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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第285页 > UPA863TD-T3-A
数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
μ
PA863TD
NPN硅射频晶体管（有2种不同的元素）
采用6引脚无引线少MINIMOLD
特点
2个不同的内置晶体管（ 2SC5436 ， 2SC5800 ）
Q1 ：内置高增益晶体管
f
T
= 12.0 GHz的典型值，
S
21e
2
= 9.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
f
T
= 4.5 GHz的典型值，
S
21e
2
= 4.0 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
低电压工作
Q2 ：内置适用于OSC操作低相位失真晶体管
6针引线少minimold包
内置的晶体管
Q1
3引脚薄型超超minimold部分号
2SC5436
Q2
2SC5800
订购信息
产品型号
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （ Q1集电极） ，引脚6 （ Q1基极）所面临的磁带的侧穿孔
μ
PA863TD-A
μ
PA863TD-T3-A
备注
如需订购样品评价，咨询最近的销售部门。
样本股数量为50个。
由于这款产品采用高频技术，避免过多的静电，等等。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
一号文件P15686EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2001年7月NS CP （ K）
μ
PA863TD
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
参数
符号
Q1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
Q2
9
5.5
1.5
100
190
单位
5
3
2
30
90
V
V
V
mA
mW
210的2个元素
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
65
+150
°C
°C
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
2
数据表P15686EJ1V0DS
μ
PA863TD
电气特性（T
A
= +25°C)
°
(1) Q1
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
70
10.0
7.0
典型值。
110
12.0
9.0
1.3
0.4
马克斯。
100
100
140
2.0
0.7
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
pF
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
(2) Q2
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积（ 1 ）
增益带宽积（ 2 ）
插入功率增益（ 1 ）
插入功率增益（ 2 ）
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
100
3.0
5.0
3.0
4.5
典型值。
120
4.5
6.5
4.0
5.5
1.9
0.6
马克斯。
600
600
145
2.5
0.8
单位
nA
nA
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
f
T
f
T
S
21e
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
2
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB
xC
70至140
100 145
数据表P15686EJ1V0DS
3
μ
PA863TD
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
300
总功耗P
合计
（ mW）的
250
200
150
100
210
190
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
2个元素共
Q2
90
Q1
50
0
25
50
75
100
125
150
环境温度T
A
(C)
Q1
Q2
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
F = 1 MHz的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
1.0
F = 1 MHz的
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极基极电压V
CB
(V)
4
数据表P15686EJ1V0DS
μ
PA863TD
Q1
Q2
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0. 9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0. 9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
数据表P15686EJ1V0DS
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