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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第135页 > UPA607
数据表
MOS场效应
PA607T
P沟道MOS场效应管（ 6 -PIN 2电路）
切换
该
PA607T是设置有两个微型模具装置
MOS FET的元素。它实现高密度安装
并节省安装成本。
包装尺寸（单位：毫米）
0.65
–0.15
0.32
–0.05
+0.1
特点
在包的大小相同的两个MOS FET的元件
SC-59
要补
PA606T
自动安装支持
2.8 ±0.2
1.5
+0.1
0.16
–0.06
+0.1
0-0.1
0.95
0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.8
1.1至1.4
引脚连接
6
5
4
1
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
源1
门1
排水2
源2
门2
排水1
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
*
P
T
T
ch
T
英镑
评级
–50
+16
–100
–200
300 （ TOTAL ）
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
*
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
一号文件G11254EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
PA607T
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ ON）
= -5.0 V ，R
G
= 10
,
V
DD
= -5.0 V，I
D
= -10毫安，R
L
= 500
测试条件
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
V
GS
= +16 V, V
DS
= 0
V
DS
= -5.0 V，I
D
= –1.0
A
V
DS
= -5.0 V，I
D
= -10毫安
V
GS
= -4.0 V，I
D
= -10毫安
V
GS
= -10 V，I
D
= -10毫安
V
DS
= –5.0 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
分钟。
–
–
–1.5
15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–1.9
–
60
40
15
10
1
45
75
25
80
马克斯。
–1.0
+1.0
–2.5
–
100
60
–
–
–
–
–
–
–
单位
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
开关时间测量电路和条件
V
GS
DUT
R
L
门
电压
波形
10 %
V
GS （ ON）
90 %
V
DD
R
G
PG 。
漏
当前
波形
0
10 %
I
D
90 %
90 %
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
10 %
I
D
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
0
V
GS
2
PA607T
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
240
100
的dT - 降额因子 - ％
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
总功耗对比
环境温度
200
160
120
80
40
80
60
40
20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
0
30
60
90
120 150 180
T
A
- 环境温度 - C
210
漏极电流与漏极TO
源极电压
–120
–100
I
D
- 漏电流 - 毫安
传输特性
–100
–6 V
–10
I
D
- 漏电流 - 毫安
–10 V
脉冲
测量
–8 V
–80
–60
–40
–20
V
GS
= –4 V
–1
T
A
= 150 C
–0.1
75 C
25 C
–0.01
V
DS
= –5.0 V
脉冲
测量
–5
–10
–15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
–25 C
–0.001
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
–14
0
栅极到源截止电压
与通道温度
–2.4
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
DS
= –5.0 V
I
D
= –1
A
正向转移导纳
与漏电流
100
50
V
DS
= –5.0 V
脉冲
测量
–2.2
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–30
20
10
5
T
A
= –25 C
25 C
75 C
2
1
–1
150 C
0
30
60
90
120
T
ch
- 通道温度 - C
150
–2
–5
–10 –20
I
D
- 漏电流 - 毫安
–50
–100
3
PA607T
漏极至源极导通电阻
与门源电压
100
脉冲
测量
I
D
= -1毫安
漏极至源极导通电阻
VS.DRAIN CURRENT
150
V
GS
= –4 V
脉冲
测量
T
A
= 150 C
100
75 C
25 C
50
–25 C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
80
60
= 10毫安
40
20
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
0
–4
–8
–12
–16
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
–20
0
–1
–2
–5
–10
–20
I
D
- 漏电流 - 毫安
–50
–100
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与通道温度
140
120
100
80
60
40
20
–30
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= –4 V
I
D
= -10毫安
100
30
电容与漏极TO
源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
C
国际空间站
10
C
OSS
3
1
C
RSS
0.3
0.1
0.5
0
30
60
90
120
T
ch
- 通道温度 - C
150
–1
–2
–5 –10 –20
–50 –100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
500
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DD
= –5.0 V
V
GS
= –4 V
R
G
= 10
–100
I
SD
- 源极到漏极电流 - 毫安
源极到漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0
脉冲
测量
200
100
50
t
r
–10
t
D（上）
t
f
20
10
5
–5
t
D（关闭）
–1
–10
–20
–50 –100 –200
I
D
- 漏电流 - 毫安
–500
–0.1
–0.5
–0.7
–0.8
–0.9
–0.6
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
–1.0
4
PA607T
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
5
数据表
MOS场效应
PA607T
P沟道MOS场效应管（ 6 -PIN 2电路）
切换
该
PA607T是设置有两个微型模具装置
MOS FET的元素。它实现高密度安装
并节省安装成本。
包装尺寸（单位：毫米）
0.65
–0.15
0.32
–0.05
+0.1
特点
在包的大小相同的两个MOS FET的元件
SC-59
要补
PA606T
自动安装支持
2.8 ±0.2
1.5
+0.1
0.16
–0.06
+0.1
0-0.1
0.95
0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.8
1.1至1.4
引脚连接
6
5
4
1
2
3
1.
2.
3.
4.
5.
6.
源1
门1
排水2
源2
门2
排水1
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
*
P
T
T
ch
T
英镑
评级
–50
+16
–100
–200
300 （ TOTAL ）
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
*
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
一号文件G11254EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
PA607T
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
GS （ ON）
= -5.0 V ，R
G
= 10
,
V
DD
= -5.0 V，I
D
= -10毫安，R
L
= 500
测试条件
V
DS
= –50 V, V
GS
= 0
V
GS
= +16 V, V
DS
= 0
V
DS
= -5.0 V，I
D
= –1.0
A
V
DS
= -5.0 V，I
D
= -10毫安
V
GS
= -4.0 V，I
D
= -10毫安
V
GS
= -10 V，I
D
= -10毫安
V
DS
= –5.0 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
分钟。
–
–
–1.5
15
–
–
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–1.9
–
60
40
15
10
1
45
75
25
80
马克斯。
–1.0
+1.0
–2.5
–
100
60
–
–
–
–
–
–
–
单位
A
A
V
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
开关时间测量电路和条件
V
GS
DUT
R
L
门
电压
波形
10 %
V
GS （ ON）
90 %
V
DD
R
G
PG 。
漏
当前
波形
0
10 %
I
D
90 %
90 %
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
10 %
I
D
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
0
V
GS
2
PA607T
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
240
100
的dT - 降额因子 - ％
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
总功耗对比
环境温度
200
160
120
80
40
80
60
40
20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
- 外壳温度 - C
0
30
60
90
120 150 180
T
A
- 环境温度 - C
210
漏极电流与漏极TO
源极电压
–120
–100
I
D
- 漏电流 - 毫安
传输特性
–100
–6 V
–10
I
D
- 漏电流 - 毫安
–10 V
脉冲
测量
–8 V
–80
–60
–40
–20
V
GS
= –4 V
–1
T
A
= 150 C
–0.1
75 C
25 C
–0.01
V
DS
= –5.0 V
脉冲
测量
–5
–10
–15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
–25 C
–0.001
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
–14
0
栅极到源截止电压
与通道温度
–2.4
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
DS
= –5.0 V
I
D
= –1
A
正向转移导纳
与漏电流
100
50
V
DS
= –5.0 V
脉冲
测量
–2.2
–2.0
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–30
20
10
5
T
A
= –25 C
25 C
75 C
2
1
–1
150 C
0
30
60
90
120
T
ch
- 通道温度 - C
150
–2
–5
–10 –20
I
D
- 漏电流 - 毫安
–50
–100
3
PA607T
漏极至源极导通电阻
与门源电压
100
脉冲
测量
I
D
= -1毫安
漏极至源极导通电阻
VS.DRAIN CURRENT
150
V
GS
= –4 V
脉冲
测量
T
A
= 150 C
100
75 C
25 C
50
–25 C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
80
60
= 10毫安
40
20
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
0
–4
–8
–12
–16
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
–20
0
–1
–2
–5
–10
–20
I
D
- 漏电流 - 毫安
–50
–100
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与通道温度
140
120
100
80
60
40
20
–30
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
V
GS
= –4 V
I
D
= -10毫安
100
30
电容与漏极TO
源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
C
国际空间站
10
C
OSS
3
1
C
RSS
0.3
0.1
0.5
0
30
60
90
120
T
ch
- 通道温度 - C
150
–1
–2
–5 –10 –20
–50 –100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
开关特性
500
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
V
DD
= –5.0 V
V
GS
= –4 V
R
G
= 10
–100
I
SD
- 源极到漏极电流 - 毫安
源极到漏极二极管
正向电压
V
GS
= 0
脉冲
测量
200
100
50
t
r
–10
t
D（上）
t
f
20
10
5
–5
t
D（关闭）
–1
–10
–20
–50 –100 –200
I
D
- 漏电流 - 毫安
–500
–0.1
–0.5
–0.7
–0.8
–0.9
–0.6
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
–1.0
4
PA607T
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
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UMA1016BT
UF28100H
UA78L05QLPR
UPD754202A
UCC38050PE4
UX30C30C01
UC2868J
UGB18DCT
UPC624
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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