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数据表

MOS场效应

PA2755GR

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该

PA2755GR是双N沟道MOS场效应

晶体管设计的DC / DC转换器和功率

管理应用程序的笔记本电脑。

封装图（单位：mm ）

1 ： 1来源

2 ： 1门

7,8 ：汲极1

3 ： 2来源

4 ： 2门

5 ，6：排水2

6.0 ±0.3

4.4

+0.10

–0.05

特点

双片式

低通态电阻

DS(on)1

= 18 mΩ以下。（V

= 10 V，I

= 4.0 A)

DS(on)2

= 29 mΩ以下。（V

= 4.5 V，I

= 4.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 650 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

5.37最大。

1.44

0.8

1.8 MAX 。

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

0.12 M

PA2755GR

绝对最大额定值（T

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

= 0 V)

门源电压（V

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

±20

±8.0

±32

1.7

2.0

150

+150

6.4

°C

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

漏

等效电路

（ 1/2电路）

总功率耗散（ 1个单位）

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

总功率耗散（ 2台）

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

安装于2000毫米的陶瓷基片

X 2.2毫米

起始物为

= 25 ° C，V

= 15 V ，R

= 25

= 20

→

0 V

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路由外部要求，如果电压超过

额定电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件G16639EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2003年11月NS CP （ K）

日本印刷

2003

PA2755GR

电气特性（T

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

记

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

| y

DS(on)1

DS(on)2

测试条件

= 30 V, V

= 0 V

±18

V, V

= 0 V

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 4.0 A

= 10 V，I

= 4.0 A

= 4.5 V，I

= 4.0 A

= 10 V

= 0 V

F = 1 MHz的

= 15 V，I

= 4.0 A

= 10 V

= 10

分钟。

典型值。

马克斯。

±10

单位

1.5

2.8

5.7

650

150

8.0

2.5

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

记

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

= 24 V

= 10 V

= 8.0 A

= 8.0 A，V

= 0 V

= 8.0 A，V

= 0 V

的di / dt = 100 A /

2.2

3.8

0.84

8.2

记

脉冲

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

= 20

→

0 V

测试电路2开关时间

D.U.T.

PG 。

90%

10%

电波表

10%

90%

DSS

= 1

占空比

≤

电波表

D（上）

D（关闭）

关闭

起始物为

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

数据表G16639EJ1V0DS

PA2755GR

典型特征（T

= 25°C)

正向偏置的降额因子

安全工作区

- 总功率耗散 - W /包

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

120

100

总功耗对比

环境温度

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

100 120 140 160

2台

1个单位

安装在陶瓷

基材

2000 mm

2.2 mm

100 120 140 160

- 环境温度 -

°C

- 环境温度 -

°C

正向偏置安全工作区

D（脉冲）

PW = 100

- 漏电流 - 一个

D（ DC）的

DS （ ON）

极限版

（在V

= 10 V)

功耗有限公司

1毫秒

10毫秒

100毫秒

0.1

对陶瓷SUBST大鼠ê M 'mount版

2000毫米X 2.2毫米， 1个单位

= 25°C

单脉冲

0.01

0.1

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

1000

日（T ）

- 瞬态热阻 -

° C / W

100

第（章-a）的

= 73.5C / W

安装于2000毫米的陶瓷基片

X 2.2毫米

单脉冲， 1个单位

= 25°C

0.1

100

10 m

100 m

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G16639EJ1V0DS

PA2755GR

漏电流与

漏源极电压

脉冲

正向传递特性

= 1 V

P ulsed

- 漏电流 - 一个

= 10 V

4.5 V

- 漏电流 - 一个

= 1

50°C

75°C

25°C

40°C

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

0.01

0.001

0.0001

- 漏极至源极电压 - V

- 栅极至源极电压 - V

GATE截止电压主场迎战

通道温度

| y

| - 正向转移导纳 - S

正向转移导纳主场迎战

漏电流

= 1 V

P ulsed

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

2.5

= 1 V

= 1毫安

40°C

25°C

75°C

50°C

0.1

0.5

-50

-25

0.01

0.1

- 通道温度 -

°C

- 漏电流 - 一个

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

= 10 V

脉冲

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

脉冲

= 4.5 V

10 V

8.0 A

= 4.0 A

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极至源极电压 - V

数据表G16639EJ1V0DS

PA2755GR

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

-50

-25

100 125 150 175

10 V

= 4.0 A

脉冲

= 4.5 V

电容与漏源极电压

10000

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

= 0 V

F = 1 MHz的

1000

国际空间站

100

OSS

RSS

0.1

100

- 通道温度 - C

- 漏极至源极电压 - V

开关特性

1000

动态输入/输出特性

- 漏极至源极电压 - V

= 24 V

1 V

100

D（关闭）

D（上）

0.1

100

- 漏电流 - 一个

- 栅极电荷 - 数控

源极到漏极二极管

正向电压

100

反向恢复时间对比

二极管的正向电流

1000

= 0 V

的di / dt = 100 A / μs的

4.5 V

- 反向恢复时间 - NS

= 10 V

- 二极管正向电流 - 一个

100

0.1

脉冲

0.01

0.5

1.5

0.1

100

F（ S- D）的

- 源极到漏极电压 - V

- 二极管正向电流 - 一个

数据表G16639EJ1V0DS

- 栅极至源极电压 - V

D（上）

, t

D（关闭）

, t

- 开关时间 - NS

= 15 V

= 10 V

= 10

= 8.0 A