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数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA846TC
NPN硅射频晶体管(有2种不同的元素)
在一个平面- LEAD 6 -PIN薄型超超MINIMOLD
特点
2个不同的内置晶体管( 2SC5603 , 2SC5676 )
Q1 : 13.5 GHz的F
T
高增益晶体管
f
T
= 13.5 GHz的典型值,
S
21e
2
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
Q2 :内置低电压操作,低相位失真晶体管适用于OSC操作
f
T
= 5.5 GHz的典型值,
S
21e
2
= 4.0 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
扁平引脚6引脚薄型超超minimold包
内置的晶体管
Q1
3引脚薄型超超minimold部分号
2SC5603
Q2
2SC5676
订购信息
产品型号
QUANTITY
50个(非卷轴)
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚6 ( Q1基极) ,引脚5 ( Q2发射极) ,引脚4 ( Q2基极)
面对带的穿孔侧
PA846TC
PA846TC-T1
备注
如需订购样品评价,咨询公司销售代表。
样本股数量为50个。
由于这款产品采用高频技术,避免过多的静电,等等。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P15359EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期2001年3月NS CP ( K)
日本印刷
2001
PA846TC
绝对最大额定值(T
A
= +25°C)
°
参数
符号
Q1
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
Q2
9
5.5
1.5
100
单位
15
6
2
35
V
V
V
mA
mW
°C
°C
200在1元
230的2个元素
150
65
+150
T
j
T
英镑
2
安装在1.08厘米
×
1.0毫米(t)的玻璃环氧基板
电气特性(T
A
= +25°C)
°
(1) Q1
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
分钟。
60
12.0
8.5
典型值。
90
13.5
10.0
1.3
0.25
马克斯。
200
200
120
2.5
0.5
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
pF
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
(2) Q2
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
增益带宽积
插入功率增益
噪声系数
反向传输电容
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
测试条件
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
BE
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
分钟。
100
4.0
2.5
典型值。
5.5
4.0
1.8
0.9
马克斯。
200
200
145
3.0
1.2
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
pF
f
T
S
21e
NF
C
re
注2
2
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5。 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
S,占空比
2%
2.
用电容表(自动平衡电桥法)时,集电极基极电容测量
发射极连接到防护销
2
数据表P15359EJ1V0DS
PA846TC
h
FE
分类
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB
2F
60至120
100 145
数据表P15359EJ1V0DS
3
PA846TC
典型特征(除另有规定外,T
A
= +25°C)
°
总功耗
- 环境温度
300
总功耗P
合计
( mW)的
250
230
200
150
100
50
安装在玻璃环氧树脂板
( 1.08厘米
2
×
1.0毫米( t))的
2个元素共
每个元件
0
25
50
75
100
125
150
环境温度T
A
(C)
Q1
Q2
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
F = 1 MHz的
0.4
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
(PF )
1.2
F = 1 MHz的
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.5
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
35
V
CE
= 1 V
30
100
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
(MA )
25
20
15
10
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
集电极电流I
C
(MA )
80
60
40
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
数据表P15359EJ1V0DS
4
PA846TC
Q1
Q2
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
460
A
410
A
360
A
310
A
260
A
20
210
A
160
A
10
110
A
60
A
I
B
= 10
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
40
200
A
180
A
160
A
140
A
20
120
A
100
A
10
80
A
60
A
40
A
1
2
3
4
I
B
= 20
A
5
6
7
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
30
30
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 1 V
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
数据表P15359EJ1V0DS
5
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