初步数据表
NPN硅外延晶体管晶体管
UPA828TF
特点
低噪音：
NF = 1.3 dB典型值，在f = 2 GHz时， V
CE
= 2 V ， LC = 3毫安
高增益：
|S
21E
|
2
= 8.5 dB典型值，在f = 2 GHz时， V
CE
= 2 V ， LC = 20毫安
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米× 0.6毫米包2 NE687芯片
外形尺寸
（单位为mm ）
封装外形TS06 （顶视图）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
2.0
±
0.2
1.3
1
6
0.22
- 0.05
（所有引线）
+0.10
2
5
描述
该UPA828TF有两个内置低电压晶体管哪些
低噪声放大，在VHF到UHF设计
乐队。这两个管芯从上相邻的位置选择
晶圆。这些功能结合引脚配置
使该器件非常适用于平衡或镜像应用。
此装置适用于低电压/低电流和低
噪声应用。更薄的封装形式允许更高
密度设计。
0.6
±
0.1
0.45
3
4
0.13
±
0.05
0 ~ 0.1
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
注意：
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
f
T
CRE
|S
21E
|
2
|S
21E
|
2
NF
NF
h
FE1/
h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益
1
在V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安
增益带宽在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽在V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反馈
电容
2
在V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 1 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的分贝
噪声系数在V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的分贝
h
FE
比，V
CE
= 2 V，I
c
= 20毫安
h
FE1
=小
FE
Q1和Q2之间的价值
h
FE2
= 较大
FE
Q1和Q2之间的价值
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
当用电容表（自动平衡电桥法） ，与实测2.集电极基极电容
发射极连接到守护的电容计销。
GHz的
GHz的
pF
dB
dB
7
6
1.3
1.3
0.85
单位
A
A
70
9
7
11
9
0.4
8.5
7.5
2
2
1.0
0.8
民
UPA828TF
TS06
典型值
最大
0.1
0.1
140
美国加州东部实验室
UPA828TF
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1元
2元
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
评级
5
3
2
30
90
180
150
-65到+150
T
J
T
英镑
注意： 1.Operation超过这些参数中的任何一个的
可能会造成永久性的损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
总功耗对比
环境温度
50
V
CE
= 2 V
集电极电流主场迎战
DC基极电压
总功率耗散，P
T
（ mW）的
2个元素共
180毫瓦
集电极电流， LC （毫安）
150
200
40
30
100
每个元件
90毫瓦
20
10
0
50
100
0
0.5
1.0
环境温度，T
A
(°C)
DC基极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
直流电流增益主场迎战
集电极电流
500
集电极电流， LC （毫安）
20
180
A
15
160
A
140
A
120
A
10
100
A
80
A
5
60
A
40
A
l
B
= 20
A
直流电流增益，H
FE
200
A
200
V
CE
= 2 V
100
V
CE
= 1 V
50
20
10
0
1.0
2.0
3.0
1
2
5
10
20
50
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流， LC （毫安）
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