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数据表
MOS场效应
PA611TA
N沟道MOS场效应晶体管
对于高速开关
描述
该
PA611TA是它可以直接由一个被驱动的开关装置
2.5 V的电源。
该
PA611TA具有优异的开关特性，并适合于
用在数字电路的高速开关装置。
封装图（单位：mm ）
0.65
+0.1
–0.15
0.32
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
2.8 ±0.2
1.5
0-0.1
特点
可以通过一个2.5 V的电源来驱动
低栅极截止电压
0.95 0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.8
1.1至1.4
订购信息
产品型号
包
等效电路
（ 1/2电路）
PA611TA
漏
SC- 74 （小模）
国内
二极管
门
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
记
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
T
ch
T
英镑
30
±20
±0.1
±0.4
300
（总）
150
-55到+150
V
V
A
A
mW
°C
°C
门
保护
二极管
来源
引脚连接（顶视图）
6
5
4
1.源1
2.源2
3.门2
4.排水2
5.门1
6.排水1
总功耗
通道温度
储存温度
记
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
1
2
3
标记： IB
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的
超过额定电压可以施加到该装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号
D11707EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年8月NS CP （ K）
日本印刷
1999
PA611TA
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 3 V，I
D
= 10
A
V
DS
= 3 V，I
D
= 10m的
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 1米
V
GS
= 4 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 3 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 3 V
I
D
= 10毫安
V
GS （ ON）
= 4 V
R
G
= 10
,
R
L
= 300
1.0
20
8
4
3
9
12
2.1
40
55
68
64
15
8
5
1.4
分钟。
典型值。
马克斯。
1
±10
1.8
单位
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
2
数据表D11707EJ1V0DS00
PA611TA
典型特征（T
A
= 25 °C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
100
80
400
漏电流与
漏源极电压
的dT - 降额因子 - ％
I
D
- 漏电流 - 毫安
300
V
GS
= 4 V
60
3.5 V
200
3V
100
2.5 V
40
20
0
30
60
120
90
T
A
- 环境温度 -
C
150
0
2
4
6
8
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
正向传递ADMMITTANCE比。
漏电流
1000
| y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
传输特性
1
0.1
I
D
- 漏电流 - 一个
V
DS
= 3 V
V
DS
= 3 V
0.01
0.001
0.0001
T
A
= 125C
75C
25C
25C
100
10
T
A
=
25
C
25C
75C
125C
0.00001
0.000001
1.0
4.0
2.0
3.0
V
GS
- 门到SORCE电压 - V
5.0
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
20
V
GS
= 2.5 V
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
15
V
GS
= 4 V
15
T
A
= 125C
75C
25C
25
C
10
10
5
5
T
A
= 125C
75C
25C
25
C
0
0.0001
0.001
0.01
I
D
- 漏电流 - 一个
0.1
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
D
- 漏电流 - 一个
1
数据表D11707EJ1V0DS00
3
PA611TA
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
10
V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
30
I
D
= 1毫安
10毫安
百毫安
8
20
6
T
A
= 125C
75C
25C
25
C
4
10
2
0
0.0001
0.1
0.001
0.01
I
D
- 漏电流 - 一个
1
0
4
8
12
16
20
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
100
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
开关特性
1000
td
（上）
， TR ， TD
（关闭）
， TF - Swwitchig时间 - NS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
10
C
国际空间站
C
OSS
100
t
r
t
f
t
D（上）
t
D（关闭）
V
DD
= 3 V
V
GS （ ON）
= 4V
R
G
= 10
1
C
RSS
0.1
0.01
0.1
1
10
100
10
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
源极到漏极二极管的正向电压
1
I
F
- 源极到漏极电流 - 一个
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
4
数据表D11707EJ1V0DS00
PA611TA
参考
文件名称
NEC半导体器件可靠性/质量控制体系
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
C11531E
C10535E
MEI-1202
X10679E
数据表D11707EJ1V0DS00
5
查看更多UPA611TAPDF信息
推荐型号
UPD791D
UT62L1024PC-35L
US1175CM
UFG0J103MHM
UKL1A471MHD
U6SBA20
UPB8214
UPD29F064115F9-DB85X-CD6
UCC2806N
UPC452C
UPD27C4000DZ-15
UPC2756T-E3
UWS1H221MCL
UC2864DWTR
UPD4811650GF-A10-9BT
UCC2580N-4
UDN2544
UPD160061ANL
UPA2816T1S
UC3845NG
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
操作
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    UPA611TA
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NEC
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SOT163
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联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
UPA611TA
NEC
2024
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