初步
数据表
μ
PA2761UGR
MOS场效应
描述
R07DS0010EJ0100
Rev.1.00
2010年6月1日
该
μ
PA2761UGR是N-沟道MOS场效应晶体管设计的一个电源管理应用
笔记本电脑。
特点
低通态电阻
R
DS(on)1
= 18.5 mΩ以下。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 9 A)
R
DS(on)2
= 30 mΩ以下。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 7 A)
低西塞:西塞= 550 pF的典型。 (V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V)
小型表面贴装封装( SOP8电)
符合RoHS
订购信息
产品型号
μ
PA2761UGR-E1-AT
1
μ
PA2761UGR-E2-AT
1
铅电镀
纯Sn (锡)
填料
带2500 P /卷
包
电源SOP8
0.08克TYP 。
注意:
1.无铅(本产品不含有铅在外部电极等部位)。
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C,所有的终端连接)
项
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
1
漏电流(脉冲)
2
总功耗
2
总功率耗散( PW = 10秒)
通道温度
储存温度
3
单雪崩电流
3
单雪崩能量
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AS
E
AS
评级
30
±25
±9
±40
1.1
2.5
150
55
to
+150
9
8.1
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项:
1. PW
≤
10
μ
S,占空比
≤
1%
2.安装在25.4毫米的玻璃环氧树脂板X 25.4毫米×0.8万吨
3.起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 15 V ,R
G
= 25
Ω,
V
GS
= 20
→
0 V,L = 100
μ
H
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
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μ
PA2761UGR
章标题
典型特征(T
A
= 25°C)
正向偏置安全的降额因子
工作区
胸苷 - 百分比额定功率 - %
120
100
100
I
D(脉冲)
1
1
1
1
00
m
1
正向偏置安全工作区
PW
0
=
30
0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
1
0
s
m
1
μ
s
1
1
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
s
m
1
s
s
1
功耗有限公司
0.1
0.01
0.01
T
A
= 25°C
单脉冲
安装在玻璃环氧树脂板
25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨
0.1
1
10
100
T
C
- 外壳温度 -
°C
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
1000
单脉冲
R
第(章-a)的
= 113.6 ° C / W
r
日(T )
- 瞬态热阻 -
° C / W
100
10
1
0.1
R
第(章-a)的
:安装在25.4毫米X 25.4毫米×0.8万吨玻璃环氧板
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
漏电流与
漏源极电压
50
40
10
8
正向传递特性
V
DS
= 10 V
脉冲
T
A
=
55°C
25°C
75°C
125°C
I
D
- 漏电流 - 一个
30
20
10
0
0
V
GS
= 10 V
4.5 V
I
D
- 漏电流 - 一个
6
4
2
0
脉冲
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R07DS0010EJ0100 Rev.1.00
2010年6月1日
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