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数据表

MOS场效应

PA2752GR

开关

N沟道功率MOS FET

描述

该

PA2752GR是双N沟道MOS场效应晶体管

设计用于DC / DC转换器和电源管理应用

笔记本电脑。

封装图（单位：mm ）

8

5

1 ： 1来源

2 ： 1门

7,8 ：汲极1

3 ： 2来源

4 ： 2门

5 ，6：排水2

6.0 ±0.3

4.4

+0.10

–0.05

特点

双片式

低通态电阻

R

DS(on)1

= 23.0 mΩ以下。（V

GS

= 10 V，I

D

= 4.0 A)

R

DS(on)2

= 35.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.0 A)

R

DS(on)3

= 41.0 mΩ以下。（V

GS

= 4.0 V，I

D

= 4.0 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 480 pF的典型。

内置G -S保护二极管

小型表面贴装封装（ SOP8电）

1

4

5.37最大。

1.44

0.8

1.8 MAX 。

0.15

0.05分钟。

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78最大。

0.40

+0.10

–0.05

0.12 M

订购信息

产品型号

包

电源SOP8

PA2752GR

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

漏源极电压（V

GS

= 0 V)

门源电压（V

DS

= 0 V)

漏电流（ DC ）（T

C

= 25°C)

漏电流（脉冲）

Note1

Note2

V

DSS

V

GSS

I

D（ DC）的

I

D（脉冲）

P

T

P

T

ch

T

英镑

30

±20

±8.0

±32

1.7

2.0

150

-55到+150

8

6.4

V

A

W

°C

A

mJ

门

保护

二极管

来源

门

体

二极管

等效电路

（ 1/2电路）

漏

总功率耗散（ 1个单位）

总功率耗散（ 2个）

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

Note3

I

AS

E

AS

注意事项1 。

PW

≤

10

S，占空比

≤

1%

2

2.

T

A

= 25 ℃，安装在2000毫米× 2.2毫米陶瓷基板

3.

起始物为

ch

= 25 ° C，V

DD

= 15 V ，R

G

= 25

,

V

GS

= 20

→

0 V

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。当

该设备实际使用，额外的保护电路所需的外部，如果电压超过额定

电压可以施加到该装置。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

G15716EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2002年2月NS CP （ K）

日本印刷

2002

PA2752GR

电气特性（T

A

= 25 ° C，所有的终端连接。）

特征

零栅极电压漏极电流

栅极漏电流

门放电截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

| y

fs

|

R

DS(on)1

R

DS(on)2

R

DS(on)3

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

G

Q

GS

Q

GD

V

F（ S- D）的

t

rr

Q

rr

V

DD

= 24 V

V

GS

= 10 V

I

D

= 8.0 A

I

F

= 8.0 A，V

GS

= 0 V

I

F

= 8.0 A，V

GS

= 0 V

的di / dt = 100 A /

s

测试条件

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0 V

V

GS

= ±18 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

DS

= 10 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 4.0 V，I

D

= 4.0 A

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

V

DD

= 15 V，I

D

= 4.0 A

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1.5

3.5

2.0

7.0

18.0

25.0

28.5

480

190

70

9.9

6.2

25

5.8

10

1.9

2.6

0.81

28

23

23.0

35.0

41.0

分钟。

典型值。

马克斯。

10

±10

2.5

单位

A

V

S

m

pF

ns

nC

V

ns

nC

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

R

G

= 25

PG 。

V

GS

= 20

→

0 V

50

测试电路2开关时间

D.U.T.

L

V

DD

PG 。

R

G

V

GS

R

L

V

DD

V

DS

90%

10%

V

GS

电波表

0

10%

V

GS

90%

BV

DSS

I

AS

I

D

V

DD

V

DS

V

GS

0

τ

= 1

s

占空比

≤

1%

V

DS

V

DS

电波表

0

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

起始物为

ch

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

I

G

= 2毫安

PG 。

50

R

L

V

DD

2

数据表G15716EJ1V0DS

PA2752GR

典型特性（ TA = 25 ° C）

正向传递特性

100

脉冲

V

DS

= 10 V

40

35

漏电流与

漏源极电压

I

D

- 漏电流 - 一个

I

D

- 漏电流 - 一个

10

30

V

GS

= 10 V

25

20

15

10

5

4.0 V

4.5 V

1

0.1

T

A

=

25C

75C

150C

0.01

0

1

2

3

4

5

0

脉冲

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

1.4

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

| y

fs

| - 正向转移导纳 - S

100

V

DS

= 10 V

脉冲

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

正向转移导纳主场迎战

漏电流

漏极至源极导通电阻与

栅极至源极电压

80

脉冲

60

I

D

= 8.0 A

10

40

4.0 A

20

1

T

A

= 150C

75C

25C

0.1

0.01

0.1

1

10

100

0

5

10

15

20

I

D

- 漏电流 - 一个

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通状态

电阻与漏极电流

100

脉冲

3.0

GATE截止电压主场迎战

通道温度

V

DS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

GS （ OFF ）

- 栅极截止电压 - V

100

80

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0

75 50 25

60

V

GS

= 4.0 V

40

4.5 V

20

10 V

0

0.1

1

10

0

25

50

75 100 125 150 175

I

D

- 漏电流 - 一个

T

ch

- 通道温度 - C

数据表G15716EJ1V0DS

3

PA2752GR

R

DS （ ON）

- 漏极至源极导通状态电阻 - mΩ的

漏极至源极导通电阻与

通道温度

50脉冲

I

D

= 4.0 A

40

V

GS

= 4 V

30

10 V

20

4.5 V

100

脉冲

源极到漏极二极管

正向电压

V

GS

= 10 V

I

SD

- 二极管正向电流 - 一个

10

4V

0V

1

10

0.1

0

50 25

0.01

0

25

50

75

100 125 150 175

0

0.5

1.0

1.5

T

ch

- 通道温度 - C

V

SD

- 源极到漏极电压 - V

电容与

漏源极电压

10000

1000

开关特性

t

D（上）

, t

r

, t

D（关闭）

, t

f

- 开关时间 - NS

C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

- 电容 - pF的

100

t

f

t

D（关闭）

1000

C

国际空间站

10

t

r

1

V

DD

= 15 V

V

GS

= 10 V

R

G

= 10

1

10

t

D（上）

100

C

OSS

C

RSS

10

0.1

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

1

10

100

0.1

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

I

D

- 漏电流 - 一个

反向恢复时间对比

漏电流

1000

动态输入/输出特性

35

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

t

rr

- 反向恢复时间 - NS

30

25

20

15

10

5

0

2

4

6

8

Q

G

- 栅极电荷 - 数控

V

DS

I

D

= 8.0 A

10

V

DD

= 24 V

15 V

6V

V

GS

12

10

8

6

4

2

0

12

100

10

1

0.1

1

10

100

I

F

- 漏电流 - 一个

4

数据表G15716EJ1V0DS

V

GS

- 栅极至源极电压 - V

的di / dt = 100 A /

s

V

GS

= 0 V

14

PA2752GR

正向偏置的降额因子

安全工作区

总功耗对比

环境温度

P

T

- 总功率耗散 - W /包

120

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

2单元

1个单位

安装在陶瓷

基材

2000 mm

2

×

2.2 mm

胸苷 - 百分比额定功率 - ％

100

80

60

40

20

0

20

40

60

80

100 120 140 160

T

A

- 环境温度 - C

正向偏置安全工作区

100

d

ITE

林V）

o

10

S(

R

GS

=

V

(

I

D（ DC）的

n)

I

D（脉冲）

PW

1m

=1

I

D

- 漏电流 - 一个

10

s

00

s

Po

we

r

10

DIS

SIP

ATI

o

0m

ms

s

1

nL

im

ITE

d

0.1

安装在

2

陶瓷基板

2000毫米× 2.2毫米

单脉冲， 1个单位

T

A

= 25C

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极至源极电压 - V

瞬态热阻与脉冲宽度

r

日（T ）

- 瞬态热阻 - C / W

1000

安装在陶瓷基片

2

2000毫米× 2.2毫米

单脉冲， 1个单位

T

A

= 25C

100

R

第（章-a）的

= 73.5C / W

10

1

0.1

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

PW - 脉冲宽度 - S

数据表G15716EJ1V0DS

5