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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第251页 > UPA862TD-T3-A
NEC的NPN硅射频
双晶体管
特点
低电压，低电流工作模式
封装尺寸小：
1.2毫米X 0.8毫米
高度低简介：
1
UPA862TD
外形尺寸
（以毫米单位）
封装外形TD
（ TOP VIEW ）
1.0±0.05
0.8
+0.07
-0.05
（ TOP VIEW ）
0.15±0.05
6
只是0.50毫米高
0.4
两种不同类型DIE ：
Q1 - 理想的缓冲放大器晶体管
Q2 - 非常晶体管振荡器
1.2
+0.07
-0.05
0.8
C1
1
Q1
6
B1
vY
2
5
E1
4
0.4
2
Q2
5
E2
IDEAL 1-2千兆赫OSCILLATORS
3
C2
3
4
B2
描述
NEC的UPA862TD包含一个NE851和NE685 1 NPN
高频硅双极芯片。该NE851是一个极好的
振荡器芯片，具有低1 / f噪声和抗干扰能力强
推动作用。该NE685是一个很好的缓冲晶体管，
具有低噪声和高增益。 NEC的新型超小型TD
包是适合于所有便携式无线应用
减少电路板空间是首要的考虑因素。每个晶体管
芯片独立安装，轻松地配置为振荡
荡器/缓冲放大器和其他应用程序。
0.5±0.05
0.125
+0.1
-0.05
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容
2
在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容
2
在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
dB
3.0
4.5
GHz的
pF
dB
dB
nA
nA
100
5.0
120
6.5
0.6
4.0
5.5
1.9
2.5
0.8
7
单位
nA
nA
75
10
110
12
0.4
8.5
1.5
2.5
600
600
145
0.7
民
UPA862TD
TD
典型值
最大
100
100
150
Q1
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
|S
21E
|
2
Q2
|S
21
|S
21E
|
2E
|
2
插入电源GainIat V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
NF
噪声系数在V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
当用电容表（自动平衡电桥法）测定2.集电极基极电容，与发射器连接到
的电容计后卫脚。
美国加州东部实验室
UPA862TD
绝对最大额定值
1,2
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
Q1
9
6
2
30
Q2
9
5.5
1.5
100
订购信息
产品型号
UPA862TD-T3-A
QUANTITY
10000件/卷
包装
磁带&卷轴
180
192
总计210
150
150
-65到+150
注： 1.操作超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
2.安装在1.08厘米
2
×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
300
总功率耗散，P
合计
（ mW）的
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
×1.0毫米（ t））的
250
210
190
180
200
2个元素共
150
Q2
Q1
100
50
0
25
50
75
100
125
150
环境温度，T
A
(°C)
Q1
REVERSE的TransFR电容与
集电极 - 基极电压
Q2
REVERSE的TransFR电容与
集电极 - 基极电压
反向传输电容，C
re
（PF ）
反向传输电容，C
re
（PF ）
0.5
F = 1 MHz的
1.0
F = 1 MHz的
0.4
0.8
0.3
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
UPA862TD
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
Q1
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
100
Q2
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 1 V
集电极电流，I
C
（MA ）
1
集电极电流，I
C
（MA ）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
10
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
100
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 2 V
集电极电流，I
C
（MA ）
1
集电极电流，I
C
（MA ）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
10
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
60
400
a
集电极电流，I
C
（MA ）
50
30
300
a
270
a
240
a
240
a
20
180
a
150
a
120
a
10
90
a
60
a
I
B
= 30
a
0
1
2
3
4
5
6
7
8
360
a
320
a
集电极电流，I
C
（MA ）
40
280
a
240
a
30
200
a
160
a
120
a
20
10
80
a
I
B
= 40
a
0
1
2
3
4
5
6
7
8
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
UPA862TD
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
Q1
直流电流增益
与集电极电流
1000
V
CE
= 1 V
1000
V
CE
= 1 V
Q2
直流电流增益
与集电极电流
直流电流增益，H
FE
100
直流电流增益，H
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
直流电流增益
与集电极电流
1000
V
CE
= 2 V
1000
直流电流增益
与集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益，H
FE
100
直流电流增益，H
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
14
10
集电极电流，I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
8
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
6
4
2
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
UPA862TD
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
Q1
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
35
35
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
味精
MAG
Q2
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
V
CE
= 1 V
I
C
= 5毫安
30
25
味精
20
MAG
15
10
5
|S
21e
|
2
0
0.1
1
10
|S
21e
|
2
1
10
频率f （ GHz）的
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
频率f （ GHz）的
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
35
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
35
V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
味精
MAG
V
CE
= 1 V
I
C
= 15毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
|S
21e
|
2
味精
MAG
|S
21e
|
2
1
10
1
10
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
35
35
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定增益，味精（分贝）
V
CE
= 3 V
I
C
= 10毫安
30
25
20
15
10
5
0
0.1
味精
MAG
V
CE
= 2 V
I
C
= 5毫安
30
25
味精
20
15
10
5
|S
21e
|
2
0
0.1
1
10
MAG
|S
21e
|
2
1
10
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
初步
数据表
μ
PA862TD
NPN硅射频晶体管晶体管（带2个不同的元素）
采用6引脚无引线少MINIMOLD
特点
低电压工作
<R>
2个不同的内置晶体管（ 2SC5010 ， 2SC5801 ）
Q1 ：内置高增益晶体管
f
T
= 12.0 GHz的典型值，
S
21e
2
= 8.5 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
Q2 ：内置适用于OSC操作低相位失真晶体管
f
T
= 4.5 GHz的典型值，
S
21e
2
= 4.0 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
6针引线少minimold包
R09DS0032EJ0200
Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
内置的晶体管
Q1
<R>
3引脚薄型超超minimold部分号
2SC5010
Q2
2SC5801
<R>
订购信息
产品型号
μ
PA862TD
μ
PA862TD-T3
订单号
μ
PA862TD-A
μ
PA862TD-T3-A
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
包
6针引线-less minimold
（ 1208 ） （无铅）
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （ Q1集电极） ，引脚6 （ Q1基极）面
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页1
μ
PA862TD
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
符号
Q1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
Q2
9
5.5
1.5
100
190
单位
9
6
2
30
180
V
V
V
mA
mW
°C
°C
210的2个元素
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
65
+150
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页2
μ
PA862TD
电气特性（T
A
= +25°C)
(1) Q1
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
BE
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
75
10.0
7.0
典型值。
110
12.0
8.5
1.5
0.4
马克斯。
100
100
150
2.5
0.7
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
pF
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
(2) Q2
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积（ 1 ）
增益带宽积（ 2 ）
插入功率增益（ 1 ）
插入功率增益（ 2 ）
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
BE
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
100
3.0
5.0
3.0
4.5
典型值。
120
4.5
6.5
4.0
5.5
1.9
0.6
马克斯。
600
600
145
2.5
0.8
单位
nA
nA
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
f
T
f
T
S
21e
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 15 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
2
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容，当发射器接地
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB / YFB
vY
75至150
100 145
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页3
μ
PA862TD
典型特征（除另有规定外，T
A
= +25°C)
总功耗
- 环境温度
300
总功耗P
合计
（ mW）的
250
200
190
180
210
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
2个元素共
150
100
50
Q2
Q1
0
25
50
75
100
125
150
环境温度T
A
(C)
Q1
Q2
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
反向传输电容C
re
（PF ）
0.5
F = 1 MHz的
0.4
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.3
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极基极电压V
CB
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页4
μ
PA862TD
Q1
Q2
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页5
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