NPN硅高
高频三极管
特点
小型封装形式：
在2毫米×1.25毫米封装2 NE687模
低噪声系数：
NF = 1.3 dB典型值在2 GHz
高增益：
|S
21E
|
2
= 8.5 dB典型值在2 GHz
低电流工作模式
0.65
2.0
±
0.2
1.3
2
1
UPA808T
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S06
（ TOP VIEW ）
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
描述
NEC的UPA808T是两个NPN高频硅外延
晶体管封装在一个超小型6引脚表面贴装封装。
各晶体管被独立地安装并容易config-
置的对无论是双晶体管或级联操作。高
f
T
低电压偏置和小尺寸使该器件适合
各种手持无线应用。
6
0.2 （所有信息）
5
3
4
0.9
±
0.1
0.7
0.15
- 0.05
+0.10
引脚输出
1.集晶体管1
2.发射极晶体管1
3.三极管集电极2
4.发射极晶体管2
5.基晶体管2
6.基晶体管1
0 ~ 0.1
注意：
销3是确定与在所述封装的底部的圆。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
f
T
CRE
2
|S
21E
|
2
NF
h
FE1
/h
FE2
参数和条件
集电极截止电流在V
CB
= 5 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
正向电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 20毫安
增益带宽在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
反馈电容在V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
插入功率增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 20 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
GHz的
pF
dB
dB
7
单位
A
A
70
9
100
11
0.4
8.5
1.3
2
0.8
民
UPA808T
S06
典型值
最大
0.1
0.1
140
h
FE
比例：H
FE1
= Q的较小值
1
或Q
2
0.85
h
FE2
= Q的值越大，
1
或Q
2
注意事项： 1，脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
2.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
对于磁带和卷轴版本使用的零件号UPA808T -T1 ， 3K每卷。
美国加州东部实验室
UPA808T
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
1模
2模具
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
评级
5
3
2
30
90
180
150
-65到+150
T
J
T
英镑
注意： 1.Operation超过这些参数中的任何一个的
可能会造成永久性的损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
总功耗对比
环境温度
50
V
CE
= 2 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
总功率耗散，P
T
（ mW）的
2个元素共
180毫瓦
集电极电流， LC （毫安）
200
40
30
100
每个元件
20
90毫瓦
10
0
50
100
150
0
0.5
1.0
环境温度，T
A
(°C)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
25
直流电流增益主场迎战
集电极电流
500
集电极电流， LC （毫安）
20
180
A
15
160
A
140
A
120
A
10
100
A
80
A
5
60
A
40
A
l
B
= 20
A
直流电流增益，H
FE
200
A
200
V
CE
= 2 V
100
V
CE
= 1 V
50
20
10
0
1.0
2.0
3.0
1
2
5
10
20
50
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流， LC （毫安）
数据表
硅晶体管
PA808T
微波低噪声放大器
NPN硅外延型晶体管
（带内置2个元素）超级迷你模具
特点
- 低噪声
NF = 1.3 dB典型值。 @V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
NF = 1.3 dB典型值。 @V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
超级迷你模具套餐领养
内置2个晶体管（ 2
×
2SC5184)
2.0±0.2
封装图纸
（单位：毫米）
2.1±0.1
1.25±0.1
1.3
订购信息
产品型号
QUANTITY
松散产品
（ 50 PCS ）
编带产品
（ 3 KPCS /卷）
包装方式
压纹带8mm宽。引脚6
（ Q1基极） ，引脚5 （ Q2基极） ， 4针
（ Q2发射极）面穿孔
带的一侧。
0.65
2
PA808T
PA808T-T1
0.65
3
0.9±0.1
个。 ）
绝对最大额定值（T
A
= 25
°
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
等级
5
3
2
30
在1单元90
180 2
结温
储存温度
T
j
T
英镑
分子
记
150
-65到+150
°C
°C
单位
V
V
V
mA
mW
引脚配置（顶视图）
6
Q
1
0-0.1
NEC销售代表。 （单位样本数量为50
5
4
Q
2
1
2
3
记
110毫瓦不得超过1元。
引脚连接
1.收集器（ Q1） 4.发射器（ Q2 ）
2.发射器（ Q1 ）
5.基地（ Q2 ）
3.收集器（ Q2 ） 6.基地（ Q1 ）
该设备采用射频技术。采取适当的预防措施以保护其免受过大的输入电平，如静电。
一号文件P12154EJ2V0DS00 （第2版）
（上一个号ID- 3642 ）
发布日期1996年十一月
日本印刷
0.15
+0.1
–0
备注
如果您需要评估样品，请联系
0.7
4
5
0.2
+0.1
–0
1
6
X Y
1995
1994
QQ：2880707522 复制
