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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第267页 > UPA651TT
数据表
MOS场效应
PA651TT
P沟道MOS场效应晶体管
切换
描述
该
PA651TT是一个开关装置，它可以直接由一个被驱动
1.8 V电源。
该器件具有低导通电阻和出色的开关
特性，并且是适合于应用程序，如电源开关
便携机等。
封装图（单位：mm ）
2.0±0.2
0.25±0.1
6
5
4
2.1±0.1
1.6
0
~
0.05
特点
1.8 V驱动器可用
低通态电阻
R
DS(on)1
= 69 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5
V，I
D
=
2.5
A)
R
DS(on)2
= 88 mΩ以下。 （V
GS
=
2.5
V，I
D
=
2.5
A)
R
DS(on)3
= 142 mΩ以下。 （V
GS
=
1.8
V，I
D
=
1.5
A)
1
2
3
0.65
0.65
S
MAX 。 0.8
订购信息
0.05 S
产品型号
包
6pinWSOF （ 1620 ）
0.4±0.1
PA651TT
0.15
+0.1
0.05
标记： WE
1,2,5,6 ：排水
3
：门
4
资料来源：
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
A
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
Note2
20
m8.0
m5.0
m20
0.2
1.4
150
55
+150
V
V
A
A
W
W
°C
°C
门
门
保护
二极管
体
二极管
漏
0.2
+0.1
0.05
0.1
M
S
等效电路
总功率耗散（T
A
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1%
2.
安装在FR- 4电路板，T
≤
5秒。
P
T2
T
ch
T
英镑
来源
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当此
设备实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过额定电压
可应用于该设备。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
G16203EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年5月NS CP （ K）
日本印刷
2002
PA651TT
电气特性（T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
V
DD
=
16 V
V
GS
=
4.0 V
I
D
=
5.0 A
I
F
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
=
20 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
8.0 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1.0毫安
V
DS
=
10 V，I
D
=
2.5 A
V
GS
=
4.5 V，I
D
=
2.5 A
V
GS
=
2.5 V，I
D
=
2.5 A
V
GS
=
1.8 V，I
D
=
1.5 A
V
DS
=
10 V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
=
10 V，I
D
=
2.5 A
V
GS
=
4.0 V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
10
m
10
0.45
4.0
55
66
85
600
120
75
45
200
435
345
5.5
1.2
2.1
0.94
69
88
142
A
A
V
S
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
1.5
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS （ - ）
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
50
R
L
V
DD
V
DD
V
DS （ - ）
90%
90%
10%
10%
PG 。
V
GS
()
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
数据表G16203EJ1V0DS
PA651TT
典型特征（T
A
= 25°C)
降额系数正向偏压
安全工作区
120
总功耗对比
环境温度
1.6
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
0
25
50
75
100
125
150
175
100
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
80
60
40
20
0
T
A
- 环境温度 -
°C
T
A
- 环境温度 -
°C
100
正向偏置安全工作区
R
S（O N）
L IM ITE
(V
的s
=
4 .5 V )
I
D（ P U被LSE）
I
D
- 漏电流 - 一个
10
I
D（ D C ）
PW = 1米每秒
1
10米每秒
1 00米每秒
5 s
S荷兰国际集团乐P ü LS ê
M O对ü nted对由于F R -4 B○一RD华氏度
2
5 0 C M × 1.1米米
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
单脉冲
安装在FR- 4板
2
50厘米× 1.1毫米
r
第（章-a）的
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
1
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表G16203EJ1V0DS
3
PA651TT
漏电流与
漏源极电压
P ü ls的E D
正向传递特性
100
10
V
DS
=
10 V
P ü ED ls的
20
16
V
的s
=
4 .5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
12
2 .5 V
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 12 5
°C
7 5°C
2 5°C
2 5°C
8
4
1 .8 V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2 1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
1
100
正向转移导纳主场迎战
漏电流
V
DS
=
10 V
P ü ls的E D
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
S
=
10 V
I
D
=
1米
0.9
0.8
10
0.7
0.6
1
T
A
=
2 5
°C
2 5
°C
7 5
°C
1 2 5
°C
0.5
0.4
-50
0
50
10 0
15 0
0 .1
0.01
0.1
1
10
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
140
120
100
80
60
40
20
0
V
的s
=
4 .5 V
P ü ls的E D
T
A
= 1 2 5
°C
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
140
120
100
80
60
40
20
0
V
的s
=
2 .5 V
P ü ls的E D
T
A
= 1 2 5
°C
7 5
°C
2 5
°C
2 5
°C
7 5
°C
2 5
°C
2 5
°C
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
I
D
- 漏电流 - 一个
4
数据表G16203EJ1V0DS
PA651TT
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
140
120
100
80
60
40
20
0
V
的s
=
1 .8 V
P ü ls的E D
T
A
= 1 2 5
°C
7 5
°C
2 5
°C
2 5
°C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
140
P ü ls的E D
120
100
80
60
40
20
0
1 .5 A
I
D
=
2 .5 A
0.01
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通状态
电阻与通道温度
140
P ü ls的E D
120
100
80
60
40
20
0
-5 0
0
50
100
150
V
的s
=
1 .8 V
2 .5 V
4 .5 V
10000
电容与
漏源极电压
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
1000
C
为s
100
C
OSS
C
RSS
10
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
10000
V
DD
=
10 V
V
的s
=
4 .0 V
R
G
= 10
1000
t
（O FF ）
t
f
100
动态输入/输出特性
5
I
D
=
5.0
A
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
4
V
DD
=
16
V
10
V
4
V
3
t
r
t
（O N）
2
10
1
1
0
0
1
2
3
4
5
6
0.01
0.1
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表G16203EJ1V0DS
5
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U202
供货商
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操作
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    UPA651TT
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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VB
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联系人：销售部1部
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NEC
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