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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符U型号页 > 首字符U的型号第36页 > UPA502T
数据表
MOS场效应
PA502T
N沟道MOS场效应管（ 5 -PIN 2电路）
该
PA502T是设置有两个微型模具装置
MOS FET电路。它实现了高密度安装和
节省安装费用。
包装尺寸（单位：毫米）
0.32
+0.1
–0.05
0.65
+0.1
–0.15
0.16
+0.1
–0.06
两个源通用MOS FET封装的电路
大小相同的SC- 59
要补
PA503T
自动安装支持
2.8 ±0.2
特点
1.5
0-0.1
0.95
0.95
0.8
1.1至1.4
1.9
2.9 ±0.2
引脚连接（顶视图）
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
*
P
T
T
ch
T
英镑
评级
50
±20
100
200
300 （ TOTAL ）
150
-55到150
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
*
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
一号文件G11238EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
PA502T
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
t
r
t
D（关闭）
t
f
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
|y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
V
GS （ ON）
= 5.0 V ，R
G
= 10
V
DD
= 5.0 V，I
D
= 10毫安
R
L
= 500
测试条件
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 1.0
A
V
DS
= 5.0 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 4.0 V，I
D
= 10毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 5.0 V, V
GS
= 0中，f = 1.0兆赫
0.8
20
19
15
16
12
3
17
10
68
38
30
25
1.4
分钟。
典型值。
马克斯。
1.0
±1.0
1.8
单位
A
A
V
mS
pF
PF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： DA
开关时间测量电路和测量条件
（电阻加载）
DUT
R
L
门
电压
波形
V
GS
0
10 %
V
GS （ ON）
90 %
V
DD
R
G
PG 。
I
D
漏
当前
波形
0
10 %
10 %
I
D
90 %
90 %
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
2
PA502T
典型特征（T
A
= 25 C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
350
自由的空气
P
T
- 总功率耗散 - 毫瓦
总功耗对比
环境温度
100
的dT - 降额因子 - ％
300
250
200
150
100
50
Pe
TO
TA
80
60
40
20
L
ro
ne
un
it
0
20
40
60
80
100 120
140 160
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
漏极电流与漏极TO
源极电压
120
100
I
D
- 漏电流 - 毫安
T
A
- 环境温度 - C
传输特性
1000
V
DS
= 5 V
脉冲
测量
脉冲
测量
4.0 V
I
D
- 漏电流 - 毫安
3.5 V
80
60
3.0 V
40
20
V
GS
= 2.5 V
100
10
T
A
= 75 C
1
25 C
–25 C
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
栅极到源截止电压
与通道温度
3
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
正向转移导纳
与漏电流
100
|y
fs
| - 正向转移导纳 - 质谱
V
DS
= 5 V
I
D
= 1.0
A
V
DS
= 5 V
2
T
A
= 75 C
25 C
10
–25 C
1
1
–30
0
30
60
90
120
150
1
10
100
1000
T
ch
- 通道温度 - C
I
D
- 漏电流 - 毫安
3
PA502T
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与门源电压
100
50
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与漏电流
1000
500
V
GS
= 10 V
脉冲
测量
I
D
= 10毫安
脉冲
测量
10
5
100
50
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
10
10
50
100
500
1000
1
1
5
10
50
100
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 毫安
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻
与通道温度
30
V
GS
= 10 V
脉冲
测量
100
电容与漏极TO
源极电压
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
10
C
OSS
C
RSS
20
10
1
0
–30
0
30
60
90
120
150
V
GS
= 0
0.1 F = 1兆赫
0.1
1
10
100
T
ch
- 通道温度 - C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
源极到漏极二极管
正向电压
100
开关特性
100
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
t
D（关闭）
50
t
f
I
D
- 漏电流 - 毫安
V
DD
= 5 V
V
GS
= 5 V
R
G
= 10
50
100
10
t
r
20
t
D（上）
1
10
10
20
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
I
D
- 漏电流 - 毫安
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
4
PA502T
参考
文件名称
NEC半导体设备可靠性/质量控制系统
质量等级NEC半导体设备
半导体设备安装技术手册
先导，以质量为保证半导体器件
半导体选择指南
文档编号
TEI-1202
IEI-1209
C10535E
MEI-1202
X10679E
5
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UNR-1.8/10-D5T
UPD78C14LA
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UES1C100MDJ
UA723N
U2739M-BFC
UC1824
U635H256BSK25
UDZSTE-1710B
UPSD3353A-40U1
UVR1H222MRD
UG3001-T
UPD41464C-15
UPSD3315A-40U6T
U893BSE-AFPG3
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    UPA502T
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