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初步
数据表
μ
PA2761UGR
MOS场效应
描述
R07DS0010EJ0100
Rev.1.00
2010年6月1日
μ
PA2761UGR是N-沟道MOS场效应晶体管设计的一个电源管理应用
笔记本电脑。
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 18.5 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A)
R
DS(on)2
= 30 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7 A)
低西塞:西塞= 550 pF的典型。 (V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装( SOP8电)
符合RoHS
订购信息
产品型号
μ
PA2761UGR-E1-AT
1
μ
PA2761UGR-E2-AT
1
铅电镀
纯Sn (锡)
填料
带2500 P /卷
电源SOP8
0.08克TYP 。
注意:
1.无铅(本产品不含有铅在外部电极等部位)。
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
1
漏电流(脉冲)
2
总功耗
2
总功率耗散( PW = 10秒)
通道温度
储存温度
3
单雪崩电流
3
单雪崩能量
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
30
±25
±9
±40
1.1
2.5
150
55
to
+150
9
8.1
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项:
1. PW
10
μ
S,占空比
1%
2.安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
3.起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 15 V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
0 V,L = 100
μ
H
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
第1页6
μ
PA2761UGR
章标题
电气特性(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接)
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
1
正向转移导纳
漏极至源极导通状态
1
阻力
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
1
反向恢复时间
反向恢复电荷
注:1,脉冲
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
Ω
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
Ω
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
t
rr
Q
rr
典型值
最大
10
±100
2.5
单位
μ
A
测试条件
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 4.5 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7 A
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 0 V,
F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V,I
D
= 4.5 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 10
Ω
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 9 A
I
F
9 = A,V
GS
= 0 V
I
F
9 = A,V
GS
= 0 V,
的di / dt = 100 A /
μ
s
μ
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
1.0
2.5
14.3
20.1
550
93
56
8
3.3
24.5
4
5.5
2.1
2.7
21
13.5
18.5
30
1.2
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
V
DS
90%
90%
10%
10%
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
V
DS
V
DS
电波表
0
t
D(上)
t
on
τ
τ
= 1
μ
s
占空比
1%
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
Ω
R
L
V
DD
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
第2 6
μ
PA2761UGR
章标题
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
120
100
100
I
D(脉冲)
1
1
1
1
00
m
1
正向偏置安全工作区
PW
0
=
30
0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
1
0
s
m
1
μ
s
1
1
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
s
m
1
s
s
1
功耗有限公司
0.1
0.01
0.01
T
A
= 25°C
单脉冲
安装在玻璃环氧树脂板
25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
单脉冲
R
第(章-a)的
= 113.6 ° C / W
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
1
0.1
R
第(章-a)的
:安装在25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨玻璃环氧板
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
漏电流与
漏源极电压
50
40
10
8
正向传递特性
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- 漏电流 - 一个
30
20
10
0
0
V
GS
= 10 V
4.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
6
4
2
0
脉冲
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
第3页6
μ
PA2761UGR
GATE截止电压与通道
温度
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
3
章标题
远期转移导纳主场迎战漏
当前
10
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-50
0
50
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
100
150
1
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
0.1
0.1
1
V
DS
= 10 V
脉冲
10
T
ch
- 通道温度 -
°C
I
D
- 漏电流 - 一个
漏极至源极导通电阻与
漏电流
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
50
40
30
20
10
0
1
10
100
V
GS
= 4.5 V
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
I
D
= 9 A
脉冲
脉冲
10 V
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
漏极至源极导通电阻与
通道温度
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的
50
40
30
20
10 V , 9的
10
0
-50
0
50
100
150
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 7 A
脉冲
电容与漏源极电压
1000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
C
国际空间站
100
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
0.1
1
10
100
10
T
ch
- 通道温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
第4 6
μ
PA2761UGR
动态输入特性
7
章标题
源极到漏极二极管的正向电压
100
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
5
4
3
2
1
0
0
1
2
V
DD
= 24 V
15 V
6V
I
F
- 二极管正向电流 - 一个
6
10
V
GS
= 10 V
1
0V
I
D
= 9 A
3
4
5
6
7
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
脉冲
1
1.2
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
V
F( S- D)的
- 源极到漏极电压 - V
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
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    联系人:杨小姐
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联系人:刘经理
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