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数据表
MOS FET的肖特基势垒二极管
PA507TE
P沟道MOS FET的肖特基势垒二极管
切换
描述
PA507TE是一种开关装置,该装置可被驱动
直接采用1.8 V电源。
该器件集成了MOS场效应管,其特点是低
通态电阻和优异的开关特性和
低正向电压的肖特基势垒二极管,并且适合
对于应用,例如便携式计算机的DC / DC变换器
等等。
封装图(单位:mm )
0.32
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.65
–0.15
+0.1
2.8 ±0.2
5
4
1.5
0-0.1
1
2
3
特点
1.8 V可驱动( MOS FET )
低通态电阻( MOS FET )
R
DS(on)1
= 68 mΩ的典型值。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)2
= 84 mΩ的典型值。 (V
GS
=
2.5
V,I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)3
= 109 mΩ的典型值。 (V
GS
=
1.8
V,I
D
=
1.0
A)
低正向电压(肖特基势垒二极管)
V
F
= 0.35 V典型值。 (我
F
= 1.0 A)
1.9
2.9 ±0.2
为0.91.1
订购信息
产品型号
SC- 95_5p (小型模具薄型)
引脚连接(顶视图)
5
4
1 :门
2 :源
3 :阳极
4 :阴极
5 :排水
PA507TE
标记: ZA
1
2
3
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时,一个额外的保护电路由外部要求,如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
注意本产品为静电敏感器件,由于低ESD能力,并应与处理
小心静电放电。
V
ESD
±
100 V TYP 。 ( C = 200 pF的, R = 0
,
单脉冲)
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件G16626EJ1V1DS00 (第1版)
发布日期2003年12月NS CP ( K)
日本印刷
商标
表示主要修改点。
0.4
0.95
0.95
0.65
2003
PA507TE
MOS场效应管绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
Note2
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T
T
ch
20
m8
m2
m8
0.57
150
V
V
A
A
W
°C
总功耗
通道温度
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
安装在FR- 4电路板的2500毫米
2
×1.6毫米,吨
5秒。
肖特基二极管绝对最大额定值(T
A
= 25°C)
反向重复峰值电压
平均正向电流
浪涌电流
Note4
Note3
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
T
j
T
英镑
30
1
10
+125
55
+125
V
A
A
°C
°C
结温
储存温度
注释3 。
安装在FR- 4电路板的2500毫米
2
×1.6毫米,吨
5秒
4.
50赫兹的正弦波, 1个循环
2
数据表G16626EJ1V1DS
PA507TE
MOS FET的电气特性(T
A
= 25°C)
特征
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
R
DS(on)3
测试条件
V
DS
=
20
V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
m
8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
=
10
V,I
D
=
1.0
mA
V
DS
=
10
V,I
D
=
1.0
A
V
GS
=
4.5
V,I
D
=
1.0
A
V
GS
=
2.5
V,I
D
=
1.0
A
V
GS
=
1.8
V,I
D
=
1.0
A
V
DS
=
10
V
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
V
DD
=
10
V,I
D
=
1.0
A
V
GS
=
4.0
V
R
G
= 10
分钟。
典型值。
马克斯。
1
单位
A
A
V
S
m
10
0.45
2.0
0.75
4.3
68
84
109
380
85
45
10
5
47
28
85
120
180
1.50
漏极至源极导通电阻
m
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
V
DD
=
16
V
V
GS
=
4.0
V
I
D
=
2.0
A
I
F
= 2.0 A,V
GS
= 0 V
4.7
0.9
1.5
0.84
脉冲: PW
350
S,占空比
2%
肖特基势垒二极管电气特性(T
A
= 25°C)
特征
正向电压
反向电流
终端电容
符号
V
F
I
R
C
T
测试条件
I
F
= 1.0 A
V
R
= 10 V
F = 1.0兆赫,V
R
= 10 V
36
分钟。
典型值。
0.35
马克斯。
0.38
200
单位
V
A
pF
测试电路1开关时间
测试电路2栅极电荷
D.U.T.
D.U.T.
R
L
V
GS
PG 。
R
G
电波表
V
GS ( - )
0
10%
V
GS
90%
I
G
=
2
mA
PG 。
50
R
L
V
DD
V
DD
V
DS ( - )
90%
90%
10%
10%
V
GS ( - )
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
数据表G16626EJ1V1DS
3
PA507TE
MOS FET典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
120
0.7
总功耗对比
环境温度
P
T
- 总功耗 - W
安装在FR- 4板
2
2500毫米X 1.6毫米
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A
- 环境温度 -
°C
T
A
- 环境温度 -
°C
正向偏置安全工作区
- 100
R
DS ( ON)
廉资讯科技教育
(在V
GS
=
4.5
V)
I
D(脉冲)
I
D( DC)的
-1
10米每秒
- 0.1
单脉冲
安装在FR- 4板
2
2500米米×1.6 M M
-1
- 10
100米每秒
5s
- 100
PW = 1米每秒
I
D
- 漏电流 - 一个
- 10
- 0.01
- 0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
第(章-a)的
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
单脉冲
安装在FR- 4板
2
2500毫米X 1.6毫米
P
D
管(FET ):P (SBD) = 1:0
1
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
4
数据表G16626EJ1V1DS
PA507TE
漏电流与
漏源极电压
-8
脉冲
正向传递特性
- 10
V
GS
=
4.5
V
V
DS
=
10
V
脉冲
I
D
- 漏电流 - 一个
-6
I
D
- 漏电流 - 一个
2.5
V
-1
- 0.1
-4
1.8
V
- 0.01
T
A
= 125°C
75°C
25°C
25°C
-2
- 0.001
0
0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
- 0.8
-1
- 0.0001
0
- 0.5
-1
- 1.5
-2
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
-1
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
10
V
DS
=
10
V
脉冲
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
- 0.9
- 0.8
- 0.7
- 0.6
- 0.5
- 0.4
- 50
V
DS
=
10
V
I
D
=
1.0
mA
1
T
A
=
25°C
25°C
75°C
125°C
0
50
100
150
0.1
- 0.01
- 0.1
-1
- 10
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
200
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
漏电流
脉冲
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
200
I
D
=
1.0
A
脉冲
150
150
V
GS
=
1.8
V
2.5
V
4.5
V
100
100
50
50
0
- 0.01
0
0
-2
-4
-6
-8
- 0.1
-1
- 10
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表G16626EJ1V1DS
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    UPA507TE
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
UPA507TE
NEC
1926+
9852
SOT-163
只做进口原装正品现货,或订货假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
UPA507TE
NEC
2024
20000
SOT-153 SOT-23-5
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
UPA507TE
NEC
05+NOPB2780
7980
SOT-153
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
UPA507TE
NEC
05+NOPB2780
7980
SOT-153
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
UPA507TE
NEC
55700
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