数据表
硅晶体管
PA811T
高频率的低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
(带内置2
×
2SC4228 )小型迷你模具
该
PA811T还内置了2个低电压晶体管其目的是为了
放大的低噪声在VHF频带到UHF频带。
封装图纸
(单位:毫米)
2.1±0.1
1.25±0.1
特点
- 低噪声
NF = 1.9 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安
1
0.65 0.65
1.3
|S
21e
|
2
= 6.5 dB典型值。 @ F = 2千兆赫,V
CE
= 1 V,I
C
= 3毫安
小型迷你模具套餐领养
内置2个晶体管( 2
×
2SC4228)
2.0±0.2
2
3
订购信息
0.9±0.1
产品型号
QUANTITY
松散产品
( 50 PCS )
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6 ( Q1
基地) ,引脚5 ( Q1发射极) ,引脚4 ( Q2发射极)
面对带的穿孔侧。
0.7
PA811T-T1
编带产品
( 3 KPCS /卷)
备注
如果您需要评估样品,请联系NEC销售
代表性。 (单位样本数量为50个。 )
引脚配置(顶视图)
绝对最大额定值(T
A
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
20
10
1.5
35
在1单元150
200的2个元素
记
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
6
Q
1
1
5
0-0.1
4
Q
2
2
3
引脚连接
4.发射器( Q2 )
1.收集器( Q1 )
5.发射器( Q1 )
2.基( Q2 )
6.基地( Q1 )
3.收集器( Q2 )
结温
储存温度
T
j
T
英镑
C
C
记
110毫瓦不得超过1元。
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。
一号文件P11464EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
0.15
–0
+0.1
PA811T
4
5
6
高增益
0.2
–0
+0.1
XY