN硅射频晶体管（带2个元素）采用6引脚无引线少MIN】,IC型号UPA893TD,UPA893TD PDF资料,UPA893TD经销商,ic,电子元器件-51电子网

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数据表

NPN硅射频晶体管晶体管

PA893TD

NPN硅射频晶体管（带2个元素）

采用6引脚无引线少MINIMOLD

特点

低电压工作

内置高增益晶体管

f

T

= 13.5 GHz的典型值，

S

21e

2

= 10.0分贝TYP 。 @ V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

6针引线少minimold包

内置2个晶体管（ 2

×

2SC5603)

内置的晶体管

Q1, Q2

3引脚薄型超超minimold部分号

2SC5603

订购信息

产品型号

QUANTITY

50个（非卷轴）

10千件/卷

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚1 （ Q1集电极），引脚6 （ Q1基极）所面临的磁带的侧穿孔

PA893TD

PA893TD-T3

备注

如需订购样品评价，咨询公司销售代表。

样本股数量为50个。

由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件P15279EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2001年1月NS CP （ K）

日本印刷

2001

PA893TD

绝对最大额定值（T

A

= +25°C)

°

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

记

评级

15

6

2

35

在1单元190

210的2个元素

150

65

+150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

T

j

T

英镑

2

记

安装在1.08厘米

×

1.0毫米（t）的玻璃环氧基板

电气特性（T

A

= +25°C)

°

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

注1

测试条件

V

CB

= 5 V，I

E

= 0毫安

V

BE

= 1 V，I

C

= 0毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

分钟。

60

12.0

8.5

典型值。

90

13.5

10.0

1.3

0.25

马克斯。

200

200

120

2.5

0.5

单位

nA

nA

GHz的

dB

dB

pF

f

T

S

21e

NF

C

re

注2

2

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz时，

Z

S

= Z

选择

V

CB

= 1 V，I

E

= 0 mA时， F = 1兆赫

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

2%

2.

用电容表（自动平衡电桥法）时，集电极基极电容测量

发射极连接到防护销

h

FE

分类

秩

记号

h

FE

价值

FB

kK

60至120

2

数据表P15279EJ1V0DS

PA893TD

典型特征（除另有规定外，T

A

= +25°C)

°

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

（ mW）的

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

re

（PF ）

300

250

200

150

每个元件

100

50

210

190

0.5

F = 1 MHz的

0.4

安装在玻璃环氧树脂板

（ 1.08厘米

2

×

1.0毫米（ t））的

2个元素共

0.3

0.2

0.1

0

25

50

75

100

125

150

0

2

4

6

8

10

环境温度T

A

(C)

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

35

V

CE

= 1 V

30

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

35

V

CE

= 2 V

30

25

20

15

10

5

25

20

15

10

5

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

30

25

20

15

10

5

300

A

270

A

240

A

210

A

180

A

150

A

120

A

90

A

60

A

I

B

= 30

A

0

2

4

6

8

集电极电流I

C

（MA ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

数据表P15279EJ1V0DS

3

PA893TD

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

V

CE

= 1 V

1 000

V

CE

= 2 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

FE

100

直流电流增益

FE

1

10

100

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

4

数据表P15279EJ1V0DS

PA893TD

增益带宽积

与集电极电流

16

增益带宽乘积F

T

（千兆赫）

增益带宽积

与集电极电流

16

增益带宽乘积F

T

（千兆赫）

14

12

10

8

6

4

2

0

1

F = 2 GHz的

V

CE

= 1 V

14

12

10

8

6

4

2

0

1

F = 2 GHz的

V

CE

= 2 V

10

集电极电流I

C

（MA ）

100

10

集电极电流I

C

（MA ）

100

插入功率增益与频率

30

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

插入功率增益与频率

30

25

20

15

10

5

0

0.1

V

CE

= 2 V

I

C

= 5毫安

25

20

15

10

5

0

0.1

V

CE

= 1 V

I

C

= 5毫安

1

频率f（ GHz）的

10

1

频率f（ GHz）的

10

数据表P15279EJ1V0DS

5

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联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

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