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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第27页 > UPA835TF
初步数据表
NPN硅外延晶体管晶体管
UPA835TF
特点
低噪音:
Q1 : NF = 1.5 dB典型值,在f = 2 GHz时, V
CE
= 3 V , LC = 3毫安
Q2 : NF = 1.2 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V , LC = 7毫安
高增益:
Q1 : | S
21E
|
2
= 8.5 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 10毫安
Q2 : | S
21E
|
2
= 9.0分贝TYP在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 7毫安
6 -PIN薄型迷你小注模封装
2不同的内置晶体管
(Q
1
: NE685 ,Q
2
: NE856 )
外形尺寸
(以毫米单位)
封装外形TS06 (顶视图)
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
2.0
±
0.2
1.3
1
6
0.22
- 0.05
(所有引线)
+0.10
2
5
3
4
0.6
±
0.1
0.45
0 ~ 0.1
0.13
±
0.05
描述
该UPA835TF有两个不同的内置晶体管低成本
放大器和振荡器应用在VHF / UHF波段。低
噪声系数,高增益,高电流容量,并且介质
输出给该设备的高动态范围和优良的
线性度为两级放大器。该器件还非常
适合用于VCO /缓冲放大器应用中使用。该
更薄的封装形式允许更高密度的设计。
引脚连接
1.收集器( Q1 )
2.发射器( Q1 )
3.收集器( Q2 )
4.基地( Q2 )
5.发射器( Q2 )
6.基地( Q1 )
注意:
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q1
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q2
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流
反馈
收益
1
at
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
GHz的
pF
dB
dB
A
A
100
GHz的
pF
dB
dB
7
3.0
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
7
在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
电容
2
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
反馈
电容
2
在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
单位
A
A
75
12
0.4
8.5
1.5
2.5
1.0
1.0
145
0.7
UPA835TF
TS06
典型值
最大
0.1
0.1
150
注意事项: 1,脉冲测量,脉冲宽度
350
s,
占空比
2 %.
当用电容表(自动平衡电桥法) ,与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容计销。
美国加州东部实验室
UPA835TF
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
Q1
9
6
2
30
Q2
20
12
3
100
150
150
2
200
150
150
-65到+150
注: 1.操作超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
2.当操作这两种设备中,功率耗散为
任一设备不应超过110毫瓦。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
Q2
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
2个元素共
200
2个元素共
200
用1元时, Q1
用1元时, Q2
在使用Q1
2元
100
在使用Q2
2元
100
0
50
100
150
0
8
100
150
环境温度,T
A
(°C)
环境温度,T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
50
V
CE
= 3 V
40
20
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
集电极电流, LC (毫安)
30
集电极电流, LC (毫安)
10
20
10
0
0.5
1.0
0
0.5
1.0
基地发射极电压,V
BE
(V)
基地发射极电压,V
BE
(V)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
60
500
A
25
Q2
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
l
B
=160
A
140
A
400
A
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
50
20
120
A
15
100
A
80
A
10
60
A
40
A
5
20
A
40
300
A
30
200
A
20
l
B
=100
A
10
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 3 V
直流电流增益,H
FE
5V
V
CE
= 3 V
100
直流电流增益,H
FE
50 100
100
50
20
0
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
14
增益带宽积主场迎战
集电极电流
20
F = 2 GHz的
5V
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
12
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
10
10
3V
8
5
V
CE
= 1 V
6
2
4
2
0.5
1
2
5
10
20
50
1
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
插入功率增益与
集电极电流
10
15
Q2
插入功率增益与
集电极电流
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
F = 2 GHz的
5V
8
3V
10
6
V
CE
= 1 V
5
4
2
0.5
2
5
10
20
50
0
0.5
1
5
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
噪声系数与
集电极电流
4
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
6
噪声系数与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
噪声系数NF ( dB)的
3
噪声系数NF ( dB)的
4
2
2
1
0
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0.5
1.0
5.0
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
0.6
F = 1 MHz的
5.0
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
反馈电容,肌酐(PF )
0.5
反馈电容,肌酐(PF )
0.5
1
2
5
10
20
2.0
1.0
0.4
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q2
插入功率增益与
频率
24
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
LC = 7毫安
20
16
12
8
4
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
频率f ( GHz)的
典型的散射参数
Q1
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安,Z
0
= 50
频率
(千兆赫)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.50
1.70
2.00
2.50
3.00
MAG
0.98
0.97
0.95
0.93
0.90
0.87
0.84
0.80
0.76
0.73
0.64
0.51
0.43
0.35
0.31
0.35
S
11
-5.93
-11.90
-18.17
-24.00
-30.10
-36.17
-42.49
-48.69
-55.28
-61.26
-74.79
-96.77
-112.09
-138.38
175.03
140.64
MAG
2.38
2.36
2.39
2.35
2.35
2.33
2.30
2.29
2.29
2.24
2.19
2.10
2.00
1.84
1.62
1.41
S
21
172.32
165.08
158.35
151.83
145.70
140.22
134.45
129.32
123.53
118.31
108.30
93.80
84.74
72.75
54.64
40.02
MAG
0.02
0.04
0.06
0.07
0.09
0.10
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.18
0.19
0.19
0.20
0.21
S
12
85.76
81.15
76.27
72.22
68.30
64.18
60.68
56.90
53.94
51.07
45.85
39.24
36.24
32.40
29.55
28.96
MAG
1.00
0.99
0.97
0.96
0.94
0.92
0.89
0.87
0.84
0.81
0.76
0.69
0.65
0.60
0.53
0.47
S
22
-3.86
-7.44
-11.14
-14.73
-18.02
-21.42
-24.18
-27.47
-29.94
-32.50
-36.89
-42.90
-46.39
-51.51
-59.91
-69.74
Q2
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安,Z
0
= 50
频率
(千兆赫)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.50
1.70
2.00
2.50
3.00
MAG
0.97
0.93
0.89
0.84
0.80
0.76
0.74
0.71
0.69
0.68
0.67
0.67
0.68
0.69
0.72
0.75
S
11
-20.79
-40.50
-59.73
-76.87
-93.28
-107.72
-120.25
-131.32
-141.35
-150.05
-165.04
176.90
166.97
154.69
137.73
124.46
MAG
2.52
2.43
2.35
2.20
2.11
1.99
1.85
1.74
1.64
1.53
1.36
1.17
1.06
0.94
0.79
0.68
S
21
162.21
147.42
134.45
123.37
113.14
104.15
96.02
88.78
82.34
76.48
66.07
52.95
45.23
35.40
21.71
11.96
MAG
0.04
0.08
0.11
0.13
0.14
0.15
0.16
0.15
0.15
0.15
0.14
0.13
0.13
0.14
0.21
0.30
S
12
76.22
63.75
53.38
44.64
38.01
32.06
27.52
24.29
21.95
20.46
19.44
24.64
32.01
44.56
55.71
51.65
MAG
0.98
0.93
0.87
0.81
0.76
0.71
0.68
0.65
0.62
0.60
0.57
0.53
0.51
0.48
0.45
0.46
S
22
-8.81
-16.39
-22.34
-27.24
-30.90
-34.29
-36.96
-39.46
-41.97
-44.52
-50.06
-59.83
-68.26
-82.95
-114.70
-152.23
初步数据表
NPN硅外延晶体管晶体管
UPA835TF
特点
低噪音:
Q1 : NF = 1.5 dB典型值,在f = 2 GHz时, V
CE
= 3 V , LC = 3毫安
Q2 : NF = 1.2 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V , LC = 7毫安
高增益:
Q1 : | S
21E
|
2
= 8.5 dB典型值在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 10毫安
Q2 : | S
21E
|
2
= 9.0分贝TYP在f = 1 GHz的,V
CE
= 3 V,
LC = 7毫安
6 -PIN薄型迷你小注模封装
2不同的内置晶体管
(Q
1
: NE685 ,Q
2
: NE856 )
外形尺寸
(以毫米单位)
封装外形TS06 (顶视图)
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
2.0
±
0.2
1.3
1
6
0.22
- 0.05
(所有引线)
+0.10
2
5
3
4
0.6
±
0.1
0.45
0 ~ 0.1
0.13
±
0.05
描述
该UPA835TF有两个不同的内置晶体管低成本
放大器和振荡器应用在VHF / UHF波段。低
噪声系数,高增益,高电流容量,并且介质
输出给该设备的高动态范围和优良的
线性度为两级放大器。该器件还非常
适合用于VCO /缓冲放大器应用中使用。该
更薄的封装形式允许更高密度的设计。
引脚连接
1.收集器( Q1 )
2.发射器( Q1 )
3.收集器( Q2 )
4.基地( Q2 )
5.发射器( Q2 )
6.基地( Q1 )
注意:
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q1
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
I
CBO
I
EBO
h
FE
Q2
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流
反馈
收益
1
at
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
GHz的
pF
dB
dB
A
A
100
GHz的
pF
dB
dB
7
3.0
4.5
0.7
9
1.2
2.5
1.5
7
在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
电容
2
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 3毫安, F = 2 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V,I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 3 V,I
C
= 7毫安
增益带宽在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
反馈
电容
2
在V
CB
= 3 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V,I
C
= 7 mA时, F = 1 GHz的
单位
A
A
75
12
0.4
8.5
1.5
2.5
1.0
1.0
145
0.7
UPA835TF
TS06
典型值
最大
0.1
0.1
150
注意事项: 1,脉冲测量,脉冲宽度
350
s,
占空比
2 %.
当用电容表(自动平衡电桥法) ,与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容计销。
美国加州东部实验室
UPA835TF
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
Q1
9
6
2
30
Q2
20
12
3
100
150
150
2
200
150
150
-65到+150
注: 1.操作超过这些参数中的任何一个的可
造成永久性损坏。
2.当操作这两种设备中,功率耗散为
任一设备不应超过110毫瓦。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
Q2
总功耗对比
环境温度
总功率耗散,P
T
( mW)的
自由的空气
2个元素共
200
2个元素共
200
用1元时, Q1
用1元时, Q2
在使用Q1
2元
100
在使用Q2
2元
100
0
50
100
150
0
8
100
150
环境温度,T
A
(°C)
环境温度,T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
50
V
CE
= 3 V
40
20
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
集电极电流, LC (毫安)
30
集电极电流, LC (毫安)
10
20
10
0
0.5
1.0
0
0.5
1.0
基地发射极电压,V
BE
(V)
基地发射极电压,V
BE
(V)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
60
500
A
25
Q2
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
l
B
=160
A
140
A
400
A
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
50
20
120
A
15
100
A
80
A
10
60
A
40
A
5
20
A
40
300
A
30
200
A
20
l
B
=100
A
10
0
1
2
3
4
5
6
0
5
10
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
集电极到发射极电压,V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
直流电流增益主场迎战
集电极电流
200
V
CE
= 3 V
直流电流增益,H
FE
5V
V
CE
= 3 V
100
直流电流增益,H
FE
50 100
100
50
20
0
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
10
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
增益带宽积主场迎战
集电极电流
14
增益带宽积主场迎战
集电极电流
20
F = 2 GHz的
5V
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
12
增益带宽乘积F
T
(千兆赫)
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
10
10
3V
8
5
V
CE
= 1 V
6
2
4
2
0.5
1
2
5
10
20
50
1
0.5
1
5
10
50
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q1
插入功率增益与
集电极电流
10
15
Q2
插入功率增益与
集电极电流
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
F = 1.0 GHz的
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
F = 2 GHz的
5V
8
3V
10
6
V
CE
= 1 V
5
4
2
0.5
2
5
10
20
50
0
0.5
1
5
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
噪声系数与
集电极电流
4
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
6
噪声系数与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
噪声系数NF ( dB)的
3
噪声系数NF ( dB)的
4
2
2
1
0
0.5
1
2
5
10
20
50
0
0.5
1.0
5.0
10
50
100
集电极电流, LC (毫安)
集电极电流, LC (毫安)
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
0.6
F = 1 MHz的
5.0
反馈电容主场迎战
集电极 - 基极电压
F = 1 MHz的
反馈电容,肌酐(PF )
0.5
反馈电容,肌酐(PF )
0.5
1
2
5
10
20
2.0
1.0
0.4
0.5
0.3
0.2
0.2
0.1
1
2
5
10
20
50
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
集电极 - 基极电压,V
CB
(V)
UPA835TF
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
Q2
插入功率增益与
频率
24
插入功率增益| S
21E
|
2
( dB)的
V
CE
= 3 V
LC = 7毫安
20
16
12
8
4
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
频率f ( GHz)的
典型的散射参数
Q1
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安,Z
0
= 50
频率
(千兆赫)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.50
1.70
2.00
2.50
3.00
MAG
0.98
0.97
0.95
0.93
0.90
0.87
0.84
0.80
0.76
0.73
0.64
0.51
0.43
0.35
0.31
0.35
S
11
-5.93
-11.90
-18.17
-24.00
-30.10
-36.17
-42.49
-48.69
-55.28
-61.26
-74.79
-96.77
-112.09
-138.38
175.03
140.64
MAG
2.38
2.36
2.39
2.35
2.35
2.33
2.30
2.29
2.29
2.24
2.19
2.10
2.00
1.84
1.62
1.41
S
21
172.32
165.08
158.35
151.83
145.70
140.22
134.45
129.32
123.53
118.31
108.30
93.80
84.74
72.75
54.64
40.02
MAG
0.02
0.04
0.06
0.07
0.09
0.10
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.18
0.19
0.19
0.20
0.21
S
12
85.76
81.15
76.27
72.22
68.30
64.18
60.68
56.90
53.94
51.07
45.85
39.24
36.24
32.40
29.55
28.96
MAG
1.00
0.99
0.97
0.96
0.94
0.92
0.89
0.87
0.84
0.81
0.76
0.69
0.65
0.60
0.53
0.47
S
22
-3.86
-7.44
-11.14
-14.73
-18.02
-21.42
-24.18
-27.47
-29.94
-32.50
-36.89
-42.90
-46.39
-51.51
-59.91
-69.74
Q2
V
CE
= 3 V,I
C
= 1毫安,Z
0
= 50
频率
(千兆赫)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.20
1.50
1.70
2.00
2.50
3.00
MAG
0.97
0.93
0.89
0.84
0.80
0.76
0.74
0.71
0.69
0.68
0.67
0.67
0.68
0.69
0.72
0.75
S
11
-20.79
-40.50
-59.73
-76.87
-93.28
-107.72
-120.25
-131.32
-141.35
-150.05
-165.04
176.90
166.97
154.69
137.73
124.46
MAG
2.52
2.43
2.35
2.20
2.11
1.99
1.85
1.74
1.64
1.53
1.36
1.17
1.06
0.94
0.79
0.68
S
21
162.21
147.42
134.45
123.37
113.14
104.15
96.02
88.78
82.34
76.48
66.07
52.95
45.23
35.40
21.71
11.96
MAG
0.04
0.08
0.11
0.13
0.14
0.15
0.16
0.15
0.15
0.15
0.14
0.13
0.13
0.14
0.21
0.30
S
12
76.22
63.75
53.38
44.64
38.01
32.06
27.52
24.29
21.95
20.46
19.44
24.64
32.01
44.56
55.71
51.65
MAG
0.98
0.93
0.87
0.81
0.76
0.71
0.68
0.65
0.62
0.60
0.57
0.53
0.51
0.48
0.45
0.46
S
22
-8.81
-16.39
-22.34
-27.24
-30.90
-34.29
-36.96
-39.46
-41.97
-44.52
-50.06
-59.83
-68.26
-82.95
-114.70
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
UPA835TF
NEC
2019
79600
SOT-363
原装正品 钻石品质 假一赔十
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联系人:销售部
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2024
18000
SOT-363
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
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National(国半)
21+
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联系人:李经理
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2024
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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联系人:朱小姐 刘小姐
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