【NEC的NPN硅射频双晶体管特点低电压，低电流工作模式封装尺寸小：1.2毫米X 0.8毫米高度低简介】,IC型号UPA862TD,UPA862TD PDF资料,UPA862TD经销商,ic,电子元器件-51电子网

NEC的NPN硅射频

双晶体管

特点

低电压，低电流工作模式

封装尺寸小：

1.2毫米X 0.8毫米

高度低简介：

1

UPA862TD

外形尺寸

（以毫米单位）

封装外形TD

（ TOP VIEW ）

1.0±0.05

0.8

+0.07

-0.05

（ TOP VIEW ）

0.15±0.05

6

只是0.50毫米高

0.4

两种不同类型DIE ：

Q1 - 理想的缓冲放大器晶体管

Q2 - 非常晶体管振荡器

1.2

+0.07

-0.05

0.8

C1

1

Q1

6

B1

vY

2

5

E1

4

0.4

2

Q2

5

E2

IDEAL 1-2千兆赫OSCILLATORS

3

C2

3

4

B2

描述

NEC的UPA862TD包含一个NE851和NE685 1 NPN

高频硅双极芯片。该NE851是一个极好的

振荡器芯片，具有低1 / f噪声和抗干扰能力强

推动作用。该NE685是一个很好的缓冲晶体管，

具有低噪声和高增益。 NEC的新型超小型TD

包是适合于所有便携式无线应用

减少电路板空间是首要的考虑因素。每个晶体管

芯片独立安装，轻松地配置为振荡

荡器/缓冲放大器和其他应用程序。

0.5±0.05

0.125

+0.1

-0.05

引脚连接

1.收集器（ Q1 ）

2.发射器（ Q1 ）

3.收集器（ Q2 ）

4.基地（ Q2 ）

5.发射器（ Q2 ）

6.基地（ Q1 ）

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 10毫安

增益带宽在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

噪声系数在V

CE

= 3 V，I

C

= 3毫安， F = 2 GHz的

集电极截止电流在V

CB

= 10 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

增益带宽在V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

GHz的

pF

dB

3.0

4.5

GHz的

pF

dB

nA

100

5.0

120

6.5

0.6

4.0

5.5

1.9

2.5

0.8

7

单位

nA

75

10

110

12

0.4

8.5

1.5

2.5

600

145

0.7

民

UPA862TD

TD

典型值

最大

100

150

Q1

f

T

CRE

|S

21E

|

2

NF

I

CBO

I

EBO

h

FE

Q2

f

T

CRE

|S

21E

|

2

|S

21

|S

21E

|

2E

|

2

插入电源GainIat V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

NF

噪声系数在V

CE

= 1 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

s,

占空比

≤

2 %.

当用电容表（自动平衡电桥法）测定2.集电极基极电容，与发射器连接到

的电容计后卫脚。

美国加州东部实验室

UPA862TD

绝对最大额定值

1,2

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

1

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

Q1

9

6

2

30

Q2

9

5.5

1.5

100

订购信息

产品型号

UPA862TD-T3

QUANTITY

10000件/卷

包装

磁带&卷轴

180

192

总计210

150

-65到+150

注： 1.操作超过这些参数中的任何一个的可

造成永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

300

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

2

×1.0毫米（ t））的

250

210

200

2个元素共

190

180

150

Q2

Q1

100

50

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，T

A

(°C)

Q1

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

Q2

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

1.0

反向传输电容，C

re

（PF ）

反向传输电容，C

re

（PF ）

0.5

F = 1 MHz的

0.4

0.8

0.3

0.6

0.2

0.4

0.1

0.2

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 1 V

100

Q2

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 1 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 2 V

100

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 2 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

60

400

a

集电极电流，I

C

（MA ）

50

30

300

a

270

a

240

a

240

a

20

180

a

150

a

120

a

10

90

a

60

a

I

B

= 30

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

360

a

320

a

集电极电流，I

C

（MA ）

40

280

a

240

a

30

200

a

160

a

120

a

20

10

80

a

I

B

= 40

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 1 V

1000

V

CE

= 1 V

Q2

直流电流增益

与集电极电流

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 2 V

1000

直流电流增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

14

10

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

8

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

12

10

8

6

4

2

0

0.1

1

10

100

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

6

4

2

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

Q2

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

V

CE

= 1 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

MAG

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

35

V

CE

= 2 V

I

C

= 10毫安

30

味精

25

MAG

20

15

10

5

0

0.1

V

CE

= 1 V

I

C

= 15毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

|S

21e

|

2

|S

21e

|

2

1

10

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

V

CE

= 3 V

I

C

= 10毫安

30

味精

25

20

15

10

5

0

0.1

MAG

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 2 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

MAG

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

NEC的NPN硅射频

双晶体管

特点

低电压，低电流工作模式

封装尺寸小：

1.2毫米X 0.8毫米

高度低简介：

1

UPA862TD

外形尺寸

（以毫米单位）

封装外形TD

（ TOP VIEW ）

1.0±0.05

0.8

+0.07

-0.05

（ TOP VIEW ）

0.15±0.05

6

只是0.50毫米高

0.4

两种不同类型DIE ：

Q1 - 理想的缓冲放大器晶体管

Q2 - 非常晶体管振荡器

1.2

+0.07

-0.05

0.8

C1

1

Q1

6

B1

vY

2

5

E1

4

0.4

2

Q2

5

E2

IDEAL 1-2千兆赫OSCILLATORS

3

C2

3

4

B2

描述

NEC的UPA862TD包含一个NE851和NE685 1 NPN

高频硅双极芯片。该NE851是一个极好的

振荡器芯片，具有低1 / f噪声和抗干扰能力强

推动作用。该NE685是一个很好的缓冲晶体管，

具有低噪声和高增益。 NEC的新型超小型TD

包是适合于所有便携式无线应用

减少电路板空间是首要的考虑因素。每个晶体管

芯片独立安装，轻松地配置为振荡

荡器/缓冲放大器和其他应用程序。

0.5±0.05

0.125

+0.1

-0.05

引脚连接

1.收集器（ Q1 ）

2.发射器（ Q1 ）

3.收集器（ Q2 ）

4.基地（ Q2 ）

5.发射器（ Q2 ）

6.基地（ Q1 ）

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 10毫安

增益带宽在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

噪声系数在V

CE

= 3 V，I

C

= 3毫安， F = 2 GHz的

集电极截止电流在V

CB

= 10 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

增益带宽在V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

GHz的

pF

dB

3.0

4.5

GHz的

pF

dB

nA

100

5.0

120

6.5

0.6

4.0

5.5

1.9

2.5

0.8

7

单位

nA

75

10

110

12

0.4

8.5

1.5

2.5

600

145

0.7

民

UPA862TD

TD

典型值

最大

100

150

Q1

f

T

CRE

|S

21E

|

2

NF

I

CBO

I

EBO

h

FE

Q2

f

T

CRE

|S

21E

|

2

|S

21

|S

21E

|

2E

|

2

插入电源GainIat V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

NF

噪声系数在V

CE

= 1 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

s,

占空比

≤

2 %.

当用电容表（自动平衡电桥法）测定2.集电极基极电容，与发射器连接到

的电容计后卫脚。

美国加州东部实验室

UPA862TD

绝对最大额定值

1,2

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

1

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

Q1

9

6

2

30

Q2

9

5.5

1.5

100

订购信息

产品型号

UPA862TD-T3

QUANTITY

10000件/卷

包装

磁带&卷轴

180

192

总计210

150

-65到+150

注： 1.操作超过这些参数中的任何一个的可

造成永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

300

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

2

×1.0毫米（ t））的

250

210

200

2个元素共

190

180

150

Q2

Q1

100

50

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，T

A

(°C)

Q1

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

Q2

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

1.0

反向传输电容，C

re

（PF ）

反向传输电容，C

re

（PF ）

0.5

F = 1 MHz的

0.4

0.8

0.3

0.6

0.2

0.4

0.1

0.2

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 1 V

100

Q2

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 1 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 2 V

100

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 2 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

60

400

a

集电极电流，I

C

（MA ）

50

30

300

a

270

a

240

a

240

a

20

180

a

150

a

120

a

10

90

a

60

a

I

B

= 30

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

360

a

320

a

集电极电流，I

C

（MA ）

40

280

a

240

a

30

200

a

160

a

120

a

20

10

80

a

I

B

= 40

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 1 V

1000

V

CE

= 1 V

Q2

直流电流增益

与集电极电流

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 2 V

1000

直流电流增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

14

10

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

8

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

12

10

8

6

4

2

0

0.1

1

10

100

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

6

4

2

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

Q2

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

V

CE

= 1 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

MAG

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

35

V

CE

= 2 V

I

C

= 10毫安

30

味精

25

MAG

20

15

10

5

0

0.1

V

CE

= 1 V

I

C

= 15毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

|S

21e

|

2

|S

21e

|

2

1

10

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

V

CE

= 3 V

I

C

= 10毫安

30

味精

25

20

15

10

5

0

0.1

MAG

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 2 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

MAG

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

NEC的NPN硅射频

双晶体管

特点

低电压，低电流工作模式

封装尺寸小：

1.2毫米X 0.8毫米

高度低简介：

1

UPA862TD

外形尺寸

（以毫米单位）

封装外形TD

（ TOP VIEW ）

1.0±0.05

0.8

+0.07

-0.05

（ TOP VIEW ）

0.15±0.05

6

只是0.50毫米高

0.4

两种不同类型DIE ：

Q1 - 理想的缓冲放大器晶体管

Q2 - 非常晶体管振荡器

1.2

+0.07

-0.05

0.8

C1

1

Q1

6

B1

vY

2

5

E1

4

0.4

2

Q2

5

E2

IDEAL 1-2千兆赫OSCILLATORS

3

C2

3

4

B2

描述

NEC的UPA862TD包含一个NE851和NE685 1 NPN

高频硅双极芯片。该NE851是一个极好的

振荡器芯片，具有低1 / f噪声和抗干扰能力强

推动作用。该NE685是一个很好的缓冲晶体管，

具有低噪声和高增益。 NEC的新型超小型TD

包是适合于所有便携式无线应用

减少电路板空间是首要的考虑因素。每个晶体管

芯片独立安装，轻松地配置为振荡

荡器/缓冲放大器和其他应用程序。

0.5±0.05

0.125

+0.1

-0.05

引脚连接

1.收集器（ Q1 ）

2.发射器（ Q1 ）

3.收集器（ Q2 ）

4.基地（ Q2 ）

5.发射器（ Q2 ）

6.基地（ Q1 ）

电气特性

(T

A

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数和条件

集电极截止电流在V

CB

= 5 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 10毫安

增益带宽在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

噪声系数在V

CE

= 3 V，I

C

= 3毫安， F = 2 GHz的

集电极截止电流在V

CB

= 10 V，I

E

= 0

发射极截止电流在V

EB

= 1 V，I

C

= 0

直流电流增益

1

在V

CE

= 3 V，I

C

= 7毫安

增益带宽在V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

反馈电容

2

在V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

插入功率增益在V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

GHz的

pF

dB

3.0

4.5

GHz的

pF

dB

nA

100

5.0

120

6.5

0.6

4.0

5.5

1.9

2.5

0.8

7

单位

nA

75

10

110

12

0.4

8.5

1.5

2.5

600

145

0.7

民

UPA862TD

TD

典型值

最大

100

150

Q1

f

T

CRE

|S

21E

|

2

NF

I

CBO

I

EBO

h

FE

f

T

CRE

|S

21E

|

2

Q2

|S

21

|S

21E

|

2E

|

2

插入电源GainIat V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

NF

噪声系数在V

CE

= 1 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度

≤

350

s,

占空比

≤

2 %.

当用电容表（自动平衡电桥法）测定2.集电极基极电容，与发射器连接到

的电容计后卫脚。

美国加州东部实验室

UPA862TD

绝对最大额定值

1,2

(T

A

= 25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

T

J

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

1

结温

储存温度

单位

V

mA

mW

°C

评级

Q1

9

6

2

30

Q2

9

5.5

1.5

100

订购信息

产品型号

UPA862TD-T3-A

QUANTITY

10000件/卷

包装

磁带&卷轴

180

192

总计210

150

-65到+150

注： 1.操作超过这些参数中的任何一个的可

造成永久性损坏。

2.安装在1.08厘米

2

×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

300

总功率耗散，P

合计

（ mW）的

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

2

×1.0毫米（ t））的

250

210

190

180

200

2个元素共

150

Q2

Q1

100

50

0

25

50

75

100

125

150

环境温度，T

A

(°C)

Q1

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

Q2

REVERSE的TransFR电容与

集电极 - 基极电压

反向传输电容，C

re

（PF ）

反向传输电容，C

re

（PF ）

0.5

F = 1 MHz的

1.0

F = 1 MHz的

0.4

0.8

0.3

0.6

0.2

0.4

0.1

0.2

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

集电极 - 基极电压，V

CB

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 1 V

100

Q2

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 1 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

V

CE

= 2 V

100

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

V

CE

= 2 V

集电极电流，I

C

（MA ）

1

集电极电流，I

C

（MA ）

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

10

1

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基地发射极电压，V

BE

(V)

基地发射极电压，V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

40

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

60

400

a

集电极电流，I

C

（MA ）

50

30

300

a

270

a

240

a

240

a

20

180

a

150

a

120

a

10

90

a

60

a

I

B

= 30

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

360

a

320

a

集电极电流，I

C

（MA ）

40

280

a

240

a

30

200

a

160

a

120

a

20

10

80

a

I

B

= 40

a

0

1

2

3

4

5

6

7

8

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

集电极到发射极电压，V

CE

(V)

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 1 V

1000

V

CE

= 1 V

Q2

直流电流增益

与集电极电流

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

直流电流增益

与集电极电流

1000

V

CE

= 2 V

1000

直流电流增益

与集电极电流

V

CE

= 2 V

直流电流增益，H

FE

100

直流电流增益，H

FE

1

10

100

10

0.1

10

0.1

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

14

10

集电极电流，I

C

（MA ）

增益带宽积

与集电极电流

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

8

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

12

10

8

6

4

2

0

0.1

1

10

100

增益带宽积，女

T

（千兆赫）

V

CE

= 2 V

F = 2 GHz的

6

4

2

0

1

10

100

集电极电流，I

C

（MA ）

集电极电流，I

C

（MA ）

UPA862TD

典型性能曲线

(T

A

= 25°C)

Q1

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

Q2

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 1 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

MAG

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

35

V

CE

= 2 V

I

C

= 10毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

V

CE

= 1 V

I

C

= 15毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

|S

21e

|

2

味精

MAG

|S

21e

|

2

1

10

1

10

频率f （ GHz）的

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

35

插入功率增益，

MAG ， MSG与频率的关系

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

插入功率增益| S

21e

|

2

（ dB）的

最大可用增益， MAG （分贝）

最大稳定增益，味精（分贝）

V

CE

= 3 V

I

C

= 10毫安

30

25

20

15

10

5

0

0.1

味精

MAG

V

CE

= 2 V

I

C

= 5毫安

30

25

味精

20

15

10

5

|S

21e

|

2

0

0.1

1

10

MAG

|S

21e

|

2

1

10

频率f （ GHz）的

初步

数据表

μ

PA862TD

NPN硅射频晶体管晶体管（带2个不同的元素）

采用6引脚无引线少MINIMOLD

特点

低电压工作

<R>

2个不同的内置晶体管（ 2SC5010 ， 2SC5801 ）

Q1 ：内置高增益晶体管

f

T

= 12.0 GHz的典型值，

S

21e

2

= 8.5 dB典型值。 @ V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

Q2 ：内置适用于OSC操作低相位失真晶体管

f

T

= 4.5 GHz的典型值，

S

21e

2

= 4.0 dB典型值。 @ V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

6针引线少minimold包

R09DS0032EJ0200

Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

内置的晶体管

Q1

<R>

3引脚薄型超超minimold部分号

2SC5010

Q2

2SC5801

<R>

订购信息

产品型号

μ

PA862TD

μ

PA862TD-T3

订单号

μ

PA862TD-A

μ

PA862TD-T3-A

QUANTITY

50个（非卷轴）

10千件/卷

包

6针引线-less minimold

（ 1208 ）（无铅）

供给方式

8毫米宽压纹带卷

引脚1 （ Q1集电极），引脚6 （ Q1基极）面

带的穿孔侧

备注

如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为50个。

小心

观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。

标记<R>表示主要修改点。

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

R09DS0032EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第18页1

μ

PA862TD

绝对最大额定值（T

A

= +25°C)

参数

符号

Q1

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

记

评级

Q2

9

5.5

1.5

100

190

单位

9

6

2

30

180

V

mA

mW

°C

210的2个元素

结温

储存温度

T

j

T

英镑

150

65

+150

2

记

安装在1.08厘米

×

1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

R09DS0032EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第18页2

μ

PA862TD

电气特性（T

A

= +25°C)

(1) Q1

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积

插入功率增益

噪声系数

反向传输电容

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

注1

测试条件

V

CB

= 5 V，I

E

= 0

V

BE

= 1 V，I

C

= 0

V

CE

= 3 V，I

C

= 10毫安

V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

分钟。

75

10.0

7.0

典型值。

110

12.0

8.5

1.5

0.4

马克斯。

100

150

2.5

0.7

单位

nA

GHz的

dB

pF

f

T

S

21e

NF

C

re

注2

2

V

CE

= 3 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz的

V

CE

= 3 V，I

C

= 3毫安， F = 2 GHz时，

Z

S

= Z

选择

V

CB

= 3 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

(2) Q2

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

增益带宽积（ 1 ）

增益带宽积（ 2 ）

插入功率增益（ 1 ）

插入功率增益（ 2 ）

噪声系数

反向传输电容

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

注1

测试条件

V

CB

= 5 V，I

E

= 0

V

BE

= 1 V，I

C

= 0

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

分钟。

100

3.0

5.0

3.0

4.5

典型值。

120

4.5

6.5

4.0

5.5

1.9

0.6

马克斯。

600

145

2.5

0.8

单位

nA

GHz的

dB

pF

f

T

f

T

S

21e

S

21e

NF

C

re

注2

2

V

CE

= 1 V，I

C

= 5毫安， F = 2 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 15 mA时， F = 2 GHz的

V

CE

= 1 V，I

C

= 10 mA时， F = 2 GHz时，

Z

S

= Z

选择

V

CB

= 0.5 V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

2

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

μ

S，占空比

≤

2%

2.

集电极基极电容，当发射器接地

h

FE

分类

秩

记号

h

FE

Q1的价值

h

FE

Q2的价值

FB / YFB

vY

75至150

100 145

R09DS0032EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第18页3

μ

PA862TD

典型特征（除另有规定外，T

A

= +25°C)

总功耗

- 环境温度

300

总功耗P

合计

（ mW）的

250

200

190

180

210

安装在玻璃环氧树脂印刷电路板

（ 1.08厘米

2

×

1.0毫米（ t））的

2个元素共

150

100

50

Q2

Q1

0

25

50

75

100

125

150

环境温度T

A

(C)

Q1

Q2

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

re

（PF ）

反向传输电容C

re

（PF ）

0.5

F = 1 MHz的

0.4

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

1.0

F = 1 MHz的

0.8

0.3

0.6

0.2

0.4

0.1

0.2

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极基极电压V

CB

(V)

备注

该图表显示的标称特性。

R09DS0032EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第18页4

μ

PA862TD

Q1

Q2

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

10

1

0.1

0.01

0.001

V

CE

= 1 V

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

10

1

0.1

0.01

0.001

V

CE

= 1 V

集电极电流I

C

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

10

1

0.1

0.01

0.001

V

CE

= 2 V

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

10

1

0.1

0.01

0.001

V

CE

= 2 V

集电极电流I

C

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

10

1

0.1

0.01

0.001

V

CE

= 3 V

集电极电流I

C

（MA ）

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

BE

(V)

备注

该图表显示的标称特性。

R09DS0032EJ0200 Rev.2.00

二〇一一年十二月一十九日

第18页5