数据表
μ
PA2766T1A
N沟道MOSFET
30 V ， 130 A， 0.88毫欧
描述
该
μ
PA2766T1A是N沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
R07DS0883EJ0102
Rev.1.02
2012年11月28日
特点
V
DSS
= 30 V （T
A
= 25°C)
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 0.88 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 46 A)
R
DS （ ON）
= 1.82 mΩ以下。 （V
GS
= 4.5 V，I
D
= 39 A)
4.5 V栅极驱动器可用
超薄型表面贴装封装与散热
无卤
8引脚HVSON （ 6051 ）
订购信息
产品型号
铅电镀
纯锡
填料
带3000 P /卷
包
8引脚HVSON （ 6051 ）
0.1克TYP 。
μ
PA2766T1A-E2-AY
1
注意：
1.无铅（本产品不含有铅在外部电极）。
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
1
总功耗
2
总功率耗散（ PW = 10秒）
总功率耗散（T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
3
单雪崩能量
3
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
P
T3
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
30
±20
±130
±312
1.5
4.6
83
150
55
to
+150
55
303
单位
V
V
A
A
W
W
W
°C
°C
A
mJ
热阻
通道到环境的热阻
2
渠道情况（漏）热阻
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
83.3
1.5
° C / W
° C / W
注意事项：
1. PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
3.起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 15 V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V，L = 100
μ
H
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2012年11月28日
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μ
PA2766T1A
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
正向偏置安全工作区
140
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
1000
100
I
D
- 漏电流 - 一个
ID(pulse)=312A
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
PW
10
i
李米
n)
o
S（ 0V
RD S = 1时
VG
TE
10
10
m
s
1m
s
=2
00
us
0m
s
功耗有限公司
1
0.1
Tc=25°C
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
1000
单脉冲
RTH （ CH-A ） = 83.3 C / W
100
10
RTH （ CH -C ） = 1.5 ° C / W
1
0.1
RTH （ CH -A ） ：安装在25.4毫米X 25.4毫米0.8mmt玻璃型环氧板
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
漏极电流（ DC ）与外壳温度
漏极电流与漏极至源极
电压
150
I
D（ DC）的
- 漏极电流（ DC ） - 一个
350
300
VGS=10V
125
100
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 漏电流 - 一个
250
200
150
100
50
VGS=4.5V
脉冲
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
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μ
PA2766T1A
电容与漏源极电压
开关特性
100,000
TD （上） ， TR ， TD （关闭） ， TR - 开关时间 - NS
10000
VDD = 15V
VGS=10V
RG=10
（F ）的TD
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
tf
10,000
西塞
1000
科斯
tr
1,000
VGS = 0V
F = 1.0MHz的
CRSS
100
TD （上）
100
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
动态输入特性
源极到漏极二极管的正向电压
12
10
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
1000
100
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
VGS=10V
4.5V
8
6
4
2
VDD = 6V
15V
24V
10
1
0.1
脉冲
0V
ID=78A
0
0
40
80
120
160 200
240
280
320
0.01
0
0.4
0.8
1.2
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
F（ S- D）的
- 源极到漏极电压 - V
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