【数据表MOS场效应PA672TN沟道MOS FET阵列切换该PA672T是提供了一个超小型的模具设备】,IC型号UPA672T,UPA672T PDF资料,UPA672T经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

MOS场效应

PA672T

N沟道MOS FET阵列

切换

该

PA672T是提供了一个超小型的模具设备

有两个MOS FET元件。它实现了高密度

安装，节省安装成本。

包装尺寸（单位：毫米）

0.2

–0

+0.1

0.15

–0.05

+0.1

特点

在包的大小相同的两个MOS FET的电路

SC-70

自动安装支持

1.25 ±0.1

2.1 ±0.1

0-0.1

0.7

0.9 ±0.1

0.65

1.3

2.0 ±0.2

引脚连接

1.源1 （ S1 ）

2.门1 （ G1 ）

3.排水2 （ D2 ）

4.源2 （ S2）

5.门2 （ G2 ）

6.漏1 （D1）的

标记： MA

绝对最大额定值（T

= 25 C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

≤

10毫秒，占空比

≤

50 %

测试条件

评级

±7.0

100

200

200 （总）

150

-55到+150

单位

一号文件G11259EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

1996

PA672T

电气特性（T

= 25 C)

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 3 V，I

能力= 20 mA ，V

GS （ ON）

= 3 V,

= 10

= 120

测试条件

= 50 V, V

= 0

±7.0

V, V

= 0

= 3.0 V，I

= 1.0

= 3.0 V，I

= 10毫安

= 2.5 V，I

= 10毫安

= 4.0 V，I

= 10毫安

= 3.0 V, V

= 0中，f = 1.0兆赫

0.7

1.2

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

±5.0

1.5

单位

开关时间测量电路和条件

DUT

门

电压

波形

10 %

GS （ ON）

90 %

PG 。

漏

当前

波形

= 1

占空比

≤

1 %

10 %

90 %

10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

PA672T

典型特征（T

= 25 C)

总功耗对比

环境温度

300

漏电流与

漏源极电压

100

- 总功率耗散 - 毫瓦

自由的空气

250

- 漏电流 - 毫安

4.0 V

3.5 V

3.0 V

200

2.5 V

150

100

= 2.0 V

100

125

- 环境温度 - C

150

- 漏极至源极电压 - V

传输特性

100

| - 正向转移导纳 - 质谱

= 3 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

= 3 V

- 漏电流 - 毫安

= –25 C

25 C

= 75 C

25 C

–25 C

125 C

0.1

0.01

0.001

- 栅极至源极电压 - V

- 漏电流 - 毫安

100

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

100

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻

与漏电流

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻

与漏电流

100

= 4 V

= 75 C

25 C

–25 C

= 75 C

25 C

–25 C

- 漏电流 - 毫安

100

- 漏电流 - 毫安

100

PA672T

漏极至源极导通反抗

与门源电压

= 10毫安

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

电容与漏极TO

源极电压

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

国际空间站

OSS

= 1毫安

10毫安

50毫安

0.5

RSS

0.2

0.1

= 0

F = 1 MHz的

- 栅极至源极电压 - V

- 漏极至源极电压 - V

100

开关特性

100

源极到漏极二极管

正向电压

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

D（关闭）

- 源极到漏极电流 - 毫安

D（上）

= 3 V

GS （ ON）

= 3 V

= 10

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

- 源极到漏极电压 - V

100 200

- 漏电流 - 毫安

500

1000

PA672T

参考

文件名称

NEC半导体设备可靠性/质量控制系统

质量等级NEC半导体设备

半导体设备安装技术手册

先导，以质量为保证半导体器件

半导体选择指南

文档编号

TEI-1202

IEI-1209

C10535E

MEI-1202

X10679E

为了我们的客户，

旧公司名称在产品目录等资料

4月1日

2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技

公司和瑞萨

电子公司

接手两者的所有业务

公司。

因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的

瑞萨

电子文档。我们感谢您的理解。

瑞萨电子网站： http://www.renesas.com

4月1日

, 2010

瑞萨电子公司

由...发出：

瑞萨电子公司

（ http://www.renesas.com ）

任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。

通告

本文档中包含的所有信息为发出该文件的日期。这样的信息，但是，是

如有更改，恕不另行通知。购买或使用本文中列出的任何瑞萨电子的产品，请前

确认与瑞萨电子销售办事处最新的产品信息。另外，请大家定期和仔细注意

另外，不同的信息由瑞萨电子披露，例如，通过我们的网站上披露。

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第三方通过或从使用瑞萨电子的产品或本文档中描述的技术信息而引起。

没有许可证，明示，暗示或其他，是任何专利，版权或其他知识产权授予兹

瑞萨电子或其他人。

你不应该改变，修改，复制或以其他方式侵占瑞萨电子产品，不论是全部或部分转载。

仅被提供的电路，软件和本文件中的相关信息的描述来说明的操作

半导体产品和应用实例。你是全权负责这些电路，软件的结合，

而在你的设备的设计资料。瑞萨电电子不承担任何损失承担任何责任

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当出口本文档中描述的产品或技术，你应该遵守适用的出口管制

法律，法规，并按照这些法律和法规规定的程序。你不应该使用瑞萨

电子产品或本文档中用于与军事应用或使用的任何用途中描述的技术

军队，包括但不限于大规模杀伤性武器的发展。瑞萨电子产品

技术可能不被用于或结合到任何产品或系统的制造，使用或禁止出售

根据任何适用的国内或外国的法律或法规。

瑞萨电子已经在准备本文档中包含的信息，使用合理的照顾，但瑞萨电子

不保证该信息没有错误。瑞萨电子承担因此任何损失承担任何责任

招致你从此处包含的信息中的错误或疏漏造成。

瑞萨电子的产品是根据以下三个质量等级分为： “标准” ， “高品质” ，而

“具体” 。每个瑞萨电子产品的推荐用途取决于产品的质量等级，

如下所示。在特定的使用它之前，你必须检查每个瑞萨电子产品的质量等级

应用程序。您不得使用任何瑞萨电子的产品归类为“特殊”事先没有任何应用程序

瑞萨电子的书面同意。此外，您不得使用任何瑞萨电子产品的任何应用程序

它并不意味着不瑞萨电子的事先书面同意。瑞萨电子，不得以任何方式

从使用任何瑞萨电子产品的产生招致您或第三方的任何损害或损失承担责任

应用程序归类为“特定”或该产品并没有打算在那里你没有得到事先书面

瑞萨电子的同意。每个瑞萨电子产品的质量等级为“标准” ，除非另有

在瑞萨电子数据表或数据手册等明确规定

电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频

设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。

“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反

犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。

“具体” ：

飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或

生命支持系统（如人工生命支持设备或系统），外科手术植入，或保健

介入治疗（如切除等），并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。

您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，

特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射

特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或

由于使用的瑞萨电子产品等超出规定范围的损失。

本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有

具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，

瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，

防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏

瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火

控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为

单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性

由你制造的。

请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境

每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用

该规范的受控物质列入或使用，包括但不限于欧盟RoHS法规

指令。瑞萨电子不承担由于发生的违规使用导致的损害或损失不承担任何责任

适用法律和法规。

本文不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，瑞萨没有事先书面同意

电子产品。

如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处

文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。

“标准” ：

10.

11.

12.

（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-

资子公司。

（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。

数据表

MOS场效应

PA672T

N沟道MOS FET阵列

切换

该

PA672T是提供了一个超小型的模具设备

有两个MOS FET元件。它实现了高密度

安装，节省安装成本。

包装尺寸（单位：毫米）

0.2

–0

+0.1

0.15

–0.05

+0.1

特点

在包的大小相同的两个MOS FET的电路

SC-70

自动安装支持

1.25 ±0.1

2.1 ±0.1

0-0.1

0.7

0.9 ±0.1

0.65

1.3

2.0 ±0.2

引脚连接

1.源1 （ S1 ）

2.门1 （ G1 ）

3.排水2 （ D2 ）

4.源2 （ S2）

5.门2 （ G2 ）

6.漏1 （D1）的

标记： MA

绝对最大额定值（T

= 25 C)

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

总功耗

通道温度

储存温度

符号

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

≤

10毫秒，占空比

≤

50 %

测试条件

评级

±7.0

100

200

200 （总）

150

-55到+150

单位

一号文件G11259EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期1996年P月

日本印刷

1996

PA672T

电气特性（T

= 25 C)

参数

排水截止电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 3 V，I

能力= 20 mA ，V

GS （ ON）

= 3 V,

= 10

= 120

测试条件

= 50 V, V

= 0

±7.0

V, V

= 0

= 3.0 V，I

= 1.0

= 3.0 V，I

= 10毫安

= 2.5 V，I

= 10毫安

= 4.0 V，I

= 10毫安

= 3.0 V, V

= 0中，f = 1.0兆赫

0.7

1.2

1.0

分钟。

典型值。

马克斯。

±5.0

1.5

单位

开关时间测量电路和条件

DUT

门

电压

波形

10 %

GS （ ON）

90 %

PG 。

漏

当前

波形

= 1

占空比

≤

1 %

10 %

90 %

10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

PA672T

典型特征（T

= 25 C)

总功耗对比

环境温度

300

漏电流与

漏源极电压

100

- 总功率耗散 - 毫瓦

自由的空气

250

- 漏电流 - 毫安

4.0 V

3.5 V

3.0 V

200

2.5 V

150

100

= 2.0 V

100

125

- 环境温度 - C

150

- 漏极至源极电压 - V

传输特性

100

| - 正向转移导纳 - 质谱

= 3 V

正向转移导纳主场迎战

漏电流

100

= 3 V

- 漏电流 - 毫安

= –25 C

25 C

= 75 C

25 C

–25 C

125 C

0.1

0.01

0.001

- 栅极至源极电压 - V

- 漏电流 - 毫安

100

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

100

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 -

漏极至源极导通电阻

与漏电流

= 2.5 V

漏极至源极导通电阻

与漏电流

100

= 4 V

= 75 C

25 C

–25 C

= 75 C

25 C

–25 C

- 漏电流 - 毫安

100

- 漏电流 - 毫安

100