初步
数据表
μ
PA2811T1L
MOS场效应
描述
R07DS0191EJ0100
Rev.1.00
2011年1月11日
该
μ
PA2811T1L是P沟道MOS场效应晶体管设计的DC / DC转换器和电源管理
便携式设备的应用程序。
特点
V
DSS
30
V （T
A
= 25°C)
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 15 mΩ以下。 （V
GS
=
10
V，I
D
=
19
A)
4.5 V栅极驱动器可用
内置栅极保护二极管
小&超薄型表面贴装封装与散热片（ 8针HVSON ）
无卤素，符合RoHS标准
订购信息
产品型号
μ
PA2811T1L-E1-AY
1
μ
PA2811T1L-E2-AY
1
铅电镀
纯锡
填料
带3000 P /卷
包
8引脚HVSON （ 3333 ）
（典型值） 。 0.028克
注意：
1.无铅（本产品不含有铅在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功耗
2
总功率耗散（ PW = 10秒）
2
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
3
单雪崩能量
3
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
P
T3
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
30
m25
m19
m76
1.5
3.8
52
150
55
to
+150
19
36
单位
V
V
A
A
W
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到环境的热阻
2
渠道情况（漏）热阻
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
83.3
2.4
° C / W
° C / W
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
3.起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
=
15
V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
=
20 →
0 V，L = 100
μ
H
R07DS0191EJ0100 Rev.1.00
2011年1月11日
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章标题
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
120
正向偏置安全工作区
-1000
I
D（脉冲）
=
76
A
1毫秒
PW = 200
μs
100
μs
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 漏电流 - 一个
-100
I
D（ DC）的
=
19
A
-10
d
其五）
林0 V
)
i
on
1
S(
R
GS
=
(V
-1
100毫秒
功耗有限公司
T
C
= 25°C
单脉冲
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
R
第（章-a）的
= 83.3C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 2.4 ° C / W
1
0.1
单脉冲
R
第（章-a）的
：安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
PW - 脉冲宽度 - S
10
100
1000
漏电流与
漏源极电压
正向传递特性
-100
-90
-80
I
D
- 漏电流 - 一个
脉冲
-100
-10
I
D
- 漏电流 - 一个
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0
V
GS
=
10 V
4.5 V
-1
-0.1
-0.01
-0.001
-0.0001
T
ch
=
55°C
25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
V
DS
= -10 V
脉冲
0
-0.5 -1 -1.5 -2 -2.5 -3 -3.5 -4 -4.5
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0191EJ0100 Rev.1.00
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章标题
GATE截止电压与通道
温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
远期转移导纳主场迎战漏
当前
-2.5
V
GS （ OFF ）
- 栅极截止电压 - V
100
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0
-75
-25
25
75
125
175
脉冲
V
DS
= -10 V,
I
D
= -1毫安
10
1
T
ch
= -55°C
-25°C
25°C
75°C
125°C
150°C
0.1
0.01
-0.001
脉冲
V
DS
= -10 V
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
50
40
30
20
10
脉冲
40
脉冲
30
V
GS
= -4.5 V
20
I
D
= -19 A
10
-10 V
0
-0.1
0
0
-2
-4
-6
-8 -10 -12 -14 -16 -18 -20
-1
-10
-100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
电容与漏源极电压
30
25
20
15
10
5
0
-75
-25
25
75
脉冲
125
175
-10 V ， -19一
V
GS
= -4.5 V
I
D
= -9.5 A
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
10000
1000
C
国际空间站
C
OSS
100
C
RSS
10
-0.1
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
-1
-10
-100
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R07DS0191EJ0100 Rev.1.00
2011年1月11日
第4 6
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