数据表
MOS FET的肖特基势垒二极管
PA507TE
P沟道MOS FET的肖特基势垒二极管
切换
描述
该
PA507TE是一种开关装置,该装置可被驱动
直接采用1.8 V电源。
该器件集成了MOS场效应管,其特点是低
通态电阻和优异的开关特性和
低正向电压的肖特基势垒二极管,并且适合
对于应用,例如便携式计算机的DC / DC变换器
等等。
封装图(单位:mm )
0.32
+0.1
–0.05
0.16
+0.1
–0.06
0.65
–0.15
+0.1
2.8 ±0.2
5
4
1.5
0-0.1
1
2
3
特点
1.8 V可驱动( MOS FET )
低通态电阻( MOS FET )
R
DS(on)1
= 68 mΩ的典型值。 (V
GS
=
4.5
V,I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)2
= 84 mΩ的典型值。 (V
GS
=
2.5
V,I
D
=
1.0
A)
R
DS(on)3
= 109 mΩ的典型值。 (V
GS
=
1.8
V,I
D
=
1.0
A)
低正向电压(肖特基势垒二极管)
V
F
= 0.35 V典型值。 (我
F
= 1.0 A)
1.9
2.9 ±0.2
为0.91.1
订购信息
产品型号
包
SC- 95_5p (小型模具薄型)
★
引脚连接(顶视图)
5
4
1 :门
2 :源
3 :阳极
4 :阴极
5 :排水
PA507TE
标记: ZA
1
2
3
备注
连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。
当此装置实际使用时,一个额外的保护电路由外部要求,如果电压超过
额定电压可以施加到该装置。
注意本产品为静电敏感器件,由于低ESD能力,并应与处理
小心静电放电。
V
ESD
±
100 V TYP 。 ( C = 200 pF的, R = 0
,
单脉冲)
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一号文件G16626EJ1V1DS00 (第1版)
发布日期2003年12月NS CP ( K)
日本印刷
商标
★
表示主要修改点。
0.4
0.95
0.95
0.65
2003