【数据表NPN硅射频晶体管晶体管PA840TCNPN硅外延晶体管（有2种不同的元素）在一个平面- LE】,IC型号UPA840TC,UPA840TC PDF资料,UPA840TC经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

NPN硅射频晶体管晶体管

PA840TC

NPN硅外延晶体管（有2种不同的元素）

在一个平面- LEAD 6 -PIN薄型超超MINIMOLD包装

描述

该

PA840TC内置有两个不同的晶体管（ Q1和Q2 ），用于低噪声放大，在VHF频带到

UHF频段。

特点

- 低噪声

Q1 ： NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V

= 3 V，I

= 3毫安

Q2 ： NF = 1.4 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V

= 3 V，I

= 7毫安

高增益

Q1 :

21e

= 8.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V

= 3 V，I

= 10毫安

Q2 :

21e

= 12.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V

= 3 V，I

= 7毫安

扁平引脚6引脚薄型超超minimold包

内置2个不同的晶体管（ 2SC5010 ， 2SC5007 ）

内置的晶体管

3针超超minimold部分号

2SC5010

2SC5007

订购信息

产品型号

包

扁平引线6针

瘦型超

超级Minimold

QUANTITY

松散产品

（ 50 PCS ）

编带产品

（ 3 KP /卷）

供给方式

8mm宽的压纹带。

引脚6 （ Q1基极），引脚5 （ Q2发射极），引脚4 （ Q2基极）面穿孔

带的一侧。

PA840TC

PA840TC-T1

备注

如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。（样品订购部件号：

PA840TC.)

小心静电敏感器件

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

一号文件P14556EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1999年11月 CP （ K）

日本印刷

1999

PA840TC

绝对最大额定值（T

= +25°C)

评级

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

总功耗

符号

CBO

首席执行官

EBO

记

单位

1.5

200在1元

230的2个元素

在1单元180

结温

储存温度

英镑

150

+150

150

°C

记

安装在1.08厘米

1.0毫米玻璃环氧基板。

电气特性（T

= +25°C)

(1) Q1

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

反馈电容

插入功率增益

噪声系数

符号

CBO

EBO

21e

条件

= 5 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 3 V，I

= 10毫安

注1

分钟。

10.0

7.0

典型值。

12.0

0.4

8.5

1.5

马克斯。

0.1

150

0.7

2.5

单位

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

= 3 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

注2

GHz的

= 3 V，I

= 10 mA时， F = 2 GHz的

= 3 V，I

= 3毫安， F = 2 GHz的

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容

法），与发射器连接到守护的电容表引脚。

数据表P14556EJ1V0DS00

PA840TC

(2) Q2

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

增益带宽积

反馈电容

插入功率增益

噪声系数

符号

CBO

EBO

21e

条件

= 10 V，I

= 0

= 1 V，I

= 0

= 3 V，I

= 7毫安

注1

分钟。

4.5

10.0

典型值。

7.0

12.0

1.4

马克斯。

0.8

150

0.9

2.7

单位

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

= 3 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

注2

GHz的

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

= 3 V，I

= 7 mA时， F = 1 GHz的

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容

法），与发射器连接到守护的电容表引脚。

分类

秩

记号

Q1的价值

Q2的价值

75至150

70至150

数据表P14556EJ1V0DS00

PA840TC

典型特征（T

= +25°C)

总功耗对比

环境温度

230

2个元素共

自由的空气

230

200

每个元件

(Q2)

100

总功耗对比

环境温度

2个元素共

自由的空气

总功耗P

（ mW）的

180

每

元素

(Q1)

100

总功耗P

（ mW）的

100

150

100

150

环境温度T

(°C)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

= 3 V

环境温度T

(°C)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

= 3 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

0.5

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

1.0

0.5

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

1.0

= 160

= 140

= 120

= 100

= 80

= 60

= 40

= 20

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

= 160

= 140

= 120

= 100

= 80

= 60

= 40

= 20

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

数据表P14556EJ1V0DS00

PA840TC

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 3 V

1 000

= 3 V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

100

直流电流增益

0.1

100

0.01

0.1

集电极电流I

（MA ）

增益带宽积主场迎战

集电极电流

集电极电流I

（MA ）

增益带宽积主场迎战

集电极电流

18.00

增益带宽乘积F

（千兆赫）

= 3 V

16.00 F = 2 GHz的

14.00

12.00

10.00

8.00

6.00

4.00

2.00

0.00

集电极电流I

（MA ）

插入功率增益与

集电极电流

12.00

插入功率增益

21e

（ dB）的

= 3 V

11.00 F = 2 GHz的

16.00

插入功率增益

21e

（ dB）的

14.00

12.00

10.00

8.00

6.00

4.00

100

8.00

增益带宽乘积F

（千兆赫）

= 3 V

7.00 F = 1 GHz的

6.00

5.00

4.00

3.00

2.00

1.00

0.00

集电极电流I

（MA ）

插入功率增益与

集电极电流

= 3 V

F = 1 GHz的

100

10.00

9.00

8.00

7.00

6.00

5.00

4.00

集电极电流I

（MA ）

100

集电极电流I

（MA ）

100

数据表P14556EJ1V0DS00