初步数据表
硅晶体管
P
PA827TF
高频率的低噪声放大器
NPN硅外延晶体管晶体管
（带内置6 -PIN 2
u
2SC5179 ）薄型小型迷你模具
特点
高增益，低工作电流
|S
21e
|
2
= 9 dB典型值。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
|S
21e
|
2
= 8.5 dB典型值。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
6引脚薄型小型微型封装模具
内置2个晶体管（ 2
u
2SC5179)
封装图（单位：mm ）
2.10±0.1
1.25±0.1
1.30
订购信息
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
包装方式
压纹带8mm宽。
引脚6 （ Q1基极） ，引脚5 （Q2
发射器） ，引脚4 （ Q2基极）的脸
带的穿孔侧。
2.00±0.2
0.65
2
0.65
3
P
PA827TF
P
PA827TF-T1
0.60±0.1
4
5
备注
如果您需要评估样品，请联系
本公司销售代表（单位样本量
为50个） 。
引脚配置（顶视图）
绝对最大额定值（T
A
= 25qC ）
q
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
5
3
2
10
30在1元
60 2元
150
65
150
单位
V
V
V
mA
mW
B1
6
Q1
1
C1
E2
5
B2
4
Q2
2
E1
C2
结温
储存温度
T
j
T
英镑
°C
°C
引脚连接
1.收集器（ Q1 ）
2.发射器（ Q1 ）
3.收集器（ Q2 ）
4.基地（ Q2 ）
5.发射器（ Q2 ）
6.基地（ Q1 ）
因而需要注意关于过量输入，如静电，由于高精
用于该设备的制造工艺。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P12692EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1997年七月
日本印刷
0-0.1
3
1997
0.13±0.05
0.45
0.22
+0.1
–0.05
R84
1
6
P
PA827TF
电气特性（T
A
= 25 °C)
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积（ 1 ）
增益带宽积（ 2 ）
反馈电容
插入功率增益（ 1 ）
插入功率增益（ 2 ）
噪声图（1）
噪声图（2）
h
FE
比
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
f
T
C
re
|S
21e
|
2
|S
21e
|
2
NF
NF
h
FE1
/h
FE2
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
注1
V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
注2
V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 5毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安
h
FE
1 =小
FE
Q1和Q2中的价值
h
FE
2 =较大
FE
Q1和Q2中的价值
0.85
7.5
7
70
10
8.5
13
12
0.4
9
8.5
1.5
1.5
2
2
0.6
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
140
GHz的
GHz的
pF
dB
dB
dB
dB
单位
P
A
P
A
注意事项1 。
2.
脉冲测量P
W
d
350
P
S，占空比
d
2%
用电容表测得的集电极和基极之间的电容（自动平衡电桥
法）。发射器必须连接到的电容计的后卫销。
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
R84
70至140
2
QQ：2880707522 复制
