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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第24页 > UPA809TF-T1
NPN硅高
高频三极管
特点
封装尺寸小：
SOT- 363封装尺寸只有2毫米× 1.25毫米
高度低简介：
只是0.60毫米高
高集电极电流：
I
C
MAX =百毫安
2.0
±
0.2
1.3
2
1
UPA809TF
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形TS06
（ TOP VIEW ）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.65
6
0.22
- 0.05
（所有引线）
5
+0.10
描述
该UPA809TF包含两个NE688 NPN高频
硅双极芯片。 NEC新低调TF包是理想
所有的便携式无线领域应用，其中减少康波
新界东北堆填区的高度是一个重要的考虑因素。每个晶体管芯片
独立安装，轻松地配置为双级
级联LNA和其它类似的应用。
3
4
0.6
±
0.1
0.45
0.13
±0.05
0 ~ 0.1
绝对最大
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
PT
参数
评级
1
(T
A
= 25°C)
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
评级
9
6
2
100
110
200
150
-65到+150
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1模
2模具
结温
储存温度
引脚输出
1.集晶体管1
2.发射极晶体管1
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.基晶体管2
6.基晶体管1
注意：
引脚1是下最左边的引脚
包刻字是面向
并从左向右读。
T
J
T
英镑
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
CRE
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流
收益
1
在V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安
GHz的
pF
dB
dB
0.85
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容
2
在V
CB
= 1 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
h
FE
比例：H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
h
FE2
= Q的值越大，
1
或Q
2
单位
A
A
80
110
9.0
0.75
6.5
1.5
0.85
民
UPA809TF
TS06
典型值
最大
0.1
0.1
160
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。对于磁带和卷轴版本使用
产品编号UPA809TF -T1 ， 3K每卷。
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
2/99
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
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