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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第342页 > UPA835
数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA835TC
NPN硅外延晶体管（有2种不同的元素）
在一个平面- LEAD 6 -PIN薄型超超MINIMOLD包装
描述
该
PA835TC内置有两个不同的晶体管（ Q1和Q2 ），用于低噪声放大，在VHF频带到
UHF频段。
特点
- 低噪声
Q1 ： NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安
Q2 ： NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
高增益
Q1 :
|S
21e
|
2
= 8.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
Q2 :
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
扁平引脚6引脚薄型超超minimold包
内置2个不同的晶体管（ 2SC5010 ， 2SC5006 ）
内置的晶体管
Q1
3针超超minimold部分号
2SC5010
Q2
2SC5006
订购信息
产品型号
包
扁平引线6针
瘦型超
超级Minimold
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KP /卷）
供给方式
8mm宽的压纹带。
引脚6 （ Q1基极） ，引脚5 （ Q2发射极） ，引脚4 （ Q2基极）面穿孔
带的一侧。
PA835TC
PA835TC-T1
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
PA835TC.)
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14555EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年11月 CP （ K）
日本印刷
1999
PA835TC
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
评级
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Q1
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
记
单位
Q2
20
12
3
100
200在1元
230的2个元素
V
V
V
mA
mW
9
6
2
30
在1单元180
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
65
+150
150
°C
°C
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米玻璃环氧基板。
电气特性（T
A
= +25°C)
°
(1) Q1
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
NF
2
条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
注1
分钟。
75
10.0
7.0
典型值。
12.0
0.4
8.5
1.5
马克斯。
0.1
0.1
150
0.7
2.5
单位
A
A
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
GHz的
pF
dB
dB
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容
法） ，与发射器连接到守护的电容表引脚。
2
数据表P14555EJ1V0DS00
PA835TC
(2) Q2
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
NF
2
条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
注1
分钟。
70
3.0
7.0
典型值。
4.5
0.7
9.0
1.2
马克斯。
1.0
1.0
140
1.5
2.5
单位
A
A
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
GHz的
pF
dB
dB
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容
法） ，与发射器连接到守护的电容表引脚。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB
37
75至150
70至140
数据表P14555EJ1V0DS00
3
PA835TC
典型特征（T
A
= +25°C)
°
Q1
总功耗对比
环境温度
230
200
180
每
元件（Q1）的
100
2个元素共
自由的空气
230
200
每
元（ Q2 ）
Q2
总功耗对比
环境温度
2个元素共
自由的空气
总功耗P
T
（ mW）的
总功耗P
T
（ mW）的
50
100
150
100
0
0
0
0
50
100
150
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
50
V
CE
= 3 V
20
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
30
集电极电流I
C
（MA ）
0
40
10
20
10
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
1.0
0
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
1.0
20
18
I
B
= 160
A
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
0
1
2
3
4
5
6
18
16
I
B
= 160
A
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
0
1
2
3
4
5
6
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
14
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
4
数据表P14555EJ1V0DS00
PA835TC
Q1
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
1 000
V
CE
= 3 V
Q2
直流电流增益主场迎战
集电极电流
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
18.00 V
CE
= 3 V
16.00 F = 2 GHz的
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
12.00 V
CE
= 3 V
11.00 F = 2 GHz的
10.00
9.00
8.00
7.00
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
14.00
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
100
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
18.00 V
CE
= 3 V
16.00 F = 1 GHz的
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
100
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表P14555EJ1V0DS00
5
数据表
NPN硅射频晶体管晶体管
PA835TC
NPN硅外延晶体管（有2种不同的元素）
在一个平面- LEAD 6 -PIN薄型超超MINIMOLD包装
描述
该
PA835TC内置有两个不同的晶体管（ Q1和Q2 ），用于低噪声放大，在VHF频带到
UHF频段。
特点
- 低噪声
Q1 ： NF = 1.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安
Q2 ： NF = 1.2 dB典型值。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
高增益
Q1 :
|S
21e
|
2
= 8.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
Q2 :
|S
21e
|
2
= 9.0分贝TYP 。 @ F = 1千兆赫，V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
扁平引脚6引脚薄型超超minimold包
内置2个不同的晶体管（ 2SC5010 ， 2SC5006 ）
内置的晶体管
Q1
3针超超minimold部分号
2SC5010
Q2
2SC5006
订购信息
产品型号
包
扁平引线6针
瘦型超
超级Minimold
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KP /卷）
供给方式
8mm宽的压纹带。
引脚6 （ Q1基极） ，引脚5 （ Q2发射极） ，引脚4 （ Q2基极）面穿孔
带的一侧。
PA835TC
PA835TC-T1
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。 （样品订购部件号：
PA835TC.)
小心静电敏感器件
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14555EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年11月 CP （ K）
日本印刷
1999
PA835TC
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
评级
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
Q1
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
记
单位
Q2
20
12
3
100
200在1元
230的2个元素
V
V
V
mA
mW
9
6
2
30
在1单元180
结温
储存温度
T
j
T
英镑
150
65
+150
150
°C
°C
2
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米玻璃环氧基板。
电气特性（T
A
= +25°C)
°
(1) Q1
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
NF
2
条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 10毫安
注1
分钟。
75
10.0
7.0
典型值。
12.0
0.4
8.5
1.5
马克斯。
0.1
0.1
150
0.7
2.5
单位
A
A
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
GHz的
pF
dB
dB
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容
法） ，与发射器连接到守护的电容表引脚。
2
数据表P14555EJ1V0DS00
PA835TC
(2) Q2
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
反馈电容
插入功率增益
噪声系数
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
re
|S
21e
|
NF
2
条件
V
CB
= 10 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
注1
分钟。
70
3.0
7.0
典型值。
4.5
0.7
9.0
1.2
马克斯。
1.0
1.0
140
1.5
2.5
单位
A
A
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
GHz的
pF
dB
dB
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
2.
当用电容表（自动平衡电桥测量集电极基极电容
法） ，与发射器连接到守护的电容表引脚。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
Q1的价值
h
FE
Q2的价值
FB
37
75至150
70至140
数据表P14555EJ1V0DS00
3
PA835TC
典型特征（T
A
= +25°C)
°
Q1
总功耗对比
环境温度
230
200
180
每
元件（Q1）的
100
2个元素共
自由的空气
230
200
每
元（ Q2 ）
Q2
总功耗对比
环境温度
2个元素共
自由的空气
总功耗P
T
（ mW）的
总功耗P
T
（ mW）的
50
100
150
100
0
0
0
0
50
100
150
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
50
V
CE
= 3 V
20
环境温度T
A
(°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
30
集电极电流I
C
（MA ）
0
40
10
20
10
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
1.0
0
0
0.5
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
1.0
20
18
I
B
= 160
A
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
0
1
2
3
4
5
6
18
16
I
B
= 160
A
I
B
= 140
A
I
B
= 120
A
I
B
= 100
A
I
B
= 80
A
I
B
= 60
A
I
B
= 40
A
I
B
= 20
A
0
1
2
3
4
5
6
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
14
12
10
8
6
4
2
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
4
数据表P14555EJ1V0DS00
PA835TC
Q1
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
1 000
V
CE
= 3 V
Q2
直流电流增益主场迎战
集电极电流
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
18.00 V
CE
= 3 V
16.00 F = 2 GHz的
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
12.00 V
CE
= 3 V
11.00 F = 2 GHz的
10.00
9.00
8.00
7.00
6.00
5.00
4.00
3.00
2.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
14.00
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
100
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积主场迎战
集电极电流
18.00 V
CE
= 3 V
16.00 F = 1 GHz的
14.00
12.00
10.00
8.00
6.00
4.00
2.00
0.00
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
插入功率增益与
集电极电流
V
CE
= 3 V
F = 1 GHz的
100
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
插入功率增益
S
21e
2
（ dB）的
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
数据表P14555EJ1V0DS00
5
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UPD6454GT-101
UHX1-144-5
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