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初步
数据表
μ
PA862TD
NPN硅射频晶体管晶体管(带2个不同的元素)
采用6引脚无引线少MINIMOLD
特点
低电压工作
<R>
2个不同的内置晶体管( 2SC5010 , 2SC5801 )
Q1 :内置高增益晶体管
f
T
= 12.0 GHz的典型值,
S
21e
2
= 8.5 dB典型值。 @ V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
Q2 :内置适用于OSC操作低相位失真晶体管
f
T
= 4.5 GHz的典型值,
S
21e
2
= 4.0 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
6针引线少minimold包
R09DS0032EJ0200
Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
内置的晶体管
Q1
<R>
3引脚薄型超超minimold部分号
2SC5010
Q2
2SC5801
<R>
订购信息
产品型号
μ
PA862TD
μ
PA862TD-T3
订单号
μ
PA862TD-A
μ
PA862TD-T3-A
QUANTITY
50个(非卷轴)
10千件/卷
6针引线-less minimold
( 1208 ) (无铅)
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 ( Q1集电极) ,引脚6 ( Q1基极)面
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场:修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页1
μ
PA862TD
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
参数
符号
Q1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
Q2
9
5.5
1.5
100
190
单位
9
6
2
30
180
V
V
V
mA
mW
°C
°C
210的2个元素
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
65
+150
2
安装在1.08厘米
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页2
μ
PA862TD
电气特性(T
A
= +25°C)
(1) Q1
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V,I
E
= 0
V
BE
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
分钟。
75
10.0
7.0
典型值。
110
12.0
8.5
1.5
0.4
马克斯。
100
100
150
2.5
0.7
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
pF
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
(2) Q2
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积( 1 )
增益带宽积( 2 )
插入功率增益( 1 )
插入功率增益( 2 )
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V,I
E
= 0
V
BE
= 1 V,I
C
= 0
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 15 mA时, F = 2 GHz的
分钟。
100
3.0
5.0
3.0
4.5
典型值。
120
4.5
6.5
4.0
5.5
1.9
0.6
马克斯。
600
600
145
2.5
0.8
单位
nA
nA
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
f
T
f
T
S
21e
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 15 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
2
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
μ
S,占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB / YFB
vY
75至150
100 145
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页3
μ
PA862TD
典型特征(除另有规定外,T
A
= +25°C)
总功耗
- 环境温度
300
总功耗P
合计
( mW)的
250
200
190
180
210
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
( 1.08厘米
2
×
1.0毫米( t))的
2个元素共
150
100
50
Q2
Q1
0
25
50
75
100
125
150
环境温度T
A
(C)
Q1
Q2
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
反向传输电容C
re
(PF )
0.5
F = 1 MHz的
0.4
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.3
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极基极电压V
CB
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页4
μ
PA862TD
Q1
Q2
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
(MA )
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
(MA )
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
(MA )
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
R09DS0032EJ0200 Rev.2.00
二〇一一年十二月一十九日
第18页5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA862TD-A
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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