初步数据表
硅晶体管
PA813T
NPN硅外延型晶体管
(带内置2
×
2SC4570 )小型迷你模具
PA813T还内置了其中的UHF开发的2个晶体管。
封装图纸
(单位:毫米)
2.1±0.1
1.25±0.1
特点
高F
T
f
T
= 5.5 GHz的典型。 ( @V
CE
= 5 V,I
C
= 5毫安, F = 1千兆赫)
0.65 0.65
2.0±0.2
C
ob
= 0.7 pF的典型。 ( @V
CB
= 5 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz)的
表面安装封装领养
内置2个晶体管( 2
×
2SC4570)
1.3
2
3
订购信息
0.9±0.1
产品型号
QUANTITY
松散产品
( 50 PCS )
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6 ( Q1
基地) ,引脚5 ( Q1发射极) ,引脚4 ( Q2发射极)
面对带的穿孔侧。
0.7
PA813T-T1
编带产品
( 3 KPCS /卷)
备注
如果您需要评估样品,请联系NEC销售
代表性。 (单位样本数量为50个。 )
引脚配置(顶视图)
绝对最大额定值(T
A
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
20
12
3
30
在1单元120
160的2个元素
记
125
-55到+125
单位
V
V
6
Q
1
5
0-0.1
4
Q
2
1
2
3
V
mA
mW
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
引脚连接
4.发射器( Q2 )
1.收集器( Q1 )
5.发射器( Q1 )
2.基( Q2 )
6.基地( Q1 )
3.收集器( Q2 )
记
90毫瓦不得超过1元件。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件P11466EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
0.15
–0
+0.1
PA813T
4
5
0.2
–0
1
6
+0.1
小集电极电容
XY
1995